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晶片生病要手術 該選哪種開刀方式來做切片?

宜特科技_96
・2025/01/11 ・3133字 ・閱讀時間約 6 分鐘

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晶片結構內部有問題,想要進行切片觀察,但方式有好幾種,該如何針對樣品的屬性,選擇正確分析手法呢?

本文轉載自宜特小學堂〈 哪種 IC 切片手法 最適合我的樣品〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

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IC 設計後,在進行後續的產品功能性測試、可靠度測試(Reliability Test)或故障分析除錯(Failure Analysis & Debug)前,必須對待測試的樣品先做樣品製備(Sample preparation),透過 IC 切片方式,進行斷面/橫截面觀察(Cross-section)。此步驟在確認晶片內的金屬接線、晶片各層之間結構(Structure)、錫球接合(Solder Joint)、封裝打線(Wire Bonding)和元件(Device)異常等各種可疑缺陷(Defect),扮演相當關鍵性重要角色。

然而觀察截面的方式有好多種,有傳統機械研磨(Grinding)方式,透過機械手法拋光(Polish)至所需觀察的該層位置;或是透過離子束(Ion Beam)方式來進行切削(Milling);那麼,每一種分析手法到底有那些優勢呢?又該如何選擇哪一種切片手法,才能符合工程師想要觀察的樣品型態呢?本文將帶來四大分析手法,從針對尺寸極小的目標觀測區(如奈米等級的先進製程缺陷),或是大面積結構觀察(如微米等級的矽穿孔 TSV),幫大家快速找到適合的分析手法,進行斷面/橫截面觀察更得心應手!

傳統機械研磨(Grinding):樣品製備時間長,觀測範圍可達 15cm

 傳統機械研磨最大優勢,是可以達到大面積的觀察範圍(<15cm 皆可),跨越整顆晶粒(Die),甚至是封裝品(Package),當需要檢視全面性結構的堆疊或是尺寸量測等等,就適合使用 Grinding 手法(如下圖)。這個手法可透過機械切割、冷埋、研磨、拋光四步驟置備樣品到所需觀察的位置。

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(左):晶粒(Die)剖面研磨;(中)&(右)銅製程剖面研磨。圖/宜特科技

不過傳統研磨也有兩項弱點,除了有機械應力容易產生結構損壞,如變形、刮痕外,此項操作也非常需要依靠操作人員的執行經驗,經驗不足者,恐導致研磨過頭而誤傷到目標觀測區,影響後續分析。

傳統研磨相當依靠操作人員的執行經驗。圖/宜特科技

離子束 Cross-section Polisher(CP):除了截面分析,需要微蝕刻也可靠它

相較於傳統機械研磨(Grinding),Cross-section Polisher(簡稱 CP)的優點在於,是利用離子束做最後的精細切削(Fine milling),可以減低多餘的人為損傷,避免傳統研磨機械應力產生的結構損壞。除了切片外,CP 還有另一延伸應用,就是針對樣品進行表面微蝕刻,能夠解決研磨後造成的金屬延展或變形問題。因此,若是想觀察金屬堆疊型之結構、介金屬化合物 Intermetallic Compound(IMC),CP 是非常適合的分析手法。

CP 的手法,是先利用研磨(Grinding)將樣品磨至目標區前,再使用氬離子 Ar+,切削至目標觀測區,此做法不僅能有效縮短分析時間,後續再搭配掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,簡稱 SEM)進行拍攝,將能夠呈現較為清晰的層次邊界。

上圖是兩張 SEM 影像。左圖為研磨後的 IC 結構,層次邊界並不清晰;右圖則為 CP 切削後的 IC 結構,層與層之間界線清晰可見,同時也少了許多研磨後的顆粒與髒汙。圖/宜特科技

案例一CP Cross Section 能力,快又有效率!

案例一的待測樣品為 BGA 封裝形式,目標是針對特定的錫球(Solder bump)進行分析。透過 CP,可在 1 小時內完成 1mm 範圍的面積切片。後續搭配 SEM 分析,即可清楚呈現錫球表面材料的分布情況。

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下圖是案例中的 SEM 影像,圖(a)是 CP 後的樣品截面,可將整顆 bump 完整呈現。圖(b)是用傳統機械研磨(Grinding)完成之 BGA,雖然可以看到 bump 的介金屬化合物(IMC),但因研磨延展無法完整呈現。而圖(c)是用 CP 完成之 BGA,bump 下方的IMC對比清晰,可清楚看到材料對比的差異。

圖/宜特科技

案例二:透過 CP milling 解決銅延展變形的狀況

常見的 PCB 板疊孔結構中,若盲孔(Blind Via Hole,簡稱 BVH)與銅層(Cu layer)之間的結合力較弱時,在製程後期的熱處理過程中,容易導致盲孔與銅層拉扯出裂縫(Crack),造成阻值不穩定等異常情形。一般常見是透過傳統機械研磨(Grinding)來檢測此類問題,但這種處理方式往往會造成銅延展變形而影響判斷。我們可以使用 CP 針對 BVH 結構進行 CP milling,有效解決問題,並且處理範圍可達 10mm 以上之寬度。

左圖為傳統機械研磨(Grinding)後之 PCB via,無法看到裂縫(Crack);右圖為 CP milling 後之 PCB via,清楚呈現裂縫(Crack)。圖/宜特科技

Plasma FIB(簡稱PFIB):不想整顆樣品破壞,就選擇它來做局部分析

在 3D-IC 半導體製程技術中,如果擔心研磨(Grinding)在去層(Delayer or Deprocess)過程傷到目標區,或是擔心樣品研磨時均勻性不佳,會影響到觀察重點,這時就可考慮用電漿聚焦離子束顯微鏡(Plasma FIB,簡稱 PFIB)分析手法!

PFIB 結合了電漿離子蝕刻加工與 SEM 觀察功能,適用於分析範圍在 50-500 µm 的距離內,可進行截面分析與去層觀察,並針對特定區域能邊切邊觀察,有效避免因盲目切削而誤傷到目標區的狀況,確保異常結構或特定觀察結構的完整性。(閱讀更多:先進製程晶片局部去層找 Defect 可用何種工具

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PFIB 切削後之 TSV (Through Silicon Via)結構,除了可以清楚量測金屬鍍層厚度外,因為沒有研磨的應力影響,可明確定義 TSV 蝕刻的 CD(Critical Dimension)。圖/宜特科技

Dual Beam FIB(簡稱DB-FIB):適用數奈米小範圍且局部的切片分析

結合鎵離子束與 SEM 的雙束聚焦離子顯微鏡(Dual Beam FIB,簡稱 DB-FIB),可針對樣品中的微細結構進行奈米尺度的定位及觀察,適用於分析範圍在 50µm 以下的結構或異常區域。同時,DB-FIB 還能進行能量散佈 X-ray 能譜儀(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy,簡稱 EDX)分析及電子背向散射(Electron Backscatter Diffraction,簡稱 EBSD),以獲得目標區域的成分與晶體結構相關資訊。

此外,當觀察的異常區域或結構過於微小,用 SEM 無法得到足夠資訊時,DB-FIB 也可以執行穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡稱 TEM)的試片製備,後續可供 TEM 進行更高解析度的分析。

DB-FIB 搭配 SEM 與鎵離子槍,可針對異常及微區結構進行定位與分析。圖/宜特科技

若想更認識各種工具的應用,歡迎來信索取宜特精心製作的四大切片分析工具圖表marketing_tw@istgroup.com,希望透過本文能幫助讀者,對IC截面分析手法有更多了解,例如 CP 設備新增了 Milling 功能,使其用途更加多元;而 PFIB 增加了去層功能,為先進製程的異常分析開啟了全新的可能性!

本文出自 www.istgroup.com

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為什麼越累越難睡?當大腦想下班,「腸道」卻還在加班!
鳥苷三磷酸 (PanSci Promo)_96
・2026/04/30 ・2519字 ・閱讀時間約 5 分鐘

本文與  益福生醫 合作,泛科學企劃執行

昨晚,你又在床上翻來覆去、無法入眠了嗎?這或許是現代社會最普遍的深夜共鳴。儘管換了昂貴的乳膠枕、拉上百分之百遮光的窗簾,甚至在腦海中數了幾百隻羊,大腦的那個「睡眠開關」卻彷彿生鏽般卡住。這種渴望休息卻睡不著的過程,讓失眠成了一場耗損身心的極限馬拉松 。

皮質醇:你體內那位「永不熄滅」的深夜警報器

要理解失眠,我們得先認識身體的一套精密防衛系統:下視丘-垂體-腎上腺軸(HPA axis) 。這套系統原本是演化給我們的禮物,讓我們在面對劍齒虎或突如其來的危險時,能迅速進入「戰鬥或快逃」的備戰狀態。當這套系統啟動,腎上腺就會分泌皮質醇 (壓力荷爾蒙),這種荷爾蒙能調動能量、提高警覺性,讓我們在危機中保持清醒 。

然而,現代人的「劍齒虎」不再是野獸,而是無止盡的專案進度、電子郵件與職場競爭。對於長期處於高壓或高強度工作環境的人們來說,身體的警報系統可能處於一種「切換不掉」的狀態。

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在理想的狀態下,人類的生理時鐘像是一場精確的接力賽。入夜後,身體會進入「修復模式」,此時壓力荷爾蒙「皮質醇」的濃度應該降至最低點,讓「睡眠荷爾蒙」褪黑激素(Melatonin)接棒主導。褪黑激素不僅負責傳遞「天黑了」的訊號,它還能抑制腦中負責維持清醒的食慾素(Orexin)神經元,幫助大腦順利關閉覺醒開關。

對於長期處於高壓或高強度工作環境的人們來說,身體的警報系統可能處於一種「切換不掉」的狀態 / 圖片來源:envato

然而,當壓力介入時,這場接力賽就會變成跑不完的馬拉松賽。研究指出,長期的高壓環境會導致 HPA 軸過度活化,使得夜間皮質醇異常分泌。這不僅會抑制褪黑激素的分泌,更會讓食慾素在深夜裡持續活化,強迫大腦維持在「高覺醒狀態(Hyperarousal)」。 這種令人崩潰的狀態就是,明明你已經累到不行,但大腦卻像停不下來的發電機!

長期的睡眠不足會導致體內促發炎細胞激素上升,而發炎反應又會進一步活化 HPA 軸,分泌更多皮質醇來試圖消炎,高濃度的皮質醇會進一步干擾深層睡眠與快速動眼期(REM),導致睡眠品質變得低弱又破碎,最終形成「壓力-發炎-失眠」的惡行循環。也就是說,你不是在跟睡眠上的意志力作對,而是在跟失控的生理長期鬥爭。

從腸道重啟好眠開關:PS150 菌株如何調校你的生理時鐘

面對這種煞車失靈的失眠困局,科學家們將目光投向了人體內另一個繁榮的生態系:腸道。腸道與大腦之間存在著一條雙向通訊的高速公路,這就是「菌-腸-腦軸 (Microbiome-Gut-Brain Axis, MGBA)」,而某些特殊菌株不僅能幫助消化、排便,更能透過神經與內分泌途徑與大腦對話,直接參與調節我們的壓力調節與睡眠節律。這種菌株被科學家稱為「精神益生菌」(Psychobiotics)。

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腸道與大腦之間存在著一條雙向通訊的高速公路,這就是「菌-腸-腦軸 (Microbiome-Gut-Brain Axis, MGBA)」/圖片來源:益福生醫

在眾多研究菌株中,發酵乳桿菌 Limosilactobacillus fermentum PS150 的表現格外引人注目。PS150菌株源於亞洲益生菌權威「蔡英傑教授」團隊的專業研發,累積多年功能性菌株研發經驗的科學成果。針對臨床常見的「初夜效應」(First Night Effect, FNE),也就是現代人因出差、換床或環境改變導致的入睡困難,俗稱認床。科學家在進行實驗時發現,補充 PS150 菌株能顯著恢復非快速動眼期(NREM)的睡眠長度,且入睡更快,起床後也更容易清醒。更重要的是,不同於常見的藥物助眠手段(如抗組織胺藥物 DIPH)容易造成快速動眼期(REM)剝奪或導致睡眠破碎化,PS150 菌株展現出一種更為「溫和且自然」的調節力,它能有效縮短入睡所需的時間,並恢復睡眠中代表深層修復的「Delta 波」能量。

科學家發現,即便將 PS150 菌株經過特殊的熱處理(Heat-treated),轉化為不具活性但保有關鍵成分的「後生元」(Postbiotics),其生物活性依然能與活菌媲美 。HT-PS150 技術解決了益生菌在儲存與攝取過程中容易失去活性的痛點,讓這些腸道通訊員能更穩定地發揮作用 。

在臨床實驗中,科學家觀察到一個耐人尋味的現象:當詢問受試者的主觀感受時,往往會遇到強大的「安慰劑效應」,無論是服用 HT-PS150 還是安慰劑的人,主觀上大多表示睡眠變好了。這種「體感上的進步」有時會掩蓋真相,讓人分不清是心理作用還是真實效益。

然而,客觀的生理數據(Biomarkers)卻揭開了關鍵的差異。在排除主觀偏誤後,實驗數據顯示 HT-PS150 組有更高比例的人(84.6%)出現了夜間褪黑激素分泌增加,且壓力荷爾蒙(皮質醇)顯著下降,這證明了菌株確實啟動了體內的睡眠調控系統,而不僅僅是心理安慰。

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最值得關注的是,對於那些失眠指數較高(ISI ≧ 8)的族群,這種「生理修復」與「主觀體感」終於達成了一致。這群人在補充 HT-PS150 後,不僅生理標記改善,連原本嚴重困擾的主觀睡眠效率、持續時間,以及焦慮感也出現了顯著的進步。

了解更多PS150助眠益生菌:https://lihi3.me/KQ4zi

重新定義深層睡眠:構建全方位的深夜修復計畫

睡眠從來就不只是單純的休息,而是一場生理功能的全面重整。想要重獲高品質的睡眠,關鍵在於為自己建立一個全方位的修復生態系。

這套系統的基石,始於良好的生活習慣。從減少睡前數位螢幕的干擾、優化室內環境,到作息調整。當我們透過規律作息來穩定神經系統,並輔以現代科學對於 PS150 菌株的調節力發現,身體便能更順暢地啟動睡眠開關,回歸自然的運作節律。

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與其將失眠視為意志力的抗爭,不如將其看作是生理機能與腸道微生態的深度溝通。透過生活作息的調整與科學實證的支持,每個人都能擁有掌控睡眠的主動權。現在就從優化生活型態開始,為自己按下那個久違的、如嬰兒般香甜的關機鍵吧。

與其將失眠視為意志力的抗爭,不如將其看作是生理機能與腸道微生態的深度溝通 / 圖片來源 : envato

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測試 Pass 但晶片卻還是被退貨?車用工程師必讀的「避坑指南」
宜特科技_96
・2026/04/28 ・3080字 ・閱讀時間約 6 分鐘

晶片在廠內跑了幾千小時可靠度驗證後電性 Pass,原本以為訂單穩了,結果送到 Tier 1 廠進料檢驗卻爆出「焊點裂紋」整批被退。不只研發心血白費,連剛拿到的 Design Win 都危險。到底要怎麼做,才能在驗證階段就揪出這些隱形成本,真正做到「零缺陷」?

本文轉載自宜特小學堂〈車用工程師惡夢!為何晶片通過 ATE 測試仍遭退貨?〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

進入 2026 年,隨著「軟體定義車輛(Software-Defined Vehicle, 簡稱SDV)」「區域架構」(Zonal Architecture)成為產業主流,在 SDV趨勢下,晶片需具備極高的效能餘裕以支援未來的軟體升級;而區域架構則讓大部分的晶片必須安裝在更靠近馬達等熱源與震動源位置,而在高壓、高熱、高震動的極端環境下運作。

近期 AEC 車電協會(Automotive Electronics Council)頻繁針對先進封裝修正測試標準,正是體認到 ATE(Automatic Test Equipment)電性數據已無法全面涵蓋結構疲勞的風險。包含 Tesla、NVIDIA 與高通(Qualcomm)等大廠,在將高性能運算(HPC)晶片導入車載系統時,已將「Zero Defect」的要求從晶片的「功能正常」提升至「結構絕對完整」。若您的產品潛伏結構隱患,即使僥倖通過 ATE 測試,也難逃時間的審判。

事實上,ATE Pass 僅代表「功能」合格,而 DPA(破壞性物理分析)才是驗證「壽命與結構」的關鍵。若不想讓即將到手的量產門票毀於一旦,在研發階段就導入 DPA 進行深度的物理診斷,是邁向車規級零缺陷的必經之路。因此,本篇《宜特小學堂》將透過 DPA(Destructive Physical Analysis,破壞性物理分析)剖析三大案例,助您的車用產品安全上路。

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一、    什麼是 DPA?為什麼它是車規的「照妖鏡」?

簡單來說,DPA 就像是「身體健康檢查」。有別於一般 FA(故障分析)是在壞掉後才找原因,DPA 是在產品判定「電性功能 Pass」的狀態下,隨機抽樣進行一系列的破壞性拆解與檢測。

它的目的只有一個:檢查那些「躲過 ATE 測試」的潛在性內傷。

例如:打線接合面其實已出現裂痕,但剩下的接觸面在 ATE 電性測試下導通依然良好,顯示Pass。這種晶片一旦上車,經歷幾次熱脹冷縮就會徹底斷裂。這種「未爆彈」,只有透過 DPA 把它切開來看,才能無所遁形。

二、別再說客戶沒要求!AEC 早就寫得清清楚楚

很多IC設計工程師會問:「AEC-Q100我都跑完了,客戶也沒特別說要做 DPA,我有必要多花這筆錢嗎?」

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根據 AEC 規範,DPA 絕非選配,而是確保結構品質的必要手段。除了針對分離式元件的 AEC-Q101、光電半導體的 AEC-Q102 及板階可靠度的 AEC-Q007 皆將 DPA 列為必測項目外;針對銅線(Cu Wire)製程的 AEC-Q006,更制定了最嚴格且具體的破壞性分析標準,成為所有採用銅線封裝的車用晶片必須跨越的硬性門檻。

如果你為了降低成本,而將封裝從「金線」轉為「銅線(Cu Wire)」,那麼你已經自動落入 AEC-Q006 的規範範疇。由於銅線較硬,容易在製程中造成底層鋁墊(Al Pad)破裂(Cratering),因此 AEC-Q006 明確要求必須進行 DPA 相關項目的驗證。

如果你不想被 Tier 1 稽核時抓包,以下這些是 AEC-Q006 裡提到必須關注的 DPA 重點項目:

1. Wire Bond Shear焊球推力測試透過橫向推力確認銅球與鋁墊的結合品質。檢視金屬間化合物(IMC)的生成狀況,了解打線底層介面是否有剝離或裂痕。對於 Cpk(Process Capability Index)數值分佈有嚴格要求,以證明製程能力穩定。

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2. Wire Bond Pull焊線拉力測試透過垂直拉力著重測試打線頸部和第二焊點是否牢固。透過分析拉線後的失效模式(Wire pull failure modes)來了解斷裂發生的位置,與 Wire Bond Shear 一樣會確認 Cpk 數值是否於規範內。

3. Crater Test(彈坑測試): 這是銅線製程的關鍵檢查。移除焊墊金屬層,檢查下方是否有因打線應力造成肉眼看不見的「隱形裂紋(Cratering)」。

4. Cross-Section(切片分析):使用 SEM(電子顯微鏡)檢查整個樣品的完整性,包含晶片、模封膠(Molding compound)、黏晶膠(Die attach)、導線架(Lead frame)之間的介面狀況,以及打線第一和第二焊點下方有無微裂紋與脫層異常。

5. 內部目檢(Internal Visual):檢查封裝體內晶片表面,是否有保護層裂紋或晶片缺角等損傷。

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三、宜特案例分享:解決工程師最頭痛的隱性失效

以下是宜特協助 IC Design House 在量產前,透過 DPA 攔截的三大災難現場:

(一)案例一:護層裂紋攔截術—破解 ATE 的偵測延遲假象

某車用 IC 客戶在進行可靠度測試後,ATE 顯示全數通過。但宜特工程團隊透過 DPA 的 Phase 1 破壞性分析發現,部分樣品的 Passivation(護層)已出現微小裂紋。進一步透過橫截面觀察,確認裂紋已延伸至金屬層邊緣。

這說明了僅有電性測試卻無 DPA 攔截的狀態下,這批貨一旦裝上車,數個月後可能將引發大規模客訴甚至災難性的性命傷害疑慮。

圖一:DPA 顯示護層裂紋,暴露ATE測試中看不見的可靠度風險。圖/宜特科技

(二)案例二:銅線打線(Cu Wire)界面診斷—直擊 AEC-Q006 最在意的焊點疲勞

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為了兼顧成本與效能,許多車用晶片將製程轉向銅線(Cu Wire)封裝,但這也帶來了更嚴苛的可靠度挑戰,尤其是 AEC-Q006 規範中最在意的高溫應力與金屬疲勞。在銅線封裝製程中,焊點與鋁墊間的 IMC覆蓋率是訊號傳遞可靠度的指標。

某客戶希望優化打線參數,雖然初步電性測試無異,但宜特透過 DPA 的分析與測試手法,發現特定參數下的 IMC 生長不均,且推力值雖在規格內但故障模式出現了「Bonding crack」徵兆。這正是典型的「當下 Pass、長期 Fail」假象。

圖二:DPA 顯示焊點缺陷,暴露 ATE 測試中看不見的可靠度風險。圖/宜特科技

(三)案例三:介面分層深度定位,解決熱膨脹係數不匹配的災難

在車規可靠度測試後,宜特運用 DPA 手法,整合非破壞與破壞性分析技術,針對封裝結構進行全面性的「身體檢查」。此分析結果不僅精準定位出導線架與模封膠間的介面分層位置,更進一步溯源發現,分層主因係導線架與模封膠這兩類異質介面間的熱膨脹係數(CTE)不匹配。

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這項關鍵發現不僅釐清了 Failure 原因,更提供客戶具體的改善方向,協助客戶重新篩選膠材,從根本提升了整體結構的熱機穩定性。

圖三:透過 DPA 深度切片與掃描技術來檢查封裝結構的完整性。圖/宜特科技

以電性結果通過 AEC 認證只是入場券,然而邁向「零缺陷」的核心課題,在於如何補齊電性測試看不見的盲點。對於IC設計公司而言,DPA 不應該被視為一項「多餘的成本」,而是一份「確保出貨安全的保險」。

當你的競爭對手只拿得出 ATE 報告,而你能同時附上第三方公正實驗室的 DPA 完整分析報告,這代表的不僅是品質,更是你對車規理解的專業度。別讓一顆1美元的晶片,毀了你千萬美元的訂單。在送樣給 Tier 1 之前,先透過 DPA 做最後一次的健康檢查吧!

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「全球化已死」:從美國壓制荷蘭,看台灣在地緣棋局的下一步——《造光者》
天下雜誌出版_96
・2025/09/06 ・1420字 ・閱讀時間約 2 分鐘

ASML 向來以與全世界做生意為榮。南韓客戶來訪時,接待處的荷蘭國旗旁邊就會擺上南韓國旗。中國企業來訪,則會看到中國國旗飄揚。這反映了 ASML 對所有客戶一視同仁。只可惜,如今世界的運作已不再那麼單純了。

在數以百億計的政府補助資金挹注下,中國的晶片廠如雨後春筍般崛起。2017 年,中國客戶下單的曝光機總值高達七億歐元。幾個月後,中國晶片製造商中芯國際的執行董事梁孟松在上海簽下了他們的第一台EUV曝光機訂單。

監事會立即指出風險,直言:「各位,這恐怕會出問題,美國不會放行所有的交易。」但 ASML 的管理高層毫不在意這些顧慮。他們認為 ASML 不涉政治,而且多年來一直都有供貨給中芯國際。

結果,ASML 向荷蘭申請對中國的出口許可時,美國立即展開外交行動,試圖阻止 EUV 曝光機進入中國。川普的國安顧問莫里森表示,這不是美國在對友邦施壓:「我們都知道 EUV 技術有多重要,荷蘭政府可以自行決定這件事。」當然,最好是做出美國也認同的決定。

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從 ASML 看中美貿易戰

荷蘭人陷入這樣的困境,其實一點也不意外。美國不想和中國真的開戰,因此試圖用其他一切手段來控制中國的科技發展。晶片有如現代經濟的石油,當你順著這條價值鏈追溯時,很快就會來到荷蘭的 ASML。

在 ASML 看來,制定規則的人並不了解「這一切」是如何運作的。「這一切」是指整個晶片產業,包括所有的全球依存關係、脆弱的供應鏈和複雜的技術。這是一個靠相互信任、長期協議、自由市場機制運轉的世界。政府不能破壞這個脆弱的生態系統:最主要是因為 ASML 從中賺取豐厚的利潤(包括在中國的收益),也在荷蘭創造了許多就業機會。

ASML 認為,美國主要是靠封鎖 EUV 技術來輔助對中國的經濟戰。這項技術可用來大量生產先進半導體。這些晶片是用在手機上,不是戰鬥機。對 ASML 來說,擔心 EUV 技術被用於軍事完全是無稽之談,武器產業使用的是已經上市多年的成熟微影技術。而且武器中使用的多數晶片都是「現成」的,跟筆記型電腦、洗衣機或汽車裡的晶片一樣,在世界各地都能輕易買到。

美國對「軍事」的定義

但美國的看法不同。美國對「軍事」的定義遠超出傳統武器的範疇。他們擔心中國的 AI 崛起、中國的超級電腦在全球排名中占主導地位,以及中國當局未來可能掌握的強大網路武器。而這些全都有一個共同需求:先進晶片。

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荷蘭經濟部向來對企業採取不干預的態度,讓企業能充分利用世界貿易的優勢。身為一個新自由主義的貿易國,荷蘭乘著全球化的浪潮前進了三十幾年。ASML 就體現了這種重商精神。

ASML 長期以來一直試圖避開地緣政治的舞台。但當你的機器是用來印製現代世界的基礎架構時,你不可能永遠躲在鎂光燈外。

2020 年 1 月,外交角力終於公開化。路透社報導,美國已要求荷蘭封鎖 EUV 技術的出口,ASML 頓時成為眾所矚目的焦點。川普的貿易戰、間諜案件,以及有關華為和 5G 的爭議,全都交織在一起,掀起了一場輿論風暴,ASML 登上了各大媒體的頭版。

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