0

2
1

文字

分享

0
2
1

矽光子開發遇到什麼瓶頸?

宜特科技_96
・2025/11/18 ・2114字 ・閱讀時間約 4 分鐘

本文轉載自宜特小學堂〈矽光子開發為何這麼難?驗證手法是關鍵〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

談到「漏電」,你一定很熟悉;但「漏光」呢?在積體電路(Electrical Integrated Circuit, 簡稱EIC)的世界,短路、開路、金屬遷移,是工程師每天要面對的課題。然而,當「光」也被整合進晶片,遊戲規則就完全不同了。

在矽光子積體光路((Photonic Integrated Circuit, 簡稱PIC)的世界,要處理的不是電子,而是光子:耦合損耗、波導裂縫、散射與吸收,都可能成為隱形殺手。你不再只檢查電流是否順利通過,而是要量測不同波長下的衰減(Insertion Loss)、偏振依賴性(PDL),甚至追蹤隱藏在波導裡的漏光點。

在邁向 CPO(Co-Packaged Optics,共同封裝光學)的道路上,幾乎所有研發團隊都深有同感:前一步才剛突破設計,下一步卻又卡在測試或封裝。從漏光、光損,到可靠度與良率,每個環節出錯都可能拖慢你的進度。

矽光子開發為何卡關?

從宜特實際接案經驗來看,依照製程順序,可歸納出五大痛點:

  1. PIC 前段驗證不足:

由於缺乏PIC晶片封裝前的 Pre-test 介面,加上 Die-to-Die 對位精度難以掌握,往往導致後段整合良率下降。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----
  1. 光學元件可靠度驗證難以量化: 

目前矽光子產品在可靠度驗證上存在兩大挑戰:一是光電二極體(Photodiode, PD,光檢測器)缺乏可程控、多通道的老化測試平台,導致其在高功率或長時間操作下的壽命特性難以量化;二是光學元件在進行溫度循環、濕熱、震動或灰塵等可靠度試驗時,對於Insertion Loss(IL,光損耗或插入損耗)的變化缺乏明確數據,也讓研發團隊在長期可靠度驗證上面臨更大風險。

  1. 晶片切割(Die Saw)s風險高: 

對於 Low-K 材料的 PIC 晶片而言,切割過程容易產生邊緣崩裂(chipping)與結構損傷,影響後續的可靠度與性能

  1. 缺陷分析與 CP 測試困難:

光損熱點與漏光位置難以快速定位,而波導、耦合器、調變器等結構缺陷的分析亦缺乏精準工具

  1. CPO 封裝挑戰嚴峻:

在 PIC、EIC 與 FAU (Fiber Array Unit) 的組裝過程中,封裝翹曲(warpage)問題常導致良率降低,成為工程師迫切需要突破的瓶頸以上這些問題,宜特早已準備好解答。從 Substrate/Socket 設計、光及電測試可靠度驗證結構分析,我們都可提供標準化、可擴充的測試方案,完整支援你的矽光子開發流程。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

Q1:PIC 在封裝前要怎麼測?沒有介面怎麼辦?
A1:很多團隊因為缺乏 Pre-test 介面,只能等到正式封裝後才知道結果,風險很大。宜特能設計客製化 Substrate 與 Chip Bonding 流程,支援晶片在封裝前就能進行高速光測試;同時透過精準 Die-to-Die 對位,幫助工程師在驗證階段就把握良率關鍵。

Q2:光檢測器(PD)怎麼模擬高功率與長期使用情境?
A2:多數客戶苦於沒有多通道、可程控的平台,無法進行長期老化測試。宜特打造定電流、定電壓模組,可同時測試多組PD。可程控雷射源,模擬高功率工作環境。並能提供完整的長期壽命驗證,針對光老化、PD stress 提供完整解決方案,確保 PD 元件的穩定度。

Q3:光學元件的可靠度要怎麼量化?IL 變化沒有標準依據怎麼辦?
A3:在溫度循環、濕熱、震動或落塵等可靠度測試中,IL 變化往往難以界定。宜特建立了全系列可靠度測試流程(TCT、熱循環、震動、落塵…),並以 IL 變化作為Pass/Fail判斷,讓風險數據化,設計決策更有依據。

Q4:遇到光損熱點或波導缺陷,該如何快速找到問題?
A4:傳統檢測常像「黑盒子」,缺陷難以被精準定位。宜特與光晶片量測設備商光焱展開合作,導入Enlitech NightJar光學檢測平台,透過晶圓層級光損 mapping,不只能找到漏光位置,此平台更能量化光衰數值並精準定位異常區域。同時,我們也能針對耦合器、波導、調變器與 PD 進行深度結構分析,完全攤開隱藏缺陷。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

Q5:CPO 封裝與晶片切割最怕良率掉,該怎麼避免?
A5:PIC + EIC + FAU 的組裝常因封裝翹曲(warpage) 而降低良率。宜特提供組裝前 Warpage 量測,在問題放大前預防風險。另外針對 Low-K PIC 晶片切割,我們具備雷射溝槽(Laser Grooving)和精密刀片切割(Blade Dicing,簡稱BD)技術,有效降低邊緣崩裂(chipping),提升晶片良率與可靠度。

少走彎路,才能快一步從電路跨向光路

隨著 AI 伺服器與高速交換器需求飆升,業界將加速導入 CPO(Co-Packaged Optics)與光電整合 (EIC+PIC) 的應用。宜特矽光子驗證一站式解決方案,從設計、光電測試、可靠度驗證到封裝挑戰,不僅協助你縮短研發時程,更確保每一步都有數據依據,少走彎路。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----
文章難易度

討論功能關閉中。

宜特科技_96
20 篇文章 ・ 5 位粉絲
我們了解你想要的不只是服務,而是一個更好的自己:) iST宜特自1994年起,以專業獨家技術,為電子產業的上中下游客戶, 提供故障分析、可靠度實驗、材料分析和訊號測試之第三方公正實驗室

0

0
0

文字

分享

0
0
0
從奈米微塵到化學氣體, HEPA 與活性碳如何聯手打造純淨空氣?
鳥苷三磷酸 (PanSci Promo)_96
・2026/04/17 ・4433字 ・閱讀時間約 9 分鐘

本文由 Amway 委託,泛科學企劃執行。

很多人可能沒想到,無論是家用的空氣清淨機,還是造價動輒百億的頂尖晶圓廠,它們對抗污染的核心武器並非什麼複雜的雷射防護罩,而是一片外觀像紙一樣的 HEPA 濾網
在半導體產業的無塵室中,「乾淨」的定義極其殘酷:一粒肉眼看不見的灰塵,就足以讓造價數百萬美元的晶圓直接報廢 / 圖片來源:envato

到底怎樣才算是「乾淨」?這不是什麼靈魂拷問,而是一個價值上億的商業命題。

在半導體產業的無塵室中,「乾淨」的定義極其殘酷:一粒肉眼看不見的灰塵,就足以讓造價數百萬美元的晶圓直接報廢。空氣品質的好壞,甚至能成為台積電(TSMC)決定是否在當地設廠的關鍵性指標。回到你的家中,雖然不需要生產精密晶片,但我們呼吸系統中的肺泡同樣精密,卻長期暴露在充滿 PM2.5、病毒以及各種揮發性氣體的環境中。為了守護健康,你可能還要付費購買「乾淨的空氣」來用。

因此,空氣議題早已超越單純的環保範疇,成為同時影響國家經濟與個人健康的重要問題。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

很多人可能沒想到,無論是家用的空氣清淨機,還是造價動輒百億的頂尖晶圓廠,它們對抗污染的核心武器並非什麼複雜的雷射防護罩,而是同一件看起來平凡無奇的東西:一片外觀像紙一樣的 HEPA 濾網。但你真的相信,就憑這層厚度不到幾公分的板子,能擋住那些足以毀滅精密晶片、滲透人體細胞的「奈米級刺客」嗎?

這片大家都聽過的 HEPA 濾網,裡面到底是什麼?

首先,我們必須打破一個直覺上的誤解:HEPA 濾網(High Efficiency Particulate Air filter)在本質上其實並不是一張「網」。

細懸浮微粒 PM2.5,是指粒徑在 2.5 微米以下的污染物,它們能穿過呼吸道直達肺泡,並穿過血管引發全身性發炎。但這只是基本,在工廠與汽車尾氣中,還存在粒徑僅有 1 微米的 PM1,甚至是小於 0.1 微米的「超細懸浮微粒」(UFP,即 PM0.1)。 UFP 不僅能輕易進入血液,甚至能繞過血腦屏障(BBB),進入大腦與胎盤,其破壞力十分可怕。

如果 HEPA 濾網像水槽濾網或麵粉篩一樣,單靠孔目大小來「過濾」粒子,那麼為了攔截奈米微粒,濾網的孔目只能無限縮小到幾乎不透氣的程度。更別說在台積電或 Intel 的製程工程師眼裡,一般人認為的「乾淨」,在工程師眼裡簡直像沙塵暴一樣。對於線寬僅有 2 奈米3 奈米(相當於頭髮直徑萬分之一)的晶片而言,空氣中一顆微小的塵埃,就是一顆足以毀滅世界的隕石。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

因此,傳統的過濾思維並非治本之道,我們需要的是原理截然不同的過濾方案。這套技術的雛形,最早可追溯至二戰時期的「曼哈頓計畫」。

HEPA 的前身,誕生於曼哈頓計畫!

1940 年代,製造濃縮鈾是發展原子彈的關鍵。然而,若將排氣直接排向大氣,會導致致命的放射性微粒擴散。負責解決這問題的是 1932 年諾貝爾化學獎得主歐文·朗繆爾(Irving Langmuir),他是薄膜和表面吸附現象的專家。他開發了「絕對過濾器」(Absolute Filter),其內部並非有孔的篩網,而是石綿纖維。

有趣的來了,如果把過濾器放到顯微鏡下,你會發現纖維之間的空隙,其實比某些被攔截的粒子還要大。那為什麼粒子穿不過去呢?這是因為在奈米尺度下,物理規則與宏觀世界完全不同。極微小的粒子在空氣中飛行時,並非走直線,而是會受到空氣分子撞擊,而產生「布朗運動」(Brownian Motion),像個醉漢一樣東倒西歪。

當粒子通過由緻密纖維構成的混亂迷宮時,布朗運動會迫使它們不斷轉彎、移動,最終撞擊到帶有靜電的纖維上。這時,靜電的吸附力會讓纖維就像蜘蛛網般死死黏住微粒。那些狂亂移動的奈米刺客,就這樣被永久禁錮迷宮中。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

現在最常見的 HEPA 材料,是硼矽酸鹽玻璃纖維。

現代 HEPA 濾網最常見的核心材料為硼矽酸鹽玻璃纖維。這些玻璃纖維的直徑通常介於 0.5 至 2 微米之間,它們在濾網內隨機交織,像是一座茂密「黑森林」。微粒進入這片森林後,並非僅僅面對一層薄紙,而是得穿越一個具有厚度且排列混亂的纖維層,微粒極有可能在布朗運動的影響下撞擊並黏附在某根玻璃絲上。

除此之外,HEPA 濾網在外觀上還有一個極具辨識度的特徵,那就是像手風琴般的摺紙結構。濾材會被反覆摺疊、摺成手風琴的形狀,中間則用鋁箔或特殊的防潮紙進行結構支撐,目的是增加表面積。這不僅為了捕獲更多微粒,而是要「降低過濾風速」。這聽起來可能有點反直覺:過濾不是越快越好嗎?

其實,這與物理學中的流速控制有關。想像一條水管,如果你捏住出口,水流會變得湍急;若將出口放開並擴大,雖然總出水量不變,但出水處的流速會變得緩慢。對於 HEPA 濾網而言,當表面積越大,單位面積所需承載的空氣量就越少,空氣穿透濾網的速度也就越低。

低流速代表微粒停留在濾網內的時間也更久,增加被捕捉的機會。此外,越大的表面積也為 HEPA 濾網帶來了高「容塵量」,延長了使用壽命,這正是它能夠稱霸空氣清淨領域多年的主因。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

然而,即便都叫做 HEPA 高效率空氣微粒子過濾網 (High Efficiency Particulate Air filter),但每個 HEPA 的成分與結構還是會不一樣。例如 安麗逸新空氣清淨機 SKY ,其標榜「可過濾粒徑最小至 0.0024 微米」的污染物,去除率高達 99.99%。

0.0024 微米是什麼概念?塵蟎、花粉、皮屑或黴菌孢子,大小約在 2 至 200 微米;細懸浮微粒  PM2.5 大小約 2.5 微米,細菌也大概這麼大。最小的其實是粒徑小於 0.1 微米的「超細懸浮微粒」,大多數的病毒(如流感、新冠病毒)都落在此區間。對安麗逸新 的HEPA濾網來說,基本上通通都是可被攔截的榜上名單。

在過敏防護上,它更獲得英國過敏協會(Allergy UK)認證,能有效處理 19 大類、102 種過敏原,濾除空氣中超過 300 種氣態與固態污染物。

同樣的過濾邏輯一旦進入半導體無塵室,就必須換一條更為嚴苛的技術路線。因為硼矽酸鹽玻璃纖維對晶圓來說有個致命傷,就是「硼 (Boron)」 / 圖片授權:Shutterstock

然而,同樣的過濾邏輯一旦進入半導體無塵室,就必須換一條更為嚴苛的技術路線。因為硼矽酸鹽玻璃纖維對晶圓來說有個致命傷,就是「硼 (Boron)」。

在半導體製程中,硼是常見的 P 型摻雜物,用來精準改變矽晶圓的電性。如果濾網有任何微小的破損、老化或化學侵蝕,進而釋放出極微量的硼離子,就可能直接污染晶圓,改變其導電特性,導致晶片報廢。

此外,無塵室要求的是比 HEPA 更極致的 ULPA(超低穿透率空氣濾網) 等級的潔淨度。ULPA 的標準通常要求對 0.12 微米 的粒子達到 99.999% 甚至 99.9999% 的超高攔截率。在奈米級的競爭中,任何多穿透的一顆微塵,都代表著一筆不小的經濟損失。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

為了解決「硼」的問題並追求極限的過濾效率,材料學家搬出了塑膠界的王者,PTFE 也鐵氟龍。鐵氟龍不僅耐酸鹼、耐腐蝕,還能透過拉伸製成直徑僅 0.05 至 0.1 微米 的極細纖維,其細度遠勝玻璃纖維。雖然 PTFE 耐化學腐蝕,但它既昂貴且物理上也很脆弱,安裝時若不小心稍微觸碰,數萬元的濾網就可能報銷。因此,你只會在晶圓廠而非一般家庭環境看到它。

即便如此,在空氣濾淨系統中,還有一樣是無塵室和你家空氣清淨器上面都有的另一張濾網,就是活性碳濾網。

活性碳如何從物理攔截跨越到分子吸附?

好不容易將微塵擋在門外時,危機卻還沒有解除。因為空氣中還隱藏著另一類更難纏的大魔王:AMC(氣態分子污染物)

HEPA 或 ULPA 這類物理濾網雖然能攔截固體微粒,但面對氣態分子時,就像是用網球拍想撈起水一樣徒勞。這些氣態分子如同「幽靈」一般,能輕易穿過物理濾網的縫隙,其中包括氮氧化物、二氧化硫,以及來自人體的氨氣與各種揮發性有機物(VOCs)。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

為了對付這些幽靈,我們必須在物理防線之外,加裝一道「化學濾網」。

這道防線的核心就是我們熟知的活性碳。但這與烤肉用的木炭不同,這裡使用的是經過特殊改造的「浸漬處理(Impregnation)」活性碳。材料科學家會根據敵人的不同性質,在活性碳上添加不同的化學藥劑:

  • 酸鹼中和:對付氮氧化物、二氧化硫等酸性氣體,會在活性碳上添加碳酸鉀、氫氧化鉀等鹼性藥劑,透過酸鹼中和反應將有害氣體轉化為固體鹽類。反之,如果添加了磷酸、檸檬酸等酸性藥劑,就能中和空氣中的氨氣等鹼類。
  • 物理吸附與凡德瓦力:對於最麻煩的有機揮發物(VOCs,如甲醛、甲苯),因為它們不具酸鹼性,科學家會精密調控活性碳的孔徑大小,利用龐大的「比表面積」與分子間的吸引力(凡德瓦力),像海綿吸水般將特定的有機分子牢牢鎖在孔隙中。
活性碳如何從物理攔截跨越到分子吸附? / 圖片來源:Amway

空氣濾淨的終極邏輯:物理與化學防線的雙重合圍

在晶圓廠這種對空氣品質斤斤計較的極端環境,活性碳的運用並非「亂槍打鳥」,而是一場極其精密的對戰策略。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

工程師會根據不同製程區域的空氣分析報告,像玩 RPG 遊戲時根據怪物屬性更換裝備一樣——「打火屬性怪要穿防火裝,打冰屬性則換上防寒裝」。在最關鍵的黃光微影區(Photolithography),晶圓最怕的是人體呼出的氨氣,此時便會配置經過酸性藥劑處理的活性碳進行精準中和;而在蝕刻區(Etching),若偵測到酸性廢氣,則會改用鹼性配方的濾網。這種「對症下藥」的客製化邏輯,是確保晶片良率的唯一準則。

而在你的家中,雖然我們無法像晶圓廠那樣天天進行空氣成分分析,但你的肺部同樣需要這種等級的保護。安麗逸新空氣清淨機 SKY 的設計邏輯,正是將這種工業級的精密防護帶入家庭。它不僅擁有前述的高規 HEPA 濾網,更搭載了獲得美國專利的活性碳氣味濾網。

關於活性碳,科學界有個關鍵指標:「比表面積(Specific Surface Area)」。活性碳的孔隙越多、表面積越大,其吸附能力就越強。逸新氣味濾網選用高品質椰殼製成的活性碳,並經過高溫與蒸氣的特殊活化處理,打造出多孔且極致高密度的結構。

這片濾網內的活性碳配重達 1,020 克,但其展開後的總吸附表面積竟然高達 1,260,000 平方公尺——這是一個令人難以想像的數字,相當於 10.5 個台北大巨蛋 的面積。這種超高的比表面積,是市面上常見濾網的百倍之多。更重要的是,它還添加了雙重觸媒技術,能特別針對甲醛、戴奧辛、臭氧以及各種細微的異味分子進行捕捉。這道專利塗層防線,能將你從裝潢家具散發的有機揮發氣體,或是路邊繁忙車流的廢氣中拯救出來,成為全家人的專屬空氣守護者。

總結來說,無論是造價百億的半導體無塵室,還是守護家人的空氣清淨機,其背後的科學邏輯如出一轍:「物理濾網攔截微粒,化學濾網捕捉氣體」。只有當這兩道防線同時運作,空氣才稱得上是真正的「乾淨」。

進一步了解商品:https://shop.amway.com.tw/products/2071?navigationType=brand&

-----廣告,請繼續往下閱讀-----
文章難易度

討論功能關閉中。

0

3
1

文字

分享

0
3
1
「光」革新突破半導體極限 矽光子晶片即將上陣
宜特科技_96
・2024/09/22 ・3810字 ・閱讀時間約 7 分鐘

矽光子是近年熱門議題,晶圓大廠計劃將先進封裝整合 CPO 及矽光子技術,預計兩年後完成並投入應用。早在 2020 年,Intel  就指出矽光子將是先進封裝發展的關鍵,如今矽光子已真正成為半導體產業的核心研發方向。面對這次「電」轉「光」的新革命,您準備好了嗎?

本文轉載自宜特小學堂〈光革新突破半導體極限 矽光子晶片即將上陣〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

隨著半導體積體電路技術的不斷發展,我們見證了摩爾定律的演進,元件尺寸的微縮和新材料的應用,都是為了提高單位面積內的元件數量,以加速 IC 的運算速度,同時改善散熱效能和節省能源。然而,隨著尺寸的微縮接近物理極限,製程技術面臨挑戰,良率問題也隨之浮現。

因應這一挑戰,專家開始探索將不同功能的 IC 集合成單一晶片、採用 3D 堆疊封裝技術等新途徑,但這些技術的核心仍然是用金屬線連接各個元件。自從晶片問世以來,「電子」一直是主要的訊號傳輸媒介,它的傳輸速度直接決定了晶片的性能。近年來高效能運算(HPC)、人工智慧(AI)、雲端數據等需求爆炸性成長,如何能突破限制實現更高效能的傳輸呢?於是大家把目光轉向了「光子」,藉由更快速的「光子」引入,是否可以加快元件的運作呢?

什麼是矽光子(Silicon photonics,簡稱 SiPh)?

矽光子(Silicon photonics,簡稱 SiPh) 是一種結合電子與光子的技術,是將光路微縮成一小片晶片,利用光波導在晶片內傳輸光信號。若能將處理光訊號的光波導元件整合到矽晶片上,同時處理電訊號和光訊號,便可達到縮小元件尺寸、減少耗能、降低成本的目標,但目前矽光子仍有許多技術難題需克服。

光通訊運用的「光纖」系統,能於世界各地以每秒數萬億 bit 的速度傳送數據,1968 年貝爾實驗室工程師很早就想到了。到了 21 世紀初發現光子技術不僅能在國與國之間做數據的傳遞,亦可在數據中心甚至是 CPU 之間,乃至於在晶片與晶片之間做數據傳輸。之所以採用「光」是因為玻璃(SiO2)對於光來說是透明的,不會發生干擾的現象,基本上,可以透過在 SiO2 中,結合能夠傳遞電磁波的光波導(Waveguide)通路來高速地傳輸數據。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

而矽(Si)材料的折射率(Refractive index)對比在紅外線的波長下高達 3.5,這也意味著,它比許多其他光學中所用的材料,更能有效地控制光的彎折或減速。一般光學傳輸的波長是 1.3 和 1.55 微米,在這兩個波段下矽材料不會吸收光線,因此光線能夠直接穿透矽材料。這種相容性使矽基設備能夠長距離傳輸大量數據,不會明顯失去訊號。

因此,矽光子技術透過原本 CMOS 矽(Si)的成熟技術,結合光子元件製程,可以使處理器核心之間的資料傳輸速度提高數百倍以上,且耗能更低;CPO(共同封裝光學)則是利用矽光子技術,將光通訊元件和交換器做整合,放在同一個模組內,這樣能縮短傳輸路徑,並在高速傳輸時,降低延遲與功耗。現今各大廠的目標是透過CPO和矽光子,實現更高效的光電封裝整合,大幅提升傳輸性能。

除了前面提到高效運算跟人工智慧需求不斷增加,光學雷達、生醫感測也非常適合使用光子元件,世界前幾大 IC 製造商都相繼發表矽光子是未來 IC 技術的關鍵及趨勢,本文將與大家分享相關文獻,了解矽光子元件組成與決定效能的關鍵。

矽光子元件組成,材料以「鍺」為首選

矽光子元件的基本組成是使用能將「光」轉換成「電」訊號的 p-i-n diode(PIN二極體)光電偵測器,加上傳輸訊號的光波導(Wave guide)與電訊號轉成光子的調變器(Modulator)、耦合器(Coupler)等所組合成的一個單晶片,斷面的結構大致如圖一所示。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----
圖一:完整的 CEA LETI 矽光子單晶片平台用於結合被動和主動作用元件的橫剖面示意圖。[1]

其中最關鍵的製造技術即在圖一最右側 PIN 二極體,首選的半導體材料為鍺(Ge),因為鍺具有準直接能隙(Quasi-Direct band gap)且僅有 0.8eV 小於光子能量,能夠有效吸收光並轉換成電訊號,並且對於光的吸收係數很高,更適合用於光電偵測器,是一種非常好的取代材料。

PIN 是由一組高摻雜P (p+)型區和N (n+)型區之間夾著一層本質(Intrinsic)區所組成。在負偏壓下二極體的空乏寬度(Depletion width, Wd)會擴展至整個本質層。如圖二下能帶結構所示,當入射到本質層中的光子被吸收後,於導電和價電帶間產生電子–電洞對的漂移而形成電流。在矽光子元件的研發中最重要的方向,就是在不影響常規 CMOS 元件的特性下透過調整光電偵測器 PIN 的製程,且能使效能與頻寬達到最佳化。

圖二:PIN 二極體與負偏壓下受光效應產生的能帶結構示意圖。[2]

如何辨別 Ge-PIN 的品質?

先以圖三簡單的說明一顆單晶片的設計,Ge-PIN 光電偵測器與 Si -光波導的相對位置,(a)圖為剖面結構示意圖,光波導位於本質層下方,(b)圖為正面 Layout。

圖三:光子元件中 PIN 偵測器與光波導之(a)剖面結構相對位置圖,(b)為正面 Layout。[3]

因為 Ge-PIN 的品質差異會影響到偵測器的光電效能,鍺(Ge)的磊晶製程與 矽(Si)之間會有晶格不匹配與離子植入產生的差排缺陷等影響品質,圖四是Ge-PIN藉由穿透式電子顯微鏡(TEM)的觀察,可以明顯看出在本質層(Intrinsic)與 P 區均呈現亮區,代表沒有明顯缺陷,反觀在右側的 N 區則呈現暗灰色,這應該是源自於離子植入製程所產生的晶格缺陷。(延伸閱讀:破解半導體差排軌跡  TEM 技術找出晶片漏電真因

-----廣告,請繼續往下閱讀-----
圖四:TEM 觀察 Ge-PIN 的斷面結構影像。[4]

此外,藉由 EDS 來分析波導中的矽(Si)是否有朝向 Ge-PIN 擴散的情形。圖五為鍺(Ge)層中沿著波導方向矽(Si)的含量分佈。矽(Si)摩爾百分比從接觸窗(Window)最高約 35%,向輸入側減少至低於 EDS 檢測極限的 2%,約是在 11mm 的位置處,表示發生明顯的擴散現象。

圖五:EDS 分析從接觸窗(0mm)到光電偵測器的輸入端(15mm)矽(Si)的分佈。[5]

如何觀察影響光電偵測器效能空乏區寬度的大小?

矽光子元件主要是採用與矽基產品相同的 CMOS製程,藉由掃描電容顯微鏡(SCM)的分析技術可以量測 PIN 在不同製程條件下,觀察本質層中空乏區寬度(Wd)的變化,圖六說明經由 SCM 二維載子分布圖(Mapping)影像以及從一維載子線分佈(Line Profile),分別能區分 P/N 接面(Junction)的位置與 Wd 的示意圖。

圖六:PIN 的斷面 SCM 2D  載子 mapping  影像與 1D line profile。 [6]

圖七:在圖三(B)中 x3 位置的斷面 SCM (a)2D mapping 影像與(b)1D Line profile。 [7]

在圖三中 X3 與 X4 兩位置區域的剖面 SCM 一維載子分布的結果於圖八中,可以量得 p/n 接面位置偏移了約 215nm (兩條虛線間距)。上述都是透過 SCM,可觀測出空乏區寬度(Wd)的變化,而空乏區的寬度決定電流流過的多寡,將會直接影響到元件品質與性能。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----
圖八:SCM 一維載子分布圖顯示 X3 和  X4 兩位置之間的 p/n 接面位置的偏移。[8]

本文中談到離子植入產生的晶格缺陷或是矽波導朝向本質層擴散現象,以及 N/P dopant 擴散速率的差異影響 Wd 寬度等,這些要素皆決定了矽光子元件的品質,都是目前研發單晶片矽光子製程技術,所需面對的課題。

此外,在設計 Waveguide 材料或形狀,以及其他相關製程的研發中,均可藉由奈米材料分析技術如 TEM、EDS 與 SCM 等,宜特科技擁有大量材料分析實戰經驗,可以提供客戶有效的濃度分布的數據分析,並以此依據改善研發製程細節。

事實上,現有相關矽光子產品大多是將數位交換晶片與光收發模組(Transceiver)利用先進封裝包裝在一起,就是使用我們前面所說的 CPO(Co-Packaged Optics)的方式來商品化,但這種產品仍有能耗與體積的問題,未來採用「矽光子單晶片」才能真正達到短小節能的目標,矽光子技術可以提供高速、節能的整合解決方案,從而徹底改變資料中心、人工智慧、電信、感測和成像以及生物醫學應用等行業。

宜特科技長期觀察半導體產業趨勢,我們認為儘管矽光子技術存在整合和設備製造相關的挑戰,相信各家大廠仍會持續加速研發腳步,在全球共同努力下,突破摩爾定律關鍵技術的誕生終將指日可待。

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

本文出自 宜特科技

參考文獻

-----廣告,請繼續往下閱讀-----

討論功能關閉中。