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改變在一「矽」之間——半導體的誕生│《電腦簡史》數位時代(十六)

張瑞棋_96
・2021/04/05 ・6669字 ・閱讀時間約 13 分鐘 ・SR值 542 ・八年級

本文為系列文章,上一篇請見:邁向商用化——電腦產業的形成│《電腦簡史》數位時代(十五)

真空管的先天缺陷:易報銷

二次大戰後,電腦全面使用真空管後,速度大幅提升,隨著需要大量計算的企業越來越多,電腦前景看似一片光明。不過當電腦上線運作後,真空管的先天缺陷終於曝露出來,嚴重阻礙電腦產業的發展。

真空管是靠加熱極細的燈絲而產生游離電子,電子被吸引至做為正極的金屬片而產生單向電流。由於燈絲與電極都會逐漸耗損,真空管的壽命原本就不長;即使是特別為電腦生產的真空管,在正常狀況下也不過能用兩千個小時。更何況在進行高速運算時,真空管不斷開開關關,燈絲很容易因此燒斷而提早報銷。

真空管二極體的構造。圖:Wikipedia

一部電腦至少有幾千個真空管,只要有一、二個壞掉,就會影響整體電路的運作。以 UNIVAC 為例,平均故障間隔 (MTBF, Mean Time Between Failures) 的時間不超過 24 小時;美軍的 ENIAC 用的真空管超過一萬七千個,MTBF 更是只有 12 小時。而一旦發生問題,要排除故障也相當耗費時間,平均得花幾個小時才能找出損壞的真空管,予以更換。

電腦如果動不動就得停機檢修,不僅效益大打折扣,還會影響正常作業,誰想花大錢購置電腦卻惹來內部抱怨連連。可靠性的問題沒有解決,電腦就難以獲得全面採用,只是真空管的物理特性就是如此,能再改善的空間有限,只能期待全新的電子元件出現。

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如今我們知道,這革命性的電子元件就是電晶體。它不僅解決了可靠性的問題,而且大幅降低成本、縮小體積、提升速度,讓電腦改頭換面,並催生出各種電子產品,人類文明從此邁入新紀元。電晶體之所以能帶來革命性的改變,乃因它是奠基於一種革命性的材料——半導體。要知道電晶體如何發明,得先知道什麼是半導體。

半導電性:導體與絕緣體之間

顧名思義,半導體就是具有半導電性的物體。但何謂半導電性?

我們知道不同元素有不同電子數,以原子核為核心,由內而外分布於不同殼層。越外層的電子能量越高,其中最外層的電子稱為「價電子」,所處的能階稱為「價帶」。價電子仍被束縛在原子內,所以無法導電,必須獲得能量躍遷到「傳導帶」才能導電。傳導帶與價帶的能量差距稱為「能隙」,導電性便取決於能隙的大小。

金屬的能隙非常小,甚至傳導帶與價帶有部分重疊,所以導電性很高;反之,絕緣體的能隙很大,價電子無法跨越,因此無法導電。半導電的能隙則介於金屬與絕緣體之間。

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三種不同導電性。圖:Wikipedia

能隙的大小與價電子的個數有關。每個殼層可容納的電子數都有上限,當價電子殼層越接近填滿狀態,就越穩定,需要越多能量才能激發價電子跳到傳導帶;當價電子越少,就越容易脫離束縛,跑到傳導帶。

金屬的價電子通常不超過 3 個(過渡金屬除外),很容易形成自由電子,到處移動。絕緣體通常有 5 個或以上的價電子。碳、矽、鍺、錫、鉛等 IV 族元素有 4 個價電子,剛好是半滿狀態,導電性介於導體與絕緣體之間,屬於半導體。

IV 族元素如果摻雜其它元素,導電性也會跟著改變。例如把磷摻到矽裡面,因為磷有 5 個價電子,其中 4 個與矽共用後,還多一個價電子,就更容易跑到傳導帶成為自由電子,這種半導體稱為 n 型 (n 代表 negative)。

矽如果摻的是有三個價電子的硼,只差一個價電子就是最穩定的狀態,猶如有個「電洞」讓經過的電子落入陷阱。旁邊的電子掉進這個電洞後又產生一個新的電洞,形成骨牌效應,從另一個角度看,就像是帶正電的電洞會移動一樣,因此稱為 p 型半導體 (p 代表 positive)。

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偶然發現半導體

除了摻雜,化合物也可能形成半導體。半導體最早被發現,就是與 IV 族元素無關的化合物。1833 年,法拉第有一次在做電力實驗時,無意間將燈火靠近硫化銀,結果發現導電能力竟然大增;一旦移走燈火,導電性又隨著溫度下降而降低。一般金屬在高溫時,導電性會變差,硫化銀卻剛好相反,令法拉第大感訝異。

硫化銀就是一種半導體。高溫之所以增加半導體的導電性,是因為熱能會讓更多價電子躍遷到傳導帶,因此增加了導電性。一般金屬原本僅需一點能量就能產生自由電子,集體往正極方向移動。但電子如果吸收太多熱能,反而四處亂竄,原本的定向性受到破壞,導電能力也就隨之下降了。

法拉第雖然發現半導體這個特性,卻無法了解其中原理。畢竟當時距離道爾吞提出原子說還不到 30 年,是否有所謂的基本粒子仍頗受質疑,更無從想像原子內部還有電子與原子核。因此法拉第發表這個奇特的現象後,就不了了之,也沒有人想到在導體與絕緣體之外,還有一種半導體。下次半導體再度躍上檯面,已是四十年之後。

1874 年,才 24 歲的德國物理學家布勞恩 (Ferdinand Braun) 在研究各種硫化物的導電性時,將硫化鉛接上電,卻發現檢流計的指針紋風不動。他試著調換正負極,結果指針馬上就有反應。這實在太奇怪了,一個物體的導電性應該是一致的,怎麼會因為正負極不同接法,一下是絕緣體,一下又是導體?

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發現半導體具有單向導電性的布勞恩。圖:Wikipedia

單向導電性是半導體另一項重要特性。硫有 6 個價電子,所以硫化鉛是 n 型半導體,一般情況下,電子只能從硫化鉛往正極移動,才會從另一個方向測不到電流。同樣地,由於當時仍然不清楚原子的構造(湯姆森於 1897 年才發現電子),不知如何解釋這個奇特現象。

大家毫無頭緒,單向導電性又看不出有何用途,因此布勞恩發表實驗結果後,並沒有激起任何漣漪。半導體再次受到忽視,要等到赫茲於 1888 年發表無線電波的實驗後,硫化鉛這類的半導體礦石才引起大家的興趣。

接收無線電波

赫茲的實驗吸引很多人投入無線電波的研究,印度科學家博斯 (Jagadish Chandra Bose) 也是其中之一。他發現 IV 族元素的礦石不但有單向導電性,而且不遵守歐姆定律:電流與電壓成正比。當施予礦石的電壓小於某個臨界值時,電流微乎其微;一但超過臨界電壓,電流便突然大幅增加。

博斯想到可以利用這個特性偵測微弱的無線電波。只要先對接收裝置施以適當電壓,讓無線電波所產生的感應電壓恰好超過臨界電壓,電流便會出現明顯變化,就能如實呈現無線電波。

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1894 年,博斯將金屬天線的一端與硫化鉛的表面接觸,做成無線電偵測器(也稱「檢波器」),成功接收到一英哩之外的無線電波,這中間還隔了三道磚牆。

博斯發明的無線電收發器。圖:Wikipedia

馬可尼 (Guglielmo Marconi) 也在這一年發明無線電報系統,兩年後他和博斯在倫敦會面,不過博斯對商業應用不感興趣,並未與馬可尼合作。馬可尼也沒有採用博斯這個技術,而是利用感應電流產生的磁場變化,來吸引金屬屑或發出聲響,作為判斷電波的依據。

事實上,博斯自己後來也改用別種技術設計檢波器,因為礦石檢波器的確不是很靈光。礦石中的雜質分布並不均勻,不是每次用金屬線接觸硫化鉛表面都能形成迴路,往往得嘗試很多次才能找到「熱點」,得到訊號。

儘管如此,AT&T 的工程師匹卡德 (Greenleaf Pickard) 仍看好礦石檢波器的潛力,試圖找出收訊效果更好的礦石。

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1902 年,匹卡德檢測一塊礦石的熱點時,懷疑施加的電流造成背景雜訊太大,於是伸手拿掉部分電池,結果雜訊果然馬上消失,無線電的訊號變得清楚許多。這時他看了一眼器材,才發現他剛剛不小心把電池的接線弄掉了,也就是礦石檢波器竟然不需要電,就可以接收無線電。

這個奇妙的現象完全違背過去的認知,於是匹卡德更加專心研究還有哪些礦石不用電就可以當檢波器。他花了三、四年的時間測試上千種礦石,發現有 250 種可以做為天然檢波器,其中又以熔融後的矽(原本用來製造石英玻璃)收訊效果最佳。

礦石收音機

匹卡德進行實驗的這段期間,無線電也正在發展另一項應用:傳送聲音。當時電話已是成熟的技術,可以將聲音轉換為音頻訊號,但音頻是連續波形,無線電波卻是脈衝電波,因此只能靠長/短、有/無來代表摩斯密碼,無法傳送音頻訊號。

1900 年,加拿大發明家范信達 (Reginald Fessenden) 發明一種高速交流發電機,終於能產生連續波形的無線電波(稱為「載波」,波形為規律的正弦波)。

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原本規律的載波與音頻疊加後,變成起伏變化的無線電波,電波的振幅大小便代表音訊的變化。這種調變電波振幅的技術便稱為「調幅」(Amplitude Modulation, 簡稱AM),就是現在 AM 廣播所用的技術。

調幅示意圖。圖:Wikipedia

調幅無線電到了接收端,還得經過「解調」才能還原成原來的音訊。首先,由於天線接收無線電波後,所產生的感應電流也是交流電,因此必須先把反方向的電流去掉,成為單一方向的直流電;這個步驟便稱為「整流」。接著再濾掉其中的載波,留下的就是原來的音頻訊號。

范信達直到 1904 年才成功做出有整流功能的檢波器,並於 1906 年的聖誕夜成功發送 AM 廣播到大西洋上的美國軍艦。不過范信達所發明的檢波器不易製造,又常需要調校,只適合專業人士使用。而半導體的單向導電性恰好可以將交流電整流為直流電,這類礦石便可直接做為無線廣播的檢波器。

1906 年,匹卡德獲得矽石檢波器的專利,並在隔年創立公司,製造用耳機收聽的礦石收音機,銷售給一般大眾。由於價格低廉、體積小巧又不需要電,因此頗受歡迎。礦石收音機成為史上第一個半導體商品;誰會想到如今半導體與各種電子產品密不可分,但最早卻是以不用電為訴求。

匹卡德於1916年發明的矽石檢波器。圖:Wikipedia

三極真空管橫空出世

就在匹卡德於 1906 年申請專利這一年,美國專利局也收到另一項影響更深遠的專利申請,那就是由德佛瑞斯特 (Lee De Forest) 改良的新型真空管。

原本弗萊明 (John A. Fleming) 於1904 年發明的真空管只有正負兩極,德佛瑞斯特用金屬柵格擋在金屬片與燈絲之間,變成除了正、負極,還多了「柵極」(Grid) 的三極管

柵極用來控制電流大小。當柵極施以負電壓,產生的電場與電子相斥,部分電子便被擋下,無法抵達正極金屬片,電流也就變小了。負電壓越大,被擋下的電子越多,電流也就越小;柵極就像家裡的水龍頭,不用動到水管的閥門,就可以各自調節水流大小。

三極管在金屬片與燈絲之間多了金屬柵格。圖:Wikipedia

德佛瑞斯特原本設計三極管只是為了調節電流,他沒想到六年之後,這項設計竟被發掘出放大訊號的功能。

原本只有二極管時,若要調整電流大小,正極電壓就要有相對幅度的改變,就如前面水管的比喻,沒有水龍頭的話,只能從源頭閥門控制水量。例如要讓電流從 12 mA 減半降為 6 mA,電壓要從 110 V 降到 60 V;但若使用三極管,則無須改變正極電壓,只要對柵極施以 -2 V 的電壓就可以了。

三級管的電壓變化只需二級管的 1/25 ,便能達到同樣的效果(若搭配適當的阻抗,相差還能到百倍以上),就像水龍頭那樣,轉動一點點,出水量就差很多。如果讓柵極做為訊號的輸入端,正極做為輸出端,那麼原本微弱的訊號,就會放大成強烈的訊號。

有了三極管做為訊號放大器,無線電可以傳得更遠,收訊效果也更好,而且收音機還可以配上喇叭。隨著廣播電台自 1920 年代開始快速發展,真空管收音機也進入一般家庭,成為民眾重要的休閒娛樂與資訊來源。相對地,礦石收音機的收訊效果與方便性都遠遠不如,自然不受青睞,逐漸沒落。好不容易找到舞台的半導體於是又被棄置一旁,沒想到十幾年後,同樣是由來自 AT&T 的工程師,再度讓半導體起死回生。

德佛瑞斯特於1914年用三極管打造的訊號放大器。圖:Wikipedia

真空管搞不定短波

三極真空管有助於無線廣播,當然也有助於電話傳得更遠。 AT&T 利用真空管擴大電話網路,於 1915 年開通橫跨東西兩岸的長途電話。1927 年 1 月 7 日, AT&T 總裁進一步透過無線電波,從紐約打電話到倫敦,完成史上第一通越洋電話。不過這通電話只是試驗性質,真要提供越洋電話服務,還有項技術問題須要克服。

紐約與倫敦相隔甚遠,無線電波無法橫越地表弧度直接送達,必須經大氣的電離層反射到地面。然而一年四季、晴雨晨昏,大氣條件都不一樣,對電波的影響也大不相同。因此若要維持越洋電話全年暢通,通訊設備須要能夠收發不同波長的無線電波。不過真空管在高頻(也就是短波)的表現不是很好,如何克服這個問題便成為貝爾實驗室的首要任務。

貝爾實驗室於 1925 年成立,初期的工程師大多從 AT&T 陸續轉調過來,歐偉 (Russell Ohl) 也是其中之一,他對無線電的興趣始自大學時期。1914 年第一次世界大戰爆發,當時大學二年級的歐偉,在課堂上第一次聽到礦石收音機發出聲音,而且竟然是遠在大西洋的英國船隻,遭到德國潛艇攻擊所發出的求救訊號,從此他便對無線電深深著迷。

歐偉原本在 AT&T 就是負責短波的研發,1927 年轉到貝爾實驗室後仍繼續這個項目。他們不斷將無線電電波推向更高的頻率,但最終遇到瓶頸難以跨越。當其他同事仍執著於真空管時,歐偉於 1935 年決定從頭開始,一一檢視過去無線電的各種實驗與論文,從中發掘可行方案。最後他把目標瞄準礦石收音機的矽石,相信這才是解答。

歐偉 (Russell Ohl) 在他的實驗室裡。圖:Engineering and Technology History Wiki

一道裂痕開啟「矽」的半導體時代

礦石收音機不是才被真空管淘汰嗎?同事與主管都認為歐偉異想天開,但他認為只要去除矽石中的雜質,就能收發頻率更高的無線電波。歐偉自己多次嘗試用矽粉製造,卻不得其果,最後終於在 1939 年找到具有冶金專長的同事,用高溫熔製的方法精煉出高純度的矽。

1940 年 2 月 23 日,歐偉決定檢測一塊去年製出的矽石,據他的同事說,這塊矽石相當奇特,每次測的導電性都不一樣。歐偉仔細檢查這塊矽石,發現中間有條裂痕,他猜想這就是導電性不一致的原因,原本不以為意。但他接上示波器,赫然發現矽石在檯燈的照射下,竟然會產生電流。

光電效應是會產生電流,但那是以紫外線照射金屬,而這顆 40 W 的燈泡發出的是可見光,矽的導電性也遠遠不如金屬。雖然美國發明家弗里茲 (Charles Fritts) 曾於 1884 年將硒鍍上金箔,做成太陽能電池,但這樣的光伏效應 (Photovoltaic effect,也稱「光生伏特效應」) 轉換效率非常低,只有 1% 左右。歐偉所測到的電壓,超過當時所知的光電效應與光伏效應十倍以上,絕對是項前所未有的發現。

歐偉趕緊找主管來看,同時和同事繼續深入研究這塊矽石。他們發現電流總是由裂痕的上半部流往下半部,而不會反向而行。經過進一步分析發現,裂痕兩邊含有不同的雜質,上半部含有少許的硼,而下半部的雜質則是磷。

他們推測應該是這塊矽石經過高溫熔化,在自然冷卻的過程中,較重的磷下沉得比較快,較輕的硼下沉得比較慢,裂痕出現的地方剛好將這兩種元素阻隔開,以致矽石的上、下半部各有不同的雜質。

歐偉推測電流就是兩邊不同的雜質所致。磷有 5 個價電子,而硼有 3 個價電子,在白熾燈泡的照射下,磷的多餘電子被激發而越過裂痕,填補含硼那一邊矽石的電洞,而產生電流。這就類似電池的負極提供電子給正極,於是歐偉也用「n型」、「p型」來稱呼這兩種矽石,然後把劃分兩邊的裂痕——也就是這兩種半導體的接觸面——叫做「p-n 接面」(p-n junction)。這幾個名稱便一直沿用到現今的半導體。

半體體的基本名稱不但源自歐偉的命名,如今我們懂得利用摻雜來改變半導體的導電性,也是始自他這次的發現。不過對歐偉而言,他一心只想研究無線電波,發現半導體的光伏效應只是偶然,他無意也沒有能力再深究其中原理。

半導體的後續研究隨即由貝爾實驗室另一個團隊接手,這群有量子力學背景的物理學家將釐清 p-n 接面的奧秘,進而發明改變世界的電晶體。

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張瑞棋_96
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1987年清華大學工業工程系畢業,1992年取得美國西北大學工業工程碩士。浮沉科技業近二十載後,退休賦閒在家,當了中年大叔才開始寫作,成為泛科學專欄作者。著有《科學史上的今天》一書;個人臉書粉絲頁《科學棋談》。

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矽光子量產在即,但20年的老規範還能測CPO嗎?
宜特科技_96
・2026/07/01 ・3467字 ・閱讀時間約 7 分鐘

本文轉載自宜特小學堂〈矽光子可靠度驗證該依循哪個規範?當老規範GR-468遇上新科技,系統如何順利Bring-up?〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

台積電在 2026 年技術論壇中明確指出,隨著製程邁入 2 奈米奈米片(Nanosheet)時代,AI 算力的延續必須仰賴《晶片版三層蛋糕論》,涵蓋運算、異質整合與 3D IC,以及最關鍵的「光子(Photonics)」。誠如台積電高層所言:「談到運算能力,電子無可匹敵;但談到訊號傳輸,光子則更勝一籌 。」

未來資料中心的傳輸勢必由電子轉向光學,而台積電的矽光子先進封裝平台 COUPE(緊湊型通用光子引擎,Compact Universal Photonic Engine) 也已搭載到基板上,並宣告今年將進入量產階段。NVIDIA、Intel、Broadcom 等大廠也爭相搶進 CPO(Co-Packaged Optics,共同封裝光學)賽道。

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然而,當光電元件從「獨立模組」轉向「高度整合」的晶片封裝時,可靠度驗證的複雜度已不可同日而語。

面對工程師最常問的:「那規範在哪裡?」


實務上,目前業界針對 CPO 或矽光子產品還沒有單一且完全專屬的標準,最權威的依據仍是經典的 Telcordia GR-468。但在高度整合的趨勢下,這套傳統驗證邏輯正迎來前所未有的挑戰。

之前我們已從矽光子元件組成與決定效能的關鍵(閱讀更多:「光」革新突破半導體極限 矽光子晶片即將上陣),進而分享對應的解決方案(閱讀更多:矽光子開發遇到什麼瓶頸?),以及如何突破矽光子量產的核心難關(閱讀更多:矽光子CPO量產見曙光!從「漏電」到「漏光」如何迎刃而解?)。

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亦針對光子積體電路(PIC)的五大關鍵部件,詳細剖析其常見故障模式(閱讀更多:為什麼 AI 晶片需要「光」?拯救超貴晶片的「矽光子眼科醫生」大解密!)。
本文將從光通訊規範 Telcordia GR-468 的角度,分享如何終端系統應用,回推到模組、元件與製程層級,矽光子系統如何順利 Bring-Up(啟動調試)與量產導入。

一、Telcordia GR-468 究竟是什麼規範?還堪用嗎?

電信級 Telcordia GR-468 是由通訊權威機構 Telcordia Technologies (前身為為美國貝爾通訊研究公司 Bellcore)於 2004 年釋出的核心規範(GR-468-CORE)。儘管它問世已久,但其嚴謹的測試架構,至今仍是全球矽光子元件進入 AI 伺服器供應鏈時,最被系統客戶採用的可靠度驗證依據。

Telcordia GR-468 這項規範的核心價值在於其「跨領域的覆蓋力」

(一) 涵蓋完整光電鏈:包含雷射二極體(Laser Diode,簡稱 LD)、光電二極體(Photodiode,簡稱 PD)、電吸收調變器(Electro-Absorption Modulator,簡稱 EA Modulator)和 LED 等相關光電元件。

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(二) 封裝層級延伸:GR-468 依「組裝完成度」將待測物分為多個封裝層級(Assembly Level),測試對象可從晶圓到單一晶片,延伸至次模組,仍至整顆光模組,從不同層級對應不同測試條件與驗證深度。

GR-468規範示意圖,從晶圓到最終整合模組的完整生命週期,可分為五個驗證階梯。
GR-468規範示意圖,從晶圓到最終整合模組的完整生命週期,可分為五個驗證階梯。圖/宜特科技AI輔助生成製作。

(三) 環境模擬:GR-468 規範嚴格區分機房溫控環境(Central Office,簡稱 CO)與戶外無空調環境(Uncontrolled Environment,簡稱 UNC),不同環境對應不同溫度範圍與應力條件,讓驗證條件貼近真實系統場景,這正是系統端最在意、也最容易在早期被低估的風險來源。


例如,應用於資料中心機房的設備,長期處於溫控環境,溫度與濕度波動小,應力條件相對溫和,驗證重點在於長時間的穩定運作。而隨著 AI 應用場域的擴張,例如:馬斯克計畫將 AI 運算中心送入外太空,若設備處於戶外或無空調環境(Uncontrolled Environment, UNC),將面臨劇烈的溫度波動、濕熱與高環境應力,極端溫差將嚴苛考驗封裝材質與光學對位的穩定度。

(四) 定性與定量並重:Telcordia GR-468 除了可藉由「定性測試(Qualitative Tests)」判別是否符合規範(Pass 或 Fail)、是否可量產導入,亦可透過「定量測試(Quantitative Tests/ Aging Tests)」進行壽命推估(EOL)、可靠度模型建立與系統設計優化。

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GR-468 兼顧定性和定量測試,不只可判別是否可量產導入,亦可推估出系統壽命。
GR-468 兼顧定性和定量測試,不只可判別是否可量產導入,亦可推估出系統壽命。圖/宜特科技AI輔助生成製作。

以上這些 Telcordia GR-468 的設計,讓可靠度驗證能隨產品成熟度逐步展開,非常符合矽光子系統 Bring-Up 與量產導入節奏。

二、為什麼矽光子元件跑完規範,系統還是掛了?

看來 GR-468 規範仍然寶刀未老,但為何在實際應用中,許多跑完規範的矽光子系統仍無法順利運作呢?
宜特觀察發現,即便產品通過了 GR-468 規範中的環境應力測試,開發者在系統 Bring-up 或長期運作時,依然會頻繁遭遇莫名的訊號衰減。

這是因為在 CPO 架構下,光、電、熱、機械四者間的交互影響極其複雜。傳統「通過/不通過(Pass/Fail)」的判定邏輯,已不足以偵測高度整合後產生的深層失效模式。

以下是矽光子走向系統整合時,最令工程師頭痛的兩大硬傷:

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(一) 熱力學矛盾與 ELS(外置光源)的妥協:

負責核心運算的 GPU(圖形處理器)屬於高功耗熱源,運作溫度動輒攀升至 100°C,這與對熱極度敏感、工作溫度需壓制在 70°C 以下的光傳輸元件(雷射光源)產生了嚴重的熱力學矛盾。雷射光源受熱會導致啟動閾值電流指數型增加、波長變長(紅移),並加速元件內部缺陷擴散而縮短壽命。

為了化解這項矛盾,業界傾向 ELS(External Laser Source,外置光源),將雷射光源像電池一樣外掛。但這衍生了以下風險 :

1. 高功率運作的老化(Aging under High Power):

ELS 需供應極高光功率給多個矽光引擎,雷射在極高驅動電流下運作,內部的晶格缺陷會隨時間與高溫擴大,形成「暗線缺陷(Dark Line Defects)」,導致發光效率劇降。

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宜特建議可執行HTOL(高溫操作老化測試)。在 85°C 或更高溫下持續通電數千小時,觀察光功率衰退曲線,以推算出產品是否能支撐 10 年以上的系統壽命。

2. 連接介面的脆弱性:

ELS 增加了連接介面,保偏光纖(PM Fiber)的過度凹折,或是接頭沾染微塵、插拔產生機械微裂痕,都會導致插入損耗(IL)升高,成為系統潛在的故障點。

(二) 異質整合的「應力」拉扯(CTE Mismatch,熱膨脹係數失配):

矽光子晶片內含矽、三五族化合物、玻璃光纖與金屬,這些材料受熱後的膨脹程度(CTE)差異極大。例如矽晶片(2.6)與 PCB 板(15)甚至 UV 光學膠(50~100)之間巨大的應力差,在發熱時會產生劇烈拉扯:

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1. 次微米級的對位挑戰:

光纖陣列(FA)與矽光晶片耦合時,對位精度要求在次微米級。一旦受熱產生Warpage(翹曲)或應力拉扯,輕則光路偏移,重則導致結構 Delamination(剝離)。
宜特建議可透過 TC(溫度循環測試)。在 -40°C 到 +85°C 之間劇烈變換,確認光學膠是否裂開,並嚴格監控 IL(插入損耗)是否超標,而非僅看元件是否能通電。

2. 膠材劣化與水氣滲透:

高溫高濕環境會導致固定用的 UV Epoxy(光學膠)發生老化、膨脹或潛變,直接造成訊號損失。
宜特建議可執行 THB(溫濕度偏壓測試,即85/85測試)。在 85°C/85% RH 環境下施加電壓 1000 小時以上,確保膠材在極端環境下的結構強韌度。

隨著矽光子與 CPO 架構的快速發展,可靠度驗證不該只是為了拿一張合格證書,而是要支撐系統長期的穩定運作。


目前的 Telcordia GR-468 規範環境要求, 主要分成機房溫控環境(簡稱 CO)與戶外無空調環境(簡稱 UNC),但在光通訊業者對故障經驗實務累積下, 以及未來更嚴苛的 AI 運算環境(例如太空軌道資料中心)需求下,現有標準已漸顯不足,IPEC 協會 2025 年可靠度執行協議針對光模組納入抗硫化、鹽霧、落塵等更嚴苛的環境測試,以滿足對可靠度的極致要求,相關供應鏈必須及早做好準備。

本文出自 www.istgroup.com

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討論功能關閉中。

宜特科技_96
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車用晶片要求超嚴格!沒有工廠的IC設計公司,該怎麼讓一線車廠點頭買單?
宜特科技_96
・2026/06/26 ・3664字 ・閱讀時間約 7 分鐘

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想打入熱門的車用半導體供應鏈,對沒有自家晶圓廠的 IC 設計公司來說,最大的挑戰就是:如何向一線車廠證明自家的晶片具備零缺陷(Zero Defect)的頂級品質?答案就藏在 AEC-Q004 車用零缺陷框架裡!只要掌握這套品質管理核心,沒晶圓廠也能脫穎而出,順利拿到進軍車用供應鏈的黃金門票。

本文轉載自宜特小學堂〈 IC設計如何進入車廠供應鏈?一次搞懂 AEC-Q004 車用零缺陷框架〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

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近年來,車用半導體市場熱度持續發燒,許多 IC 設計業者(Fabless)都想搶攻這塊大餅。然而,在傳統消費型電子中,設計歸設計、製造歸製造。但在車用晶片(Automotive IC)領域,一點點微小的瑕疵(Defect)都可能導致嚴重的安全事故,跨入車規市場的門檻可說極高。

自 2018 年起,以 BMW、Volkswagen、Audi 為首的歐系車廠開始積極推動「零缺陷(Zero Defect)」理念,要求半導體供應鏈從設計、製造到測試皆須以風險思維貫穿。Tier 1 供應商與車廠OEM(Original Equipment Manufacturer,原始設備製造商)對產品可靠度與異常回覆速度的要求亦不斷提升,車用晶片不僅要能滿足長達 15 年(或約 1 萬小時以上)的壽命要求與 -40°C 至 +125°C 的極端溫度考驗,還需應對嚴格的外包供應鏈追蹤與客戶稽核。

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具備設計與製造一條龍能力的 IDM(Integrated Device Manufacturer,整合半導體元件製造商),因擁有自家晶圓廠,通常已取得IATF 16949 這張認證,也就是進入汽車供應鏈的「門票」;但對於沒有晶圓廠的 IC 設計業者(Fabless)來說,在缺乏自有製程的情況下,該如何向車廠證明自己的產品具備車規級的零缺陷品質呢?

這時候,AEC-Q004《Automotive Zero Defect Framework》(車用零缺陷框架)就是幫助大家順利通關的終極武器!它可解決「設計和製造溝通斷層」的問題,讓供應鏈上下游能用同一套邏輯說話。本文將帶大家搞懂,如何透過 AEC-Q004 的框架,在產品交付給客戶前,把所有潛在的失效因子通通攔截下來。讓 IC 設計公司能從「被動應付測試」轉向「主動品質管理」,正式從消費級晶片商升格為車規級供應商。

自 2018 年起,歐系大車廠(如 BMW、Volkswagen、Audi)開始強力推動零缺陷(Zero Defect)的品質文化。為了具體落實這個目標,AEC 在 2020 年發布了 AEC-Q004。
AEC-Q004 並非用來取代既有標準,而是作為 AEC-Q100 等車用元件可靠度驗證標準的延伸品質指南,用以補強車用半導體在量產階段(Production Phase)的 Zero Defect 管理機制。

在實務上, AEC-Q004 常與下列體系共同運作:AEC-Q100 / Q101 / Q102(元件可靠度驗證)、IATF 16949(汽車供應鏈品質管理系統)、ISO 26262(功能安全要求)(衍生閱讀:了解三大面向,順利取得IATF 16949汽車品質管理系統證書最新車規AEC-Q100改版速讀 揭示車用晶片可靠度驗證關鍵

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AEC-Q004 Zero Defect 六大管理面向。圖/宜特科技


AEC-Q004將車廠極度要求的「零缺陷」文化,具體化為好懂的「六大管理面向(industry interpretation)」,包含:設計防錯、外包製程監督、測試與良率分析、應用程度評估、持續改善,以及問題解決。這六大管理面向能對應到 IATF 16949 的核心工具(如 FMEA、SPC、PPAP 等),成功消除了「設計端」與「製造端」之間的斷層。(衍生閱讀:車規最新 探索AEC-Q004零缺陷的世界

彙整 AEC-Q004 六大管理面向與 IATF16949 核心工具之對應關係。圖/宜特科技

宜特科技指出,AEC-Q004 的「統計防錯」基礎也跨度整合了 AEC-Q001 (Part Average Testing, PAT) 與 AEC-Q002 (Statistical Yield Analysis) 兩項核心規範,用來過濾異常樣本(Outlier)與管控異常良率批次(SYL、SBL),確保隱性不良品不會流入車廠。

有了這套標準,再加上 ASP 外包治理機制,即使是沒有自有工廠的 IC 設計業者(Fabless),也能無縫對接代工廠(Foundry)與封測廠(OSAT)。宜特
專家團隊認為,這不僅能確實滿足車規嚴苛的壽命與可靠度要求,更能帶領企業穩健邁向系統化的零缺陷管理。

AEC-Q004 零缺陷實施架構。圖表的左半邊(產品設計階段)做得愈紮實,右半邊(預防失效)的成效就愈顯著。圖/AEC-Q004

(一) 三層防錯架構:

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根據我們的實務驗證經驗,AEC-Q004 為了將零缺陷管理從設計端一路延伸至量產與改善階段,特別將六大管理面向(industry interpretation)橫向展開,並縱向打造了「三層防錯架構」,形成一個從實體特徵、電性行為到統計監控的全流程風險防控循環:

  1. 實體層(Physical):
    關注物理與結構上的控制,包含製程能力、SPC(統計製程管制)、OCAP(異常行動計畫)。
  2. 電性層(Electrical):
    確保電性行為符合預期,包含 EDS (Electrical Die Sort,晶圓針測) 與 Test Coverage(測試覆蓋率)。
  3. 統計層(Statistical):
    運用強大的數據分析抓出隱形瑕疵,包含 PAT、SBL、SYL 以及異常樣本管控(Outlier Control)。

為了讓大家更好理解這套立體的防護網,AEC 建立了一個清晰的交叉矩陣,確保六大管理面向(industry interpretation)在每個層次都能被徹底落實。

AEC-Q004 三層防線 × 六大管理面向(industry interpretation)交叉矩陣 (符號說明:● 主要關聯 / △ 次要關聯 / ○ 輔助關聯) 。圖/宜特科技

(二) 跨標準的「統計攔截失效機制」:

在這三層防線中,最核心且最具威力的就是「統計層」。簡單來說,就是透過統計數據來抓出潛在的不良品。AEC-Q004 為了有效防堵失效,特別跨度整合了 AEC-Q001 與 AEC-Q002 兩項核心規範,建立起強大的「統計防錯機制」,精準過濾異常批次與產品:

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  1. PAT(Part Average Test)抓出異常樣本(Outlier):
    在同一批晶片中,即使某顆晶粒的測試數據「符合規格」,但若其電性參數 明顯偏離該批次的統計分佈(statistical distribution),仍可能被判定為 Outlier 並予以篩除。透過這種 Outlier Screening(PAT),可提前攔截可能導致早期失效(Early Failure) 的潛在不良晶粒流入車廠。
  2. SYL(Statistical Yield Limit)剔除低良率批次:
    當某批次整體的測試 bin 分佈或良率表現明顯偏離長期統計趨勢(例如低於統計下限) 時,即可能觸發 SYL (Statistical Yield Limit) 機制。這代表該批產品可能存在製程、材料或設備異常,因此必須啟動調查並可能暫停出貨,以避免潛在缺陷流入車廠。
  3. SBL(Statistical Bin Limit)調查假性高良率:
    當某個測試 bin 的比例異常增加(高於統計上限)時,可能代表測試條件設定異常、測試覆蓋率不足,或潛在缺陷未被正確篩出。此時需啟動 SBL(Statistical Bin Limit)調查,以確認是否存在測試逃逸(Test Escape)或測試條件偏移的風險。透過這套結合了實體、電性與統計攔截的「防錯機制」,半導體業者就能有效拉起防線,將不良品阻絕於車廠之外。

宜特長期觀察發現,在實務上,許多車廠會要求 Fabless IC 公司建立 Automotive Service Package(ASP),以確保代工廠(Foundry)與封測廠(OSAT)的製程與品質管理符合車用品質要求。

身為 IC 設計公司,產品需要交由代工廠(Foundry)與封測廠(OSAT)生產。為了確保代工製程符合車規的穩健性,建議業者必須依循 AEC-Q004 要求,建立完善的 ASP (Automotive Service Package) 制度。

透過設計–製造–測試的「三層防線(實體層、電性層、統計層)」,IC 設計業者可以嚴格監督外包夥伴。例如:要求代工廠的製程能力指標 Cpk 必須大於等於 1.67、強制實施 OCAP(異常行動計畫)與 PAT 統計攔截,並且簽訂車用品質協議(Automotive Quality Agreement)以釐清品質責任。

車用ASP 與商用製程差異對照表。圖/宜特科技

隨著 Tier 1 與車廠對可靠度的要求越來越高,AEC-Q004 已經成為 IC 設計業者跨入車規市場、與車廠對話的關鍵橋樑。它不僅僅是一份文件,更是一個強大的協同機制。只要掌握了這套零缺陷的通用語言,沒有晶圓廠的 IC 設計公司也能以「設計防錯、製程監督、統計防錯」三位一體的方式,成功打入車用半導體供應鏈。
我們建議往零缺陷方向努力的供應商,通過 AEC-Q100 只是起點,能通過車廠對「零缺陷」的嚴苛稽核才是真正的考驗。

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本文出自 www.istgroup.com

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宜特科技_96
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當完全自駕讓晶片工時暴增十倍,電子元件如何撐過「馬拉松式」的損耗考驗?
宜特科技_96
・2026/06/24 ・2494字 ・閱讀時間約 5 分鐘

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人類駕駛會疲勞、需要休息,但完全自駕車卻能 24 小時在路上奔馳,對車用晶片來說,這場長達 15 年的『無間斷馬拉松』,究竟現行的晶片規範夠用嗎?如果研發出的車用晶片只需拿到 Pass 報告,卻說不出它何時會失效,這就是潛在的災難。在車用世界講求「零缺陷」的賽道上,唯有精準掌握產品『何時失效』與『為何失效』,才能守住全球車用供應鏈的最後一道防線。

本文轉載自宜特小學堂〈AEC規範沒寫的,就不用測嗎?當車用 Pass 報告已不足以拿到訂單怎麼辦?〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

邁入 2026 年,全球汽車產業正視的「Zero Defect (零缺陷)」 已不再僅是標語,而是車廠在法律責任與品牌存續間的唯一防線。隨著各國相關法規陸續將 L3-L5 級以上(指由系統監測駕駛環境的高階自動駕駛階段)的事故責任歸屬於車企(OEM),「系統失效」的成本已從單純的召回費用,演變成企業必須承擔的法律責任。

對工程師而言,最嚴峻的挑戰在於,現行的 AEC-Q 系列等通用標準,在面對 L3-L5 自動駕駛 Mission Profile(任務剖面)時已顯得捉襟見肘。

當車輛不再受限於人類駕駛的生理疲勞,實現完全自主行駛時,日運行時間可能從 2 小時拉長至 20 小時。隨之而來的是,車載半導體的工作壽命時間將是現行 AEC 規範的 4 倍或更多。

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但傳統的「Pass/Fail」測試僅能保證出廠品質,要達成 Zero Defect 必須跨越傳統驗證的舒適圈。本期小學堂將從實驗室的第一線視角,解析如何在研發初期透過深層的技術驗證,跨越傳統的「Pass/Fail」測試,鋪設這條通往零缺陷的安全之路。

宜特實驗室長期觀察發現,面對先進封裝動輒數百到數千個微小接點,高達 64% 的問題其實是出現在 OSAT(委外封測代工廠)的製程中。

為了防範未然,IC 設計公司不能只看 OSAT 提供的良率報告,而是必須主動出擊,應把破壞性物理分析(DPA)作為常態性的生產監控工具。從封裝後的結構切開檢查(Cross-section),哪怕每天或每月只抽樣1到2顆晶片,都更能幫助揪出隱藏在封裝製程中因物理性缺陷所引發的失效問題,從源頭守住品質防線(閱讀更多:車用工程師惡夢!為何晶片通過ATE測試仍遭退貨?

目前 AEC-Q 規範大都要求執行 1,000 小時測試,早在 2017 年起就有國際一線車廠提出「現行AEC-Q規範已不足以應對未來真實需求」。隨著自動駕駛技術逐漸推進到 L3-L5 階段,車輛運轉時間將至少是現有規範的4倍或更多。因此,AEC-Q 規範首次以「累積失效模式」取代過去「有限時間」的測試方法,了解產品在全生命週期中的失效分布狀態。

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(一) 失效累積63.2%的數據背後,核心價值是「壽命預測」

在 AEC-Q007 的板階溫度循環測試(TC Test)中,要求測試必須進行到「累積失效達63.2%」或「完成3000 個循環無失效發生」為止。進而採用韋伯分佈(Weibull Distribution)分析,以獲得產品在全生命週期中(浴缸曲線)的失效分布情形 (閱讀更多:最新 AEC-Q007 規範搶先看 車用Board Level驗證手法大公開)。
如果研發工程師的目標,僅僅是為了拿到 Pass 結案,就完全喪失了可靠度測試的初衷。做測試的真正目的,是要回答一個最核心的課題:「所開發的產品到底何時會失效?」

本圖展示了如何利用AEC-Q007規範所要求的韋伯分佈統計分析(圖中藍色帶落點斜線),來定位與預測車用元件在標準浴缸曲線(背景橘色曲線)中的失效分佈狀態。圖/宜特科技

(二) 如何透過數據精準「預測」晶片的失效期?

真正的領先者會將AEC-Q007測試得出的失效數據,帶入韋伯分佈模型進行深層分析,從中獲取以下關鍵情報:

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  1. 定位浴缸曲線(Bathtub Curve)階段:
    經由韋伯分析,可取得產品特徵壽命(Characteristic life – η)和失效分布「形狀參數(Shape parameter, β)」,即可判斷產品失效是屬於製程缺陷導致的「早夭期失效」,或使用期間的「隨機失效」,還是材料自然退化所造成的「老化期失效」。若早夭期過長,代表產品存在著設計或製程問題;若老化期發生在設計壽命期內,那將是一場災難。
  2. 是否滿足任務目標需求(Mission Profile):
    從產品的「首次失效點(First Failure)」,可推算產品在多使用幾年後會出現失效,同時也可以計算出在保固期(N年)內會發生缺陷率的比例,以做為市場備料參考依據。當然,也可藉由韋伯分析結果,来確認產品是否真能滿足車廠任務目標(Mission Profile)與客戶期待。
  3. 精算安全備援(Redundancy)設計:
    對於車用系統而言,任何失效都可能危及人命。當我們能精準預測產品幾年後會壞,設計者才能計算系統需要多少顆晶片來做「冗餘(Redundancy)」設計,以確保在主系統在發生問題時,備援系統能即時接管,達到汽車運行時的絕對安全。

汽車使用年限長達 10 至 15 年,且必須在極為複雜且嚴苛的環境應力下正常運轉,除了大自然氣候環境應力外,還必須確保在長期振動與機械衝擊的環境下能正常運作。而目前 AEC-Q007 僅針對溫度循環進行要求,因此板階可靠度必須增加震動與機械衝擊試驗,才能貼近汽車電子真實所遇到的環境,不能因為標準沒有要求,而忽略去了解震動與機械衝擊試驗在板階可靠度上的關鍵影響性。

在過去,IC設計業往往側重於功能性設計(Design for function);但在汽車電子領域,可靠度設計(Design for Reliability)與可製造性(Design for Manufacturing)更為重要,同時從失效機制的角度出發,才能在「零缺陷」的賽道上逐步前進,進而贏得客戶的長期信任與訂單。

若想看完整 AEC-Q007 文件,請點此觀看。

本文出自 www.istgroup.com

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