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揭密突破製程極限的關鍵技術——原子層沉積

鳥苷三磷酸 (PanSci Promo)_96
・2024/08/30 ・3409字 ・閱讀時間約 7 分鐘

本文由 ASM 委託,泛科學企劃執行。 

以人類現在的科技,我們能精準打造出每一面牆只有原子厚度的房子嗎?在半導體的世界,我們做到了!

如果將半導體製程比喻為蓋房子,「薄膜製程」就像是在晶片上堆砌層層疊疊的磚塊,透過「微影製程」映照出房間布局 — 也就是電路,再經過蝕刻步驟雕出一格格的房間 — 電晶體,最終形成我們熟悉的晶片。為了打造出效能更強大的晶片,我們必須在晶片這棟「房子」大小不變的情況下,塞進更多如同「房間」的電晶體。

因此,半導體產業內的各家大廠不斷拿出壓箱寶,一下發展環繞式閘極、3D封裝等新設計。一下引入極紫外曝光機,來刻出更微小的電路。但別忘記,要做出這些複雜的設計,你都要先有好的基底,也就是要先能在晶圓上沉積出一層層只有數層原子厚度的材料。

現在,這道薄膜製程成了電晶體微縮的一大關鍵。原子是物質組成的基本單位,直徑約0.1奈米,等於一根頭髮一百萬分之一的寬度。我們該怎麼精準地做出最薄只有原子厚度,而且還要長得非常均勻的薄膜,例如說3奈米就必須是3奈米,不能多也不能少?

這唯一的方法就是原子層沉積技術(ALD,Atomic Layer Deposition)。

蓋房子的第一步是什麼?沒錯,就是畫設計圖。只不過,在半導體的世界裡,我們不需要大興土木,就能將複雜的電路設計圖直接印到晶圓沉積的材料上,形成錯綜複雜的電路 — 這就是晶片製造的最重要的一環「微影製程」。

首先,工程師會在晶圓上製造二氧化矽或氮化矽絕緣層,進行第一次沉積,放上我們想要的材料。接著,為了在這層材料上雕出我們想要的電路圖案,會再塗上光阻劑,並且透過「曝光」,讓光阻劑只留下我們要的圖案。一次的循環完成後,就會換個材料,重複沉積、曝光、蝕刻的流程,這就像蓋房子一樣,由下而上,蓋出每個樓層,最後建成摩天大樓。

薄膜沉積是關鍵第一步,基底的品質決定晶片的穩定性。但你知道嗎?不只是堆砌磚塊有很多種方式,薄膜沉積也有多樣化的選擇!在「薄膜製程」中,材料學家開發了許多種選擇來處理這項任務。薄膜製程大致可分為物理和化學兩類,物理的薄膜製程包括蒸鍍、濺鍍、離子鍍、物理氣相沉積、脈衝雷射沉積、分子束磊晶等方式。化學的薄膜製程包括化學氣相沉積、化學液相沉積等方式。不同材料和溫度條件會選擇不同的方法。

二氧化矽、碳化矽、氮化矽這些半導體材料,特別適合使用化學氣相沉積法(CVD, Chemical Vapor Deposition)。CVD 的過程也不難,氫氣、氬氣這些用來攜帶原料的「載氣」,會帶著要參與反應的氣體或原料蒸氣進入反應室。當兩種以上的原料在此混和,便會在已被加熱的目標基材上產生化學反應,逐漸在晶圓表面上長出我們的目標材料。

如果我們想增強半導體晶片的工作效能呢?那麼你會需要 CVD 衍生的磊晶(Epitaxy)技術!磊晶的過程就像是在為房子打「地基」,只不過這個地基的每一個「磚塊」只有原子或分子大小。透過磊晶,我們能在矽晶圓上長出一層完美的矽晶體基底層,並確保這兩層矽的晶格大小一致且工整對齊,這樣我們建造出來的摩天大樓就有最穩固、扎實的基礎。磊晶技術的精度也是各公司技術的重點。

雖然 CVD 是我們最常見的薄膜沉積技術,但隨著摩爾定律的推進,發展 3D、複雜結構的電晶體構造,薄膜也開始需要順著結構彎曲,並且追求精度更高、更一致的品質。這時 CVD 就顯得力有未逮。

並不是說 CVD 不能用,實際上,不管是 CVD 還是其他薄膜製程技術,在半導體製程中仍占有重要地位。但重點是,隨著更小的半導體節點競爭愈發激烈,電晶體的設計也開始如下圖演變。

圖/Shutterstock

看出來差別了嗎?沒錯,就是構造越變越複雜!這根本是對薄膜沉積技術的一大考驗。

舉例來說,如果要用 CVD 技術在如此複雜的結構上沉積材料,就會出現像是清洗杯子底部時,有些地方沾不太到洗碗精的狀況。如果一口氣加大洗碗精的用量,雖然對杯子來說沒事,但對半導體來說,那些最靠近表層的地方,就會長出明顯比其他地方厚的材料。

該怎麼解決這個問題呢?

CVD 容易在複雜結構出現薄膜厚度不均的問題。圖/ASM

材料學家的思路是,要找到一種方法,讓這層薄膜長到特定厚度時就停止繼續生長,這樣就能確保各處的薄膜厚度均勻。這種方法稱為 ALD,原子層沉積,顧名思義,以原子層為單位進行沉積。其實,ALD 就是 CVD 的改良版,最大的差異在所選用的化學氣體前驅物有著顯著的「自我侷限現象」,讓我們可以精準控制每次都只鋪上一層原子的厚度,並且將一步驟的反應拆為兩步驟。

在 ALD 的第一階段,我們先注入含有 A 成分的前驅物與基板表面反應。在這一步,要確保前驅物只會與基板產生反應,而不會不斷疊加,這樣,形成的薄膜,就絕對只有一層原子的厚度。反應會隨著表面空間的飽和而逐漸停止,這就稱為自我侷限現象。此時,我們可以通入惰性氣體將多餘的前驅物和副產物去除。在第二階段,我們再注入含有 B 成分的化學氣體,與早已附著在基材上的 A 成分反應,合成為我們的目標材料。

透過交替特殊氣體分子注入與多餘氣體分子去除的化學循環反應,將材料一層一層均勻包覆在關鍵零組件表面,每次沉積一個原子層的薄膜,我們就能實現極為精準的表面控制。

你知道 ALD 領域的龍頭廠商是誰嗎?這個隱形冠軍就是 ASM!ASM 是一家擁有 50 年歷史的全球領先半導體設備製造廠商,自 1968 年,Arthur del Prado 於荷蘭創立 ASM 以來,ASM 一直都致力於推進半導體製程先進技術。2007 年,ASM 的產品 Pulsar ALD 更是成為首個運用在量產高介電常數金屬閘極邏輯裝置的沉積設備。至今 ASM 不僅在 ALD 市場佔有超過 55% 的市佔率,也在 PECVD、磊晶等領域有著舉足輕重的重要性。

ASM 一直持續在快速成長,現在在北美、歐洲、及亞洲等地都設有技術研發與製造中心,營運據點廣布於全球 15 個地區。ASM 也很看重有「矽島」之稱的台灣市場,目前已在台灣深耕 18 年,於新竹、台中、林口、台南皆設有辦公室,並且在 2023 年於南科設立培訓中心,高雄辦公室也將於今年年底開幕!

當然,ALD 也不是薄膜製程的終點。

ASM 是一家擁有 50 年歷史的全球領先半導體設備製造廠商。圖/ASM

最後,ASM 即將出席由國際半導體產業協會主辦的 SEMICON Taiwan 策略材料高峰論壇和人才培育論壇,就在 9 月 5 號的南港展覽館。如果你想掌握半導體產業的最新趨勢,絕對不能錯過!

圖片來源/ASM

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矽光子量產在即,但20年的老規範還能測CPO嗎?
宜特科技_96
・2026/07/01 ・3467字 ・閱讀時間約 7 分鐘

本文轉載自宜特小學堂〈矽光子可靠度驗證該依循哪個規範?當老規範GR-468遇上新科技,系統如何順利Bring-up?〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

台積電在 2026 年技術論壇中明確指出,隨著製程邁入 2 奈米奈米片(Nanosheet)時代,AI 算力的延續必須仰賴《晶片版三層蛋糕論》,涵蓋運算、異質整合與 3D IC,以及最關鍵的「光子(Photonics)」。誠如台積電高層所言:「談到運算能力,電子無可匹敵;但談到訊號傳輸,光子則更勝一籌 。」

未來資料中心的傳輸勢必由電子轉向光學,而台積電的矽光子先進封裝平台 COUPE(緊湊型通用光子引擎,Compact Universal Photonic Engine) 也已搭載到基板上,並宣告今年將進入量產階段。NVIDIA、Intel、Broadcom 等大廠也爭相搶進 CPO(Co-Packaged Optics,共同封裝光學)賽道。

然而,當光電元件從「獨立模組」轉向「高度整合」的晶片封裝時,可靠度驗證的複雜度已不可同日而語。

面對工程師最常問的:「那規範在哪裡?」


實務上,目前業界針對 CPO 或矽光子產品還沒有單一且完全專屬的標準,最權威的依據仍是經典的 Telcordia GR-468。但在高度整合的趨勢下,這套傳統驗證邏輯正迎來前所未有的挑戰。

之前我們已從矽光子元件組成與決定效能的關鍵(閱讀更多:「光」革新突破半導體極限 矽光子晶片即將上陣),進而分享對應的解決方案(閱讀更多:矽光子開發遇到什麼瓶頸?),以及如何突破矽光子量產的核心難關(閱讀更多:矽光子CPO量產見曙光!從「漏電」到「漏光」如何迎刃而解?)。

亦針對光子積體電路(PIC)的五大關鍵部件,詳細剖析其常見故障模式(閱讀更多:為什麼 AI 晶片需要「光」?拯救超貴晶片的「矽光子眼科醫生」大解密!)。
本文將從光通訊規範 Telcordia GR-468 的角度,分享如何終端系統應用,回推到模組、元件與製程層級,矽光子系統如何順利 Bring-Up(啟動調試)與量產導入。

一、Telcordia GR-468 究竟是什麼規範?還堪用嗎?

電信級 Telcordia GR-468 是由通訊權威機構 Telcordia Technologies (前身為為美國貝爾通訊研究公司 Bellcore)於 2004 年釋出的核心規範(GR-468-CORE)。儘管它問世已久,但其嚴謹的測試架構,至今仍是全球矽光子元件進入 AI 伺服器供應鏈時,最被系統客戶採用的可靠度驗證依據。

Telcordia GR-468 這項規範的核心價值在於其「跨領域的覆蓋力」

(一) 涵蓋完整光電鏈:包含雷射二極體(Laser Diode,簡稱 LD)、光電二極體(Photodiode,簡稱 PD)、電吸收調變器(Electro-Absorption Modulator,簡稱 EA Modulator)和 LED 等相關光電元件。

(二) 封裝層級延伸:GR-468 依「組裝完成度」將待測物分為多個封裝層級(Assembly Level),測試對象可從晶圓到單一晶片,延伸至次模組,仍至整顆光模組,從不同層級對應不同測試條件與驗證深度。

GR-468規範示意圖,從晶圓到最終整合模組的完整生命週期,可分為五個驗證階梯。
GR-468規範示意圖,從晶圓到最終整合模組的完整生命週期,可分為五個驗證階梯。圖/宜特科技AI輔助生成製作。

(三) 環境模擬:GR-468 規範嚴格區分機房溫控環境(Central Office,簡稱 CO)與戶外無空調環境(Uncontrolled Environment,簡稱 UNC),不同環境對應不同溫度範圍與應力條件,讓驗證條件貼近真實系統場景,這正是系統端最在意、也最容易在早期被低估的風險來源。


例如,應用於資料中心機房的設備,長期處於溫控環境,溫度與濕度波動小,應力條件相對溫和,驗證重點在於長時間的穩定運作。而隨著 AI 應用場域的擴張,例如:馬斯克計畫將 AI 運算中心送入外太空,若設備處於戶外或無空調環境(Uncontrolled Environment, UNC),將面臨劇烈的溫度波動、濕熱與高環境應力,極端溫差將嚴苛考驗封裝材質與光學對位的穩定度。

(四) 定性與定量並重:Telcordia GR-468 除了可藉由「定性測試(Qualitative Tests)」判別是否符合規範(Pass 或 Fail)、是否可量產導入,亦可透過「定量測試(Quantitative Tests/ Aging Tests)」進行壽命推估(EOL)、可靠度模型建立與系統設計優化。

GR-468 兼顧定性和定量測試,不只可判別是否可量產導入,亦可推估出系統壽命。
GR-468 兼顧定性和定量測試,不只可判別是否可量產導入,亦可推估出系統壽命。圖/宜特科技AI輔助生成製作。

以上這些 Telcordia GR-468 的設計,讓可靠度驗證能隨產品成熟度逐步展開,非常符合矽光子系統 Bring-Up 與量產導入節奏。

二、為什麼矽光子元件跑完規範,系統還是掛了?

看來 GR-468 規範仍然寶刀未老,但為何在實際應用中,許多跑完規範的矽光子系統仍無法順利運作呢?
宜特觀察發現,即便產品通過了 GR-468 規範中的環境應力測試,開發者在系統 Bring-up 或長期運作時,依然會頻繁遭遇莫名的訊號衰減。

這是因為在 CPO 架構下,光、電、熱、機械四者間的交互影響極其複雜。傳統「通過/不通過(Pass/Fail)」的判定邏輯,已不足以偵測高度整合後產生的深層失效模式。

以下是矽光子走向系統整合時,最令工程師頭痛的兩大硬傷:

(一) 熱力學矛盾與 ELS(外置光源)的妥協:

負責核心運算的 GPU(圖形處理器)屬於高功耗熱源,運作溫度動輒攀升至 100°C,這與對熱極度敏感、工作溫度需壓制在 70°C 以下的光傳輸元件(雷射光源)產生了嚴重的熱力學矛盾。雷射光源受熱會導致啟動閾值電流指數型增加、波長變長(紅移),並加速元件內部缺陷擴散而縮短壽命。

為了化解這項矛盾,業界傾向 ELS(External Laser Source,外置光源),將雷射光源像電池一樣外掛。但這衍生了以下風險 :

1. 高功率運作的老化(Aging under High Power):

ELS 需供應極高光功率給多個矽光引擎,雷射在極高驅動電流下運作,內部的晶格缺陷會隨時間與高溫擴大,形成「暗線缺陷(Dark Line Defects)」,導致發光效率劇降。

宜特建議可執行HTOL(高溫操作老化測試)。在 85°C 或更高溫下持續通電數千小時,觀察光功率衰退曲線,以推算出產品是否能支撐 10 年以上的系統壽命。

2. 連接介面的脆弱性:

ELS 增加了連接介面,保偏光纖(PM Fiber)的過度凹折,或是接頭沾染微塵、插拔產生機械微裂痕,都會導致插入損耗(IL)升高,成為系統潛在的故障點。

(二) 異質整合的「應力」拉扯(CTE Mismatch,熱膨脹係數失配):

矽光子晶片內含矽、三五族化合物、玻璃光纖與金屬,這些材料受熱後的膨脹程度(CTE)差異極大。例如矽晶片(2.6)與 PCB 板(15)甚至 UV 光學膠(50~100)之間巨大的應力差,在發熱時會產生劇烈拉扯:

1. 次微米級的對位挑戰:

光纖陣列(FA)與矽光晶片耦合時,對位精度要求在次微米級。一旦受熱產生Warpage(翹曲)或應力拉扯,輕則光路偏移,重則導致結構 Delamination(剝離)。
宜特建議可透過 TC(溫度循環測試)。在 -40°C 到 +85°C 之間劇烈變換,確認光學膠是否裂開,並嚴格監控 IL(插入損耗)是否超標,而非僅看元件是否能通電。

2. 膠材劣化與水氣滲透:

高溫高濕環境會導致固定用的 UV Epoxy(光學膠)發生老化、膨脹或潛變,直接造成訊號損失。
宜特建議可執行 THB(溫濕度偏壓測試,即85/85測試)。在 85°C/85% RH 環境下施加電壓 1000 小時以上,確保膠材在極端環境下的結構強韌度。

隨著矽光子與 CPO 架構的快速發展,可靠度驗證不該只是為了拿一張合格證書,而是要支撐系統長期的穩定運作。


目前的 Telcordia GR-468 規範環境要求, 主要分成機房溫控環境(簡稱 CO)與戶外無空調環境(簡稱 UNC),但在光通訊業者對故障經驗實務累積下, 以及未來更嚴苛的 AI 運算環境(例如太空軌道資料中心)需求下,現有標準已漸顯不足,IPEC 協會 2025 年可靠度執行協議針對光模組納入抗硫化、鹽霧、落塵等更嚴苛的環境測試,以滿足對可靠度的極致要求,相關供應鏈必須及早做好準備。

本文出自 www.istgroup.com

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車用晶片要求超嚴格!沒有工廠的IC設計公司,該怎麼讓一線車廠點頭買單?
宜特科技_96
・2026/06/26 ・3664字 ・閱讀時間約 7 分鐘

想打入熱門的車用半導體供應鏈,對沒有自家晶圓廠的 IC 設計公司來說,最大的挑戰就是:如何向一線車廠證明自家的晶片具備零缺陷(Zero Defect)的頂級品質?答案就藏在 AEC-Q004 車用零缺陷框架裡!只要掌握這套品質管理核心,沒晶圓廠也能脫穎而出,順利拿到進軍車用供應鏈的黃金門票。

本文轉載自宜特小學堂〈 IC設計如何進入車廠供應鏈?一次搞懂 AEC-Q004 車用零缺陷框架〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

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近年來,車用半導體市場熱度持續發燒,許多 IC 設計業者(Fabless)都想搶攻這塊大餅。然而,在傳統消費型電子中,設計歸設計、製造歸製造。但在車用晶片(Automotive IC)領域,一點點微小的瑕疵(Defect)都可能導致嚴重的安全事故,跨入車規市場的門檻可說極高。

自 2018 年起,以 BMW、Volkswagen、Audi 為首的歐系車廠開始積極推動「零缺陷(Zero Defect)」理念,要求半導體供應鏈從設計、製造到測試皆須以風險思維貫穿。Tier 1 供應商與車廠OEM(Original Equipment Manufacturer,原始設備製造商)對產品可靠度與異常回覆速度的要求亦不斷提升,車用晶片不僅要能滿足長達 15 年(或約 1 萬小時以上)的壽命要求與 -40°C 至 +125°C 的極端溫度考驗,還需應對嚴格的外包供應鏈追蹤與客戶稽核。

具備設計與製造一條龍能力的 IDM(Integrated Device Manufacturer,整合半導體元件製造商),因擁有自家晶圓廠,通常已取得IATF 16949 這張認證,也就是進入汽車供應鏈的「門票」;但對於沒有晶圓廠的 IC 設計業者(Fabless)來說,在缺乏自有製程的情況下,該如何向車廠證明自己的產品具備車規級的零缺陷品質呢?

這時候,AEC-Q004《Automotive Zero Defect Framework》(車用零缺陷框架)就是幫助大家順利通關的終極武器!它可解決「設計和製造溝通斷層」的問題,讓供應鏈上下游能用同一套邏輯說話。本文將帶大家搞懂,如何透過 AEC-Q004 的框架,在產品交付給客戶前,把所有潛在的失效因子通通攔截下來。讓 IC 設計公司能從「被動應付測試」轉向「主動品質管理」,正式從消費級晶片商升格為車規級供應商。

自 2018 年起,歐系大車廠(如 BMW、Volkswagen、Audi)開始強力推動零缺陷(Zero Defect)的品質文化。為了具體落實這個目標,AEC 在 2020 年發布了 AEC-Q004。
AEC-Q004 並非用來取代既有標準,而是作為 AEC-Q100 等車用元件可靠度驗證標準的延伸品質指南,用以補強車用半導體在量產階段(Production Phase)的 Zero Defect 管理機制。

在實務上, AEC-Q004 常與下列體系共同運作:AEC-Q100 / Q101 / Q102(元件可靠度驗證)、IATF 16949(汽車供應鏈品質管理系統)、ISO 26262(功能安全要求)(衍生閱讀:了解三大面向,順利取得IATF 16949汽車品質管理系統證書最新車規AEC-Q100改版速讀 揭示車用晶片可靠度驗證關鍵

AEC-Q004 Zero Defect 六大管理面向。圖/宜特科技


AEC-Q004將車廠極度要求的「零缺陷」文化,具體化為好懂的「六大管理面向(industry interpretation)」,包含:設計防錯、外包製程監督、測試與良率分析、應用程度評估、持續改善,以及問題解決。這六大管理面向能對應到 IATF 16949 的核心工具(如 FMEA、SPC、PPAP 等),成功消除了「設計端」與「製造端」之間的斷層。(衍生閱讀:車規最新 探索AEC-Q004零缺陷的世界

彙整 AEC-Q004 六大管理面向與 IATF16949 核心工具之對應關係。圖/宜特科技

宜特科技指出,AEC-Q004 的「統計防錯」基礎也跨度整合了 AEC-Q001 (Part Average Testing, PAT) 與 AEC-Q002 (Statistical Yield Analysis) 兩項核心規範,用來過濾異常樣本(Outlier)與管控異常良率批次(SYL、SBL),確保隱性不良品不會流入車廠。

有了這套標準,再加上 ASP 外包治理機制,即使是沒有自有工廠的 IC 設計業者(Fabless),也能無縫對接代工廠(Foundry)與封測廠(OSAT)。宜特
專家團隊認為,這不僅能確實滿足車規嚴苛的壽命與可靠度要求,更能帶領企業穩健邁向系統化的零缺陷管理。

AEC-Q004 零缺陷實施架構。圖表的左半邊(產品設計階段)做得愈紮實,右半邊(預防失效)的成效就愈顯著。圖/AEC-Q004

(一) 三層防錯架構:

根據我們的實務驗證經驗,AEC-Q004 為了將零缺陷管理從設計端一路延伸至量產與改善階段,特別將六大管理面向(industry interpretation)橫向展開,並縱向打造了「三層防錯架構」,形成一個從實體特徵、電性行為到統計監控的全流程風險防控循環:

  1. 實體層(Physical):
    關注物理與結構上的控制,包含製程能力、SPC(統計製程管制)、OCAP(異常行動計畫)。
  2. 電性層(Electrical):
    確保電性行為符合預期,包含 EDS (Electrical Die Sort,晶圓針測) 與 Test Coverage(測試覆蓋率)。
  3. 統計層(Statistical):
    運用強大的數據分析抓出隱形瑕疵,包含 PAT、SBL、SYL 以及異常樣本管控(Outlier Control)。

為了讓大家更好理解這套立體的防護網,AEC 建立了一個清晰的交叉矩陣,確保六大管理面向(industry interpretation)在每個層次都能被徹底落實。

AEC-Q004 三層防線 × 六大管理面向(industry interpretation)交叉矩陣 (符號說明:● 主要關聯 / △ 次要關聯 / ○ 輔助關聯) 。圖/宜特科技

(二) 跨標準的「統計攔截失效機制」:

在這三層防線中,最核心且最具威力的就是「統計層」。簡單來說,就是透過統計數據來抓出潛在的不良品。AEC-Q004 為了有效防堵失效,特別跨度整合了 AEC-Q001 與 AEC-Q002 兩項核心規範,建立起強大的「統計防錯機制」,精準過濾異常批次與產品:

  1. PAT(Part Average Test)抓出異常樣本(Outlier):
    在同一批晶片中,即使某顆晶粒的測試數據「符合規格」,但若其電性參數 明顯偏離該批次的統計分佈(statistical distribution),仍可能被判定為 Outlier 並予以篩除。透過這種 Outlier Screening(PAT),可提前攔截可能導致早期失效(Early Failure) 的潛在不良晶粒流入車廠。
  2. SYL(Statistical Yield Limit)剔除低良率批次:
    當某批次整體的測試 bin 分佈或良率表現明顯偏離長期統計趨勢(例如低於統計下限) 時,即可能觸發 SYL (Statistical Yield Limit) 機制。這代表該批產品可能存在製程、材料或設備異常,因此必須啟動調查並可能暫停出貨,以避免潛在缺陷流入車廠。
  3. SBL(Statistical Bin Limit)調查假性高良率:
    當某個測試 bin 的比例異常增加(高於統計上限)時,可能代表測試條件設定異常、測試覆蓋率不足,或潛在缺陷未被正確篩出。此時需啟動 SBL(Statistical Bin Limit)調查,以確認是否存在測試逃逸(Test Escape)或測試條件偏移的風險。透過這套結合了實體、電性與統計攔截的「防錯機制」,半導體業者就能有效拉起防線,將不良品阻絕於車廠之外。

宜特長期觀察發現,在實務上,許多車廠會要求 Fabless IC 公司建立 Automotive Service Package(ASP),以確保代工廠(Foundry)與封測廠(OSAT)的製程與品質管理符合車用品質要求。

身為 IC 設計公司,產品需要交由代工廠(Foundry)與封測廠(OSAT)生產。為了確保代工製程符合車規的穩健性,建議業者必須依循 AEC-Q004 要求,建立完善的 ASP (Automotive Service Package) 制度。

透過設計–製造–測試的「三層防線(實體層、電性層、統計層)」,IC 設計業者可以嚴格監督外包夥伴。例如:要求代工廠的製程能力指標 Cpk 必須大於等於 1.67、強制實施 OCAP(異常行動計畫)與 PAT 統計攔截,並且簽訂車用品質協議(Automotive Quality Agreement)以釐清品質責任。

車用ASP 與商用製程差異對照表。圖/宜特科技

隨著 Tier 1 與車廠對可靠度的要求越來越高,AEC-Q004 已經成為 IC 設計業者跨入車規市場、與車廠對話的關鍵橋樑。它不僅僅是一份文件,更是一個強大的協同機制。只要掌握了這套零缺陷的通用語言,沒有晶圓廠的 IC 設計公司也能以「設計防錯、製程監督、統計防錯」三位一體的方式,成功打入車用半導體供應鏈。
我們建議往零缺陷方向努力的供應商,通過 AEC-Q100 只是起點,能通過車廠對「零缺陷」的嚴苛稽核才是真正的考驗。

本文出自 www.istgroup.com

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當完全自駕讓晶片工時暴增十倍,電子元件如何撐過「馬拉松式」的損耗考驗?
宜特科技_96
・2026/06/24 ・2494字 ・閱讀時間約 5 分鐘

人類駕駛會疲勞、需要休息,但完全自駕車卻能 24 小時在路上奔馳,對車用晶片來說,這場長達 15 年的『無間斷馬拉松』,究竟現行的晶片規範夠用嗎?如果研發出的車用晶片只需拿到 Pass 報告,卻說不出它何時會失效,這就是潛在的災難。在車用世界講求「零缺陷」的賽道上,唯有精準掌握產品『何時失效』與『為何失效』,才能守住全球車用供應鏈的最後一道防線。

本文轉載自宜特小學堂〈AEC規範沒寫的,就不用測嗎?當車用 Pass 報告已不足以拿到訂單怎麼辦?〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

邁入 2026 年,全球汽車產業正視的「Zero Defect (零缺陷)」 已不再僅是標語,而是車廠在法律責任與品牌存續間的唯一防線。隨著各國相關法規陸續將 L3-L5 級以上(指由系統監測駕駛環境的高階自動駕駛階段)的事故責任歸屬於車企(OEM),「系統失效」的成本已從單純的召回費用,演變成企業必須承擔的法律責任。

對工程師而言,最嚴峻的挑戰在於,現行的 AEC-Q 系列等通用標準,在面對 L3-L5 自動駕駛 Mission Profile(任務剖面)時已顯得捉襟見肘。

當車輛不再受限於人類駕駛的生理疲勞,實現完全自主行駛時,日運行時間可能從 2 小時拉長至 20 小時。隨之而來的是,車載半導體的工作壽命時間將是現行 AEC 規範的 4 倍或更多。

但傳統的「Pass/Fail」測試僅能保證出廠品質,要達成 Zero Defect 必須跨越傳統驗證的舒適圈。本期小學堂將從實驗室的第一線視角,解析如何在研發初期透過深層的技術驗證,跨越傳統的「Pass/Fail」測試,鋪設這條通往零缺陷的安全之路。

宜特實驗室長期觀察發現,面對先進封裝動輒數百到數千個微小接點,高達 64% 的問題其實是出現在 OSAT(委外封測代工廠)的製程中。

為了防範未然,IC 設計公司不能只看 OSAT 提供的良率報告,而是必須主動出擊,應把破壞性物理分析(DPA)作為常態性的生產監控工具。從封裝後的結構切開檢查(Cross-section),哪怕每天或每月只抽樣1到2顆晶片,都更能幫助揪出隱藏在封裝製程中因物理性缺陷所引發的失效問題,從源頭守住品質防線(閱讀更多:車用工程師惡夢!為何晶片通過ATE測試仍遭退貨?

目前 AEC-Q 規範大都要求執行 1,000 小時測試,早在 2017 年起就有國際一線車廠提出「現行AEC-Q規範已不足以應對未來真實需求」。隨著自動駕駛技術逐漸推進到 L3-L5 階段,車輛運轉時間將至少是現有規範的4倍或更多。因此,AEC-Q 規範首次以「累積失效模式」取代過去「有限時間」的測試方法,了解產品在全生命週期中的失效分布狀態。


(一) 失效累積63.2%的數據背後,核心價值是「壽命預測」

在 AEC-Q007 的板階溫度循環測試(TC Test)中,要求測試必須進行到「累積失效達63.2%」或「完成3000 個循環無失效發生」為止。進而採用韋伯分佈(Weibull Distribution)分析,以獲得產品在全生命週期中(浴缸曲線)的失效分布情形 (閱讀更多:最新 AEC-Q007 規範搶先看 車用Board Level驗證手法大公開)。
如果研發工程師的目標,僅僅是為了拿到 Pass 結案,就完全喪失了可靠度測試的初衷。做測試的真正目的,是要回答一個最核心的課題:「所開發的產品到底何時會失效?」

本圖展示了如何利用AEC-Q007規範所要求的韋伯分佈統計分析(圖中藍色帶落點斜線),來定位與預測車用元件在標準浴缸曲線(背景橘色曲線)中的失效分佈狀態。圖/宜特科技

(二) 如何透過數據精準「預測」晶片的失效期?

真正的領先者會將AEC-Q007測試得出的失效數據,帶入韋伯分佈模型進行深層分析,從中獲取以下關鍵情報:

  1. 定位浴缸曲線(Bathtub Curve)階段:
    經由韋伯分析,可取得產品特徵壽命(Characteristic life – η)和失效分布「形狀參數(Shape parameter, β)」,即可判斷產品失效是屬於製程缺陷導致的「早夭期失效」,或使用期間的「隨機失效」,還是材料自然退化所造成的「老化期失效」。若早夭期過長,代表產品存在著設計或製程問題;若老化期發生在設計壽命期內,那將是一場災難。
  2. 是否滿足任務目標需求(Mission Profile):
    從產品的「首次失效點(First Failure)」,可推算產品在多使用幾年後會出現失效,同時也可以計算出在保固期(N年)內會發生缺陷率的比例,以做為市場備料參考依據。當然,也可藉由韋伯分析結果,来確認產品是否真能滿足車廠任務目標(Mission Profile)與客戶期待。
  3. 精算安全備援(Redundancy)設計:
    對於車用系統而言,任何失效都可能危及人命。當我們能精準預測產品幾年後會壞,設計者才能計算系統需要多少顆晶片來做「冗餘(Redundancy)」設計,以確保在主系統在發生問題時,備援系統能即時接管,達到汽車運行時的絕對安全。

汽車使用年限長達 10 至 15 年,且必須在極為複雜且嚴苛的環境應力下正常運轉,除了大自然氣候環境應力外,還必須確保在長期振動與機械衝擊的環境下能正常運作。而目前 AEC-Q007 僅針對溫度循環進行要求,因此板階可靠度必須增加震動與機械衝擊試驗,才能貼近汽車電子真實所遇到的環境,不能因為標準沒有要求,而忽略去了解震動與機械衝擊試驗在板階可靠度上的關鍵影響性。

在過去,IC設計業往往側重於功能性設計(Design for function);但在汽車電子領域,可靠度設計(Design for Reliability)與可製造性(Design for Manufacturing)更為重要,同時從失效機制的角度出發,才能在「零缺陷」的賽道上逐步前進,進而贏得客戶的長期信任與訂單。

若想看完整 AEC-Q007 文件,請點此觀看。

本文出自 www.istgroup.com

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宜特科技_96
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