關於綠建築的標準,讓我們先回到 1990 年,當時英國建築研究機構(BRE)首次發布有關「建築研究發展環境評估工具(Building Research Establishment Environmental Assessment Method,BREEAM®)」,是世界上第一個建築永續評估方法。美國則在綠建築委員會成立後,於 1998 年推出「能源與環境設計領導認證」(Leadership in Energy and Environmental Design, LEED)這套評估系統,加速推動了全球綠建築行動。
隨著半導體積體電路技術的不斷發展,我們見證了摩爾定律的演進,元件尺寸的微縮和新材料的應用,都是為了提高單位面積內的元件數量,以加速 IC 的運算速度,同時改善散熱效能和節省能源。然而,隨著尺寸的微縮接近物理極限,製程技術面臨挑戰,良率問題也隨之浮現。
因應這一挑戰,專家開始探索將不同功能的 IC 集合成單一晶片、採用 3D 堆疊封裝技術等新途徑,但這些技術的核心仍然是用金屬線連接各個元件。自從晶片問世以來,「電子」一直是主要的訊號傳輸媒介,它的傳輸速度直接決定了晶片的性能。近年來高效能運算(HPC)、人工智慧(AI)、雲端數據等需求爆炸性成長,如何能突破限制實現更高效能的傳輸呢?於是大家把目光轉向了「光子」,藉由更快速的「光子」引入,是否可以加快元件的運作呢?
光通訊運用的「光纖」系統,能於世界各地以每秒數萬億 bit 的速度傳送數據,1968 年貝爾實驗室工程師很早就想到了。到了 21 世紀初發現光子技術不僅能在國與國之間做數據的傳遞,亦可在數據中心甚至是 CPU 之間,乃至於在晶片與晶片之間做數據傳輸。之所以採用「光」是因為玻璃(SiO2)對於光來說是透明的,不會發生干擾的現象,基本上,可以透過在 SiO2 中,結合能夠傳遞電磁波的光波導(Waveguide)通路來高速地傳輸數據。
先以圖三簡單的說明一顆單晶片的設計,Ge-PIN 光電偵測器與 Si -光波導的相對位置,(a)圖為剖面結構示意圖,光波導位於本質層下方,(b)圖為正面 Layout。
因為 Ge-PIN 的品質差異會影響到偵測器的光電效能,鍺(Ge)的磊晶製程與 矽(Si)之間會有晶格不匹配與離子植入產生的差排缺陷等影響品質,圖四是Ge-PIN藉由穿透式電子顯微鏡(TEM)的觀察,可以明顯看出在本質層(Intrinsic)與 P 區均呈現亮區,代表沒有明顯缺陷,反觀在右側的 N 區則呈現暗灰色,這應該是源自於離子植入製程所產生的晶格缺陷。(延伸閱讀:破解半導體差排軌跡 TEM 技術找出晶片漏電真因)