如果你質疑我的標題，不妨先看看下面這則影片：
這部影片是用縮時攝影(Time lapse)技巧拍攝，由多種真菌擔綱演出，包括了Aspergillus fumigatus(煙曲黴)、Botrytis(灰黴)、Mucor(毛黴)、Trichoderma(木黴) 跟 Cladosporium(枝孢菌)，你可以在此看見拍攝時所使用的器材。
不知怎麼著，看這部影片會讓我想起《風之谷》。
從小時候的底片相機，發展到數位相機，如今手機就能拍出許多高清又漂亮的照片，你知道都是多虧了 CIS 晶片嗎？
本文轉載自宜特小學堂〈CIS晶片遇到異常 求助無門怎麼辦〉，如果您對半導體產業新知有興趣，歡迎按下右邊的追蹤，就不會錯過宜特科技的最新文章！
CIS 晶片又稱 CMOS 影像感測器（CMOS Image Sensor），最早是在 1963 年由美國一家半導體公司發明出來的積體電路設計，隨著時代進步，廣泛應用在數位攝影的感光元件中。而人們對攝影鏡頭解析度需求不斷增加，渴望拍出更精美的畫質。
CIS 已從早期數十萬像素，一路朝億級像素邁進，有賴於摩爾定律（Moore’s Law）在半導體微縮製程地演進，使得訊號處理能力顯著提升。如今的 CIS 已經不僅適用於消費型電子產品，在醫療檢測、安防監控領域等應用廣泛，近幾年智慧電車興起，先進駕駛輔助系統（ADAS, Advanced Driver. Assistance Systems）已成為新車的安全標配，未來車用 CIS 的市場更是潛力無窮。
然而，越精密、越高階的 CIS 晶片由於結構比較薄，加上特殊的 3D 堆疊結構，使得研發難度大大提升，當遇到異常（Defect）現象時，想透過分析找出故障的真因也更為困難了。
本文將帶大家認識三大晶片架構，並以案例說明當 CIS 晶片遇到異常，到底我們可以利用那些工具或手法，成功 DEBUG？
現今 CIS 晶片架構，可概分為三大類，（一）前照式（Front Side illumination，簡稱FSI）；（二）背照式 （Back Side illumination，簡稱 BSI）；（三）堆疊式 CIS（Stacked CIS）：
為使 CIS 晶片能符合半導體製程導入量產，最初期的 CIS 晶片為前照式 (Front Side illumination，簡稱 FSI) CIS；其感光路徑係透過晶片表面進行收光，不過，前照式 CIS 在效能上的最大致命傷為感光路徑會因晶片的感光元件上方金屬層干擾，而造成光感應敏度衰減。
為使 CIS 晶片能有較佳的光感應敏度，背照式（Back Side illumination ，簡稱 BSI）CIS 技術應運而生。此類型產品的感光路徑，係由薄化至數微米後晶片背面進行收光，藉此大幅提升光感應能力。
而 BSI CIS 的前段製程與 FSI CIS 類似，主要差別在於後段晶片對接與薄化製程。BSI CIS 的製程是在如同 FSI CIS 一般製程後，會將該 CIS 晶片正面與 Carrier wafer 對接。對接後的晶片再針對 CIS 晶片背面進行 Backside grinding 製程至數微米厚度以再增進收光效率，即完成 BSI CIS。
隨著智慧型手機等消費電子應用的蓬勃發展，人們對於拍攝影像的影像處理功能需求也大幅增加，使製作成本更親民與晶片效能更能有效提升，利用晶圓級堆疊技術，將較成熟製程製作的光感測元件（Sensor Chip）晶片，與由先進製程製作、能提供更強大計算能力的特殊應用 IC（Application Specific Integrated Circuit，簡稱 ASIC）晶片、或是再進一步與記憶體（DRAM）晶片進行晶圓級堆疊後，便可製作出兼具高效能與成本效益的堆疊式 CIS（Stacked CIS）晶片（圖一），也是目前最主流的晶片結構。
介紹完三大類 CIS 架構，我們就來進入本文重點：「如何找到堆疊式（Stacked）CIS 晶片的異常點（Defect）?」
由於這類型的 CIS 晶片結構相對複雜，在進行破壞性分析前，需透過電路專家電路分析或熱點（Hot Spot）故障分析，鎖定目標、縮小範圍在 Stacked CIS 晶片中的其一晶片後，針對可疑的失效點／失效層，進行該 CIS 樣品破壞性分析，方可有效地呈現失效點的失效狀態以進行進一步的預防修正措施。
接著，我們將分享宜特故障分析實驗室，是如何（一）利用電性熱點定位；（二）移除非鎖定目標之晶粒（Die），並針對鎖定目標晶粒（Die）逐層分析；（三）電性量測分析；（四）超音波顯微鏡（SAT）分析等四大分析手法交互應用，進行 Stacked CIS 晶片進行故障分析，順利找到異常點（Defect）。
當CIS晶片具有高阻值（High Resistance）、短路（Short）、漏電（Leakage）或是功能失效（Function Failure）等電性失效時，可依據不同的電性失效模式，經由直流通電或上測試板通電，並透過選擇適合的電性故障分析（EFA, Electrical Failure Analysis）工具來進行電性定位分析。
| 設備 | OBIRCH | Thermal EMMI | InGaAs |
| 偵測目標 | 電晶體／金屬層 | 金屬層/封裝／印刷電路板 | 電晶體／金屬層 |
| 失效模式 | 漏電／短路／高阻值 | 漏電／短路／高阻值 | 漏電／短路／開路 |
包括雷射光束電阻異常偵測（Optical Beam Induced Resistance Change，簡稱 OBIRCH）、熱輻射異常偵測顯微鏡（Thermal EMMI）（圖二）、砷化鎵銦微光顯微鏡（InGaAs），藉由故障點定位設備找出可能的異常熱點（Hot Spot）位置，以利後續的物性故障（PFA, Physical Failure Analysis）分析。
接著，依照上述電性分析縮小可能的異常範圍至光感測元件晶片、ASIC 或記憶體晶片區後，根據 Stacked CIS 晶片堆疊的結構特性，需先將其一側的矽基材移除，方可進行逐層去除（Layer by layer），或層層檢查。
再者，透過特殊分析手法，移除不需保留的晶粒結構，進而露出目標晶粒之最上層金屬層（圖三）。接著，透過逐層去除（Layer by layer），最終在金屬層第一層（Metal 1）找到燒毀現象的異常點（defect） （圖四）。
當逐層去除（Layer by Layer）過程當中，除利用電子顯微鏡（SEM） 於故障點區域進行 VC（Voltage Contrast）的電性確認與金屬導線型態觀察外，亦可搭配導電原子力顯微鏡（Conductive Atomic Force Microscopy，簡稱C-AFM）快速掃描該異常區域，以獲得該區域電流分布圖（Current map）（圖五），並量測該接點對矽基板（Si Substrate）的電性表現，進而確認該區域是否有漏電 / 開路等電性異常問題。
在完成C-AFM分析後，若有相關疑似異常路徑需要進一步進行電性量測與定位，可使用奈米探針電性量測(Nano-Prober)進行更精準的異常點定位分析，包括電子束感應電流（EBIC , Electron Beam Induced Current）、電子束吸收電流（EBAC, Electron Beam Absorbed Current）、與電子束感應阻抗偵測（EBIRCH , Electron Beam Induced Resistance Change）等定位法。而Nano-Prober亦可針對電晶體進行電性量測，如Vt、 IdVg、IdVd等基本參數獲取（圖六）。
當透過上述分析手法精準找到異常點後，亦可再透過雙束聚焦離子束（Dual-beam FIB，簡稱DB-FIB）或是穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy，簡稱TEM）來對異常點進行結構確認，以釐清失效原因（圖七）。
超音波顯微鏡（SAT）
超音波顯微鏡（SAT）為藉由超音波於不同密度材料反射速率及回傳能量不同的特性來進行分析，當超音波遇到不同材料的接合介面時，訊號會部分反射及部分穿透，但當超音波遇到空氣（空隙）介面時，訊號則會 100% 反射，機台就會接收這些訊號組成影像。
在背照式（BSI）與堆疊式（Stacked）CIS 製程中晶圓與晶圓對接（bonding）製程中，SAT 可作為偵測晶圓與晶圓之間接合不良造成存在空隙的重要利器（圖八）。
半導體堆疊技術的蓬勃發展，加上人們對影像感測器在消費性電子、車用電子、安控系統等應用，功能需求大幅度增加，CIS 未來將繼續進化，無論是晶圓級對接的製程穩定度分析，或是堆疊式（Stacked）CIS 故障分析，都可以透過宜特實驗室豐富的分析手法，與一站式整合服務精準地分析、加速產品開發、改善產品品質。
路易．雅克．馬克．達蓋爾（Louis-Jacques-Mandé Daguerre），1787 年 11 月 18 日−1851 年 7 月 1 日。
記錄下真實的影像，將彼時的美好場景長久留存——攝影技術，載著人類幾千年來如夢幻般的希冀越走越遠，一步步幫我們達成所願。
達蓋爾出生於法國，學過建築、戲劇設計和全景繪畫，在舞台幻境製作領域聲譽卓著。 1839 年，他宣布達蓋爾攝影法獲得了圓滿成功，從此，作為攝影術的最後一個發明人，他便以銀版攝影法發明者的身份為後人所知。
一九四五年八月十四日傍晚，日本無條件投降的消息傳到美國，整個美國都沸騰了，紐約的人們紛紛湧向時代廣場慶賀戰爭的結束。一位海軍士兵難以抑制自己喜悅的心情，摟住路過的一位護士小姐就親吻起來。
這個場景被當時在場的兩位記者捕捉到了，他們用手邊的徠卡相機記錄下這一令人難忘的歷史性時刻。一張照片的表達力勝過千言萬語。在人類付出了近一億人的生命代價之後，和平終於再次回到了這個世界上，這種發自內心的喜悅是難以用文字形容的。
時過境遷，今天我們大多數人雖然沒有經歷過那場戰爭，但依然能從這些精彩的照片中深刻地體會到當時人們狂喜的心情。
世界上的任何事情，只要發生過，就會留下或多或少的痕跡。對於這些痕跡的記錄，以前只有筆。雖然也有繪畫，但是繪畫無法在瞬間完成，因此很多描繪歷史性大事件的名畫，都是畫家後來參考文字記載，然後憑藉著想像而創作的。那些畫作再現了當時人們所能夠看到的一些視覺資訊，畫家也難免會按照自我意願對資訊內容進行添加或者刪改。
比如，反映美國獨立戰爭最著名的油畫《華盛頓橫渡特拉華河》，就有多處和歷史事實不一致。比如，華盛頓身邊的門羅（美國第五任總統）當時根本就不在船上，甚至畫作中還出現了當時並不存在的星條旗。這些都是畫家在半個多世紀後憑自己的想像加進去的，這種人為因素，讓繪畫很難做到真實地記錄歷史事實。
要做到對真實畫面的記錄，就需要發明一種儀器來自動進行記錄，而不是人們主觀地進行繪製，這種儀器就是我們今天所說的照相機。當然，要想得到照片，光有照相機是遠遠不夠的，還需要一整套工藝將照片處理沖洗出來。這一整套的工藝流程，被稱為攝影術（照相術）。
今天，法國科學院確認的攝影術發明人是法國藝術家路易．雅克．馬克．達蓋爾（Louis-Jacques-Mandé Daguerre）。和很多重大發明的榮譽給予了最後一個發明人一樣，達蓋爾是攝影術的最後一個發明人，而非第一個。在他之前另一名法國人涅普斯（Joseph Nicéphore Nièpce）已經在一八二六年拍攝出一張永久性的照片，但是涅普斯使用的裝置與後續處理技術和後來大家普遍使用的攝影術，沒有什麼關係。
再往前，針孔成像的原理在中國古代的《墨子》中就有了相關記載，但是我們顯然無法把發明攝影術的功勞給予墨子。達蓋爾和前人不同的是，他不是設法得到一張照片，而是發明了一整套設備和一系列工藝流程，這就使得我們能夠通過攝影術記錄下真實的場景資訊，並且能夠以照片的形式完美地呈現出來。
達蓋爾發明攝影術，並不僅僅為了記錄資訊，而是為了能夠取代當時十分流行的肖像油畫。達蓋爾本人是一位非常著名的建築設計師和全景畫家，他發明了建築繪圖的全景透視法，也就是從兩個（或多個）視角來觀察一個三維的物件（比如一棟大樓），然後將它畫在同一個畫面中。
這和布魯內萊斯基所發明的單點透視法不同。當時畫一幅油畫要花很長時間，如果要在戶外繪畫，更是一件十分困難和艱苦的事情，因為人們還沒有發明出牙膏管裝的油畫顏料，一罐罐的顏料既不好攜帶，也不便於保存。
因此，達蓋爾想，如果能夠發明一種方法自動將所看到的圖像「畫」下來，這樣可以省去一筆一筆畫油畫的麻煩。
當得知涅普斯用很複雜的方法得到了一張可以永久保存的照片後，達蓋爾就找到他決定一起合作研製攝影術。涅普斯則看中了達蓋爾在繪畫界的巨大影響力，作為出版商的他希望能夠借此賣出更多的畫冊，於是十分爽快地答應了。雖然一開始兩個人是各取所需，目的不同，但是因為目標一致，合作也算順暢。
然而不幸的是，當時已經六十四歲高齡的涅普斯沒幾年就去世了，而他們在攝影術方面的研究才剛剛開始。接下來，達蓋爾只好自己一個人繼續摸索研究。
涅普斯最早是用瀝青作為感光材料。因為瀝青在強光的照耀下會逐漸變硬，這樣就能夠把攝影物件的輪廓迅速地描下來，但這樣照相至少要在陽光下曝光幾個小時甚至長達幾天。
一個偶然的機會，達蓋爾瞭解到一百多年前化學家所發現的銀鹽具有感光的特點，將銀鍍在銅版上，然後在碘蒸氣中形成一層碘化銀，碘化銀在感光後就會在銅版上留下影像。這和後來膠捲上塗溴化銀的原理是一樣的。達蓋爾用這種方法將原來涅普斯需要幾個小時才能完成的曝光過程縮短到了幾十分鐘，後來又縮短到幾分鐘。
一八三八年末（或者一八三九年初），達蓋爾將他的照相機擺在自己家的視窗，拍了一張街景照片——《坦普爾大街街景》。
這張照片拍攝得非常清晰。達蓋爾在處理完照片後，極其興奮地對人們說：「我抓住了光，我捕捉到了它的飛行！」他的這個說法非常形象化，這是人類第一次發明實用的、以圖片方式記錄現實景象的技術。
在這張照片中，這條大道顯得非常寂靜，實際上達蓋爾拍照時，大道上車水馬龍，人來人往，熙熙攘攘，非常繁華。照片之所以沒有能夠記錄下這些人和車輛是因為曝光的時間長達十分鐘之久，移動的人和車輛只能留下淡淡的陰影。當時摩斯看到照片中的巴黎街頭居然沒有人，感到非常吃驚。
今天的攝影家依然採用這種長時間曝光的手法來濾除鬧市中過多的閒人。不過如果你仔細觀察這張照片，就會在左下角發現一個擦皮鞋的人，由於他一直站在那裡不動，因此被拍了進去。這個人成為被攝影術記錄下來的第一個人。
從一七一七年德國人舒爾策（Johann Heinrich Schulze）發現銀鹽的感光效果，到達蓋爾用這種原理記錄下影像，中間經過了一個多世紀的時間。為什麼在這麼長的時間裡沒有人想到用銀鹽感光的性質來記錄影像？
因為這項技術雖然原理並不複雜，但是要變成一個可以記錄影像的工藝過程卻不是那麼簡單。銀鹽感光背後的原因是它們在光照下會分解，其中的銀會以細微的粉末狀出現，這就是人們在感光銅版上看到的黑色部分。但是這些銀粉一碰就掉，不可能形成一張能永久保存的照片。而且由於被感光部分是黑色的，未被感光的部分是白色的，和我們眼睛所看到的景物亮度正好相反（它們也被稱為負片），所以我們難以直接欣賞，還需要想辦法把它還原成我們肉眼所習慣看到的照片。
這個記錄和還原圖像的過程有很多環節而且非常複雜。
達蓋爾最為了不起的地方，就在於他不只簡單發現了一種記錄圖像的現象，或者一個照相機，而是發明了一整套記錄圖像資訊的工藝過程。特別是在成像之後需要用水銀和食鹽在銅版底片上進行顯影和定影。這個過程有很多複雜的技術難題，都被達蓋爾成功地解決了。
今天「銀版攝影術」（又稱為達蓋爾銀版法）一詞，就是以他的名字命名的。
延伸閱讀：第四種元素：銀 —《改變世界的七種元素》
——本文摘自《資訊大歷史：人類如何消除對未知的不確定》，2022 年 6 月，漫遊者文化，未經同意請勿轉載。
A 編按：看到浴室中黑黑的黴菌，總是忍不住想要刷他。但我一直有一個疑問，每天洗澡我都會順便沖浴室，也會開抽風維持浴室乾燥，為什麼浴室還會有黑黑的黴菌呢？
《用科學拯救怦然崩潰的髒亂，這樣的掃除你洗翻嗎？》專題用科學終結浴室髒亂的神秘面紗，剖析浴室中細菌與黴菌的孳生與藏匿點，以及它們真的會對我們的健康帶來危害嗎？
又到了一年的尾聲了，除舊佈新，好好整理家裡是必要的。在潮濕的冬季，最擔心滋生細菌、黴菌的地方就是浴室了。除了平常利用抽風機、除濕機、對外窗空氣流通，保持浴室基本的乾燥外，在年末的大掃除時間，還需要徹底清潔才能保持乾淨，但要從哪裡清，又該怎麼做才能夠清潔乾淨呢？
在過往研究中，曾藉由監測浴室角落中的類大腸桿菌群、大腸菌群及 HPC 細菌，來了解浴室各處被細菌汙染的程度，這些地方包含洗手台排水孔、水龍頭把手、馬桶沖水把手、馬桶的上下表面、馬桶周圍的地板及淋浴排水孔。
你可能會想馬桶周圍的細菌數量會比較多，但檢測的菌落數值卻發現，洗手台的排水孔以及淋浴的排水孔，才是含有較高的細菌量。而浴室洗手台檯面及馬桶坐墊則檢測到的菌量較少。下次打掃浴室的時候，記得要多注意排水孔的清潔阿！
有些廁所會配置自動烘手機或烘乾機，藉由機器吹出來的風，讓手可以快速乾燥，不再有大量水滴殘留。然而，這些吹出來的風不只能烘乾手部，也會把細菌吹到手上！而這些細菌很可能會透過雙手，跑到家中的其他地方。
研究顯示，光是將培養盤放置在烘乾機前 30 秒，就可以長出 18~60 個菌落。但若是在自動烘手機未使用的情況下，讓培養盤暴露在浴室空氣中約 2 分鐘，只會長出約莫 1 個菌落。這說明在自動烘手機的使用過程中，會將細菌、病原菌，甚至是真菌的孢子，透過烘手機的風散播到使用者的雙手。
不過，該篇研究也檢測了乾手機噴嘴的內部，發現細菌含量極低，這表示烘手機內部並沒有太多細菌。那麼，手上的細菌到底從何而來呢？
將乾手機的數據透過氣流模式與暴露時間的修正後，發現乾手機跟電扇的空氣對流，其細菌沉積方式在培養盤上是雷同的！因此，這些細菌很可能是原本浴室空氣中就存在的細菌。
A 編按：感謝 L.H 的補充，本篇文章中所引用的文獻，並沒有表明烘手機內部有大量的細菌存在，也認為手上的細菌可能是浴室空氣中原本就有的細菌，想知道更多相關資訊，也可以看看 L.H 的長評喔！
前陣子有傳言指出沖馬桶時若不加蓋，會導致排泄物的細菌到處紛飛，可能會黏附在牙刷、毛巾等浴室的用具。的確，馬桶沖水時，除了可以帶走馬桶裡的排泄物，也可能會促使排泄物中的結核桿菌、幽門桿菌、大腸桿菌等細菌，藉由沖水捲起的氣流向外傳播，跟著水滴一起沾附在馬桶周緣，或是懸浮在空氣中，使細菌傳播到其他地方。
不過，隨著馬桶設計的改良，沖馬桶時會向外濺出的水量，已大幅減少，排泄物停留在馬桶的時間也縮短許多。相關研究也指出，這些可能濺出或是噴出的菌量，其實大多都不到可致病的程度。先前的研究也發現，若是將培養皿放置於浴室的牆壁及浴缸，其培養皿長菌比例各是 5% 及 20%，而這些長菌量亦包含原本就存於空氣中的細菌。因此，對於沖馬桶時所造成細菌傳播可不用太擔心，加蓋與否可視個人習慣，定期清潔馬桶及周圍環境才是最重要的。
先前的研究發現，透過大腸桿菌 (Escherichia coli) 的研究，在高 pH 值下，大腸桿菌可以快速地致死。在完全乾燥的環境，也可以使大腸桿菌致死，但需要花費較長的時間。若是使用高溫殺菌的方法，則需使溫度維持在 121-134℃，才能有效使殺死細菌。
因此，提高環境的 pH 值是最有效迅速減少細菌的方法。可使用 pH 值較高的清潔劑或適量的小蘇打粉或是漂白水或次氯酸鹽類來刷洗浴室的地板、洗手台及馬桶等等。漂白水或次氯酸鹽類的產品有一定的腐蝕性及刺激性，須先進行稀釋並小心使用。
除了無形的細菌殺手外，那些微小的黴菌也是浴室的常客。
黴菌，是絲狀真菌的俗稱，適合生長在 20 多度、濕度 80% 以上的環境。黴菌的孢子非常小，約為 5 微米 (0.005 毫米)，透過水、氣流等媒介黏附在任何環境中。
雖然黴菌的大小是肉眼無法看見的，當我們感受到「長黴菌了」或是「發霉了」，其實已是成千上萬的黴菌大軍聚集，這些黴菌大軍會透過菌絲不斷延伸領地的，特別是在浴室這個高濕度、溫暖的場域，更是黴菌的溫床。
黴菌特別喜愛濕度高的場所，可以促使他們快速生長，需至濕度30%以下，黴菌才會開始死亡。所以每日使用完浴室，請記得使用刮水器（T 字型橡膠材質的打掃用具）、用拖把把地板的積水吸乾，以及打開除濕機或是窗戶，讓環境保持通風。除此之外，切記不要使用溫熱水清掃浴室，因為溫熱的環境反而會促進黴菌生長。
黴菌會以有機小分子為食，意味著任何曾經存在、存活著的粒子，例如：髒汙、脫落的皮屑、灰塵、頭髮、棉花等。還有可能會被忽略的——肥皂。
肥皂也是黴菌的食物，如果洗澡或打掃時沒有把肥皂沖乾淨，會讓浴室的磁磚容易發霉。
因此，浴室除了需要保持乾燥之外，還需定期清掃維持整潔。
將漂白劑與冷水用 1:10 的方式稀釋使用，清潔表面。稀釋混合後的漂白水應立即使用，不要放在架子上。
若環境許可，在使用完浴室後，也可以打開窗戶，讓陽光照入。陽光中的紫外線可以殺死部份真菌的孢子，防止黴菌繼續傳播。也可使用耐黴菌的油漆或塗料，防止表面被黴菌滲入。
雖然浴室的各個小角落，都散布著許許多多細菌或是黴菌。約翰．霍普金斯大學健康安全中心的傳染病醫師阿米什．艾達佳 (Amesh Adalja) 博士則表示浴室裡的細菌大多不會對人體造成嚴重的傷害，甚至可能也與人體皮膚表面存在的菌落相似。
在生活中，人體無時無刻都暴露在細菌的環境中，不避過多擔心細菌的數量，僅需特別注意在吃東西前務必洗淨雙手，別讓那些會致病的大腸桿菌、黃金葡萄球菌進到肚子裡的。而在這個新冠病毒肆虐的時期裡，用肥皂將手洗乾淨，隨身攜帶酒精瓶，不只是避免自己吃壞肚子，更是防止雙手成為破口，讓病毒自己的雙手悄悄進入身體裡。
有力氣的女子
L.H
JJ
