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噔噔愣噔愣~縮小術!用光學微影把 IC 晶片變小了

研之有物│中央研究院_96
・2022/08/10 ・6070字 ・閱讀時間約 12 分鐘

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本文轉載自中央研究院研之有物,泛科學為宣傳推廣執行單位。

  • 整理撰文/郭雅欣、簡克志
  • 美術設計/蔡宛潔

手機越來越快, IC 晶片卻越來越小,關鍵是「光學微影」

自光學微影技術出現以來,積體電路(Integrated circuit, IC)的體積跟隨著摩爾定律不斷縮小,到我們踏入 5 奈米量產世代的今日,IC 可以說足足縮小了百萬倍!這樣的成果並非一蹴可幾,而是多年來半導體研發人員和工程師的心血累積而成。中央研究院 111 年知識饗宴的科普講座中,林本堅院士以「光學微影縮 IC 百萬倍」為題目,分享了光學微影這一路走來,如何將半導體元件尺寸愈縮愈小、推向極限。

林本堅院士分享半導體微影技術的發展歷程。資料來源/中央研究院

隨著積體電路(IC)與半導體製程的進展,我們的手機、平板等 3C 產品,體積愈來愈小,速度卻愈來愈快,功能也愈來愈多、愈強大。這歸根究柢,是因為現在的半導體技術把 IC 愈做愈小了,在 3C 產品中可以放入的元件數量愈來愈多,自然能做的事情更多了,效率也增加了。

IC 愈做愈小的關鍵技術在於光學微影(Optical Lithography)。光學微影簡單來說,就是在製作元件的過程中,將元件的組成材料依所需位置「印」在半導體晶圓上的技術。能印出愈精細的圖案,就能製作出愈小的元件。

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如果讀者好奇手機或電腦的 IC 晶片是怎麼做出來的?請參考以下蔡司公司製作的影片,解釋了晶片從原料到封裝的整個過程,影片中的曝光(exposure)步驟,就是我們這篇文章要介紹的主題。

衡量元件尺寸的關鍵指標之一為「電晶體閘極長度」(Gate length),這個數字與 IC 速度直接相關。以場效電晶體來說,閘極長度愈小,電流可以花更少時間通過電晶體的汲極和源極。

如果要表示元件微縮的程度,另一個關鍵指標為線寬和週距(Pitch),通常以金屬層線與線的週距為參考基準,週距做得愈小,線寬也愈小,元件微縮程度愈高,見以下示意圖。

線寬與週距(Pitch)的示意圖,週距為線寬加上線與線之間的間距,可表示金屬線週期性排列的尺度大小。圖/研之有物

如今,到了單位數奈米的世代(例如 7 奈米或 5 奈米製程),這些數字已經逐漸演變為僅是世代的號誌。雖然 IC 還是愈小愈好,但是新世代製程工藝可能代表運算快、密度高、價錢便宜等其他綜合優點。

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那 IC 目前到底縮小了多少呢?我們可以先有個概念,如果把每個世代視為實際尺寸來看,自從 1980 年代有光學微影技術以來,線寬從一開始的 5,000 奈米,如今已降到 5 奈米、甚至往 3 奈米邁進了。線寬不斷往下縮小,每一代大約縮小為上一代的 0.7 倍,到 5 奈米已經是第 21 代。經過了這樣的「代代相傳」,線寬縮小了 1,000 倍,換算下來,同一面積所能放入的元件數量高達原本的 100 萬倍!

光學微影技術如魔法般把線寬一步步縮小,靠的是多年來研發人員一步步的努力。林本堅院士在「光學微影縮 IC 百萬倍」這場科普講座中,一一細數其中的關鍵改良,以及箇中挑戰。

IC 晶片縮小術,秘訣在於追求最小線寬

讓我們先從一個核心的光學解析度公式開始:

半週距(Half Pitch)= k1λ/sinθ

半週距:一條線寬加上線與線的間距後乘以 1/2。曝光解析度高時,半週距可以做得愈小,意味著線寬可以愈小。

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k1:一個係數,與製程有關,縮小半週距的關鍵,是所有半導體工程師致力縮小的目標。

λ:微影製程中使用的光源波長,從一開始的 436 奈米,現已降到 13.5 奈米。

sinθ:與鏡頭聚光至成像面的角度有關,基本上由鏡頭決定。

光線通過透鏡系統聚焦成像示意圖,n 為介質折射率,θ 為鏡頭聚焦至成像面的角度。圖/研之有物

由於光在不同介質中,波長會有所改變,因此我們在考慮如何增加解析度時,可將鏡頭與成像面(晶圓)之間的介質(折射率 n)一併納入考量,將 λ 改以 λ0/n 表示,λ0 是真空中的波長。

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半週距(Half Pitch)= k1λ0/n sinθ

因此,增加曝光解析度(半週距 ↓)的努力方向為:增加 sinθ、降低 λ0、降低 k1、增加 n。

另一方面,為了讓微影製程有足夠大的曝光清晰範圍,鏡頭成像的景深(DOF)數字愈大愈好(註1),但是景深變大的副作用是——半週距也會跟著變大,因此在製程改良上必須考慮兩者的平衡或相互犧牲。

巨大複雜的鏡頭,都是為了增大 sinθ

sinθ 與鏡頭聚光角度有關,數值由鏡頭決定,sinθ 愈大,解析度愈高。光學微影所使用的鏡頭,並不如我們平常使用的相機或望遠鏡那般簡單——而是由非常多大大小小、不同厚薄及曲率的透鏡,經過精確計算後,仔細堆疊組成的(如下圖)。

這樣極其精密的鏡頭,林本堅透露:「6,000 萬美金的鏡頭已經不值得驚奇了,一億美金都有可能。」鏡頭做得這樣複雜、巨大又昂貴,是為了盡可能將 sinθ 逼近它的極值,也就是 1,他接著說:「目前的鏡頭可將 sinθ 值做到 0.93,這已經是非常辛苦了。」

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微影機的鏡頭設計相當複雜,林本堅提到目前業界盡可能提升 sinθ 值到 0.93。圖中的 NA = n.sinθ = 0.9,空氣折射率 n 約為 1,故此鏡頭 sinθ 水準為 0.9。鏡頭模組實際使用時會立起來垂直地面(如下圖)。圖/研之有物
林本堅院士於演講中強調,微影機的鏡頭模組非常巨大,而且重得必須使用起重機才能搬運。圖/111 年中央研究院知識饗宴

鏡頭材料精準的搭配:縮短波長

第二個方法是縮短波長。雖說改變使用的光源,就能得到不同的波長,但因為不同波長的光經過透鏡後的折射方向不同,因此鏡頭的材料也必須相應改變。林本堅表示,當波長愈縮愈短,「我們能選擇的鏡頭材料也愈來愈少,最後就只有那兩三種可以用。」

用少數幾種材枓來調適光源的頻寬愈來愈難。所以後來大家轉而選擇單一種合適的材料,並針對適合這種材料的波長,將頻寬盡量縮窄。林本堅說:「連雷射的頻寬都不夠窄小,現在把頻寬縮窄到難以想像的程度。」

另一種解決問題的方法,則是在鏡頭的組成中加入反射鏡,這樣的鏡頭組合稱為反射折射式光學系統(Catadioptric system)。因為不管是什麼波長的光,遇到鏡面的入射角和反射角都是相等的,因此若能以一些反射鏡面取代透鏡,就可以增加對光波頻寬的容忍度。

上圖為波長 193 奈米光源所使用的曝光鏡頭模組,從示意圖可看到在透鏡組合之間加入了反射鏡。圖/研之有物

後來到了 13.5 奈米(極紫外光,EUV)的波長時,甚至必須整組鏡頭都使用反光鏡,稱為全反射式光學系統(All reflective system),可參考以下 ASML 公司的展示影片。林本堅表示,這種全反射鏡的系統,必須設計得讓光束相互避開,使鏡片不擋住光線。此外,相較於透鏡穿透的角度,鏡面反射的角度對誤差的容忍度更低,鏡面角度必須非常非常精準。以上這些都增加了設計的困難度。

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曝光波長的改變還會牽涉到底下的曝光光阻,光阻材料從化學性質、透光度到感光度等各項特性,都必須隨著曝光波長的改變而調整,「這是個浩大的工程。其中感光速度非常重要,是節省製造成本的關鍵」,林本堅說。

值得一提的是,光阻材料的感光速度在微縮 IC 的歷史中相當重要。1980 年代,時任 IBM 的 C.G. Willson 和 H. Iro 率先提出一種以化學方式放大光阻感光速度的方法,將感光速度提升了 10~100 倍,大幅增加了曝光效率。這項重大發明,讓 C.G. Willson 在 2013 年榮獲「日本國際獎」(Japan Prize),可惜當時 H. Iro 博士已故,無法一同受獎。

提高解析度的關鍵:降低 k1

提高解析度的重頭戲就在於如何降低 k1。林本堅說:「你可以不用買昂貴的鏡頭,也可以不選用需要很多研發功夫的新波長。只要你能用聰明才智與創造力,將 k1 降下來。」

首先是「防震動」,就好像拍照開防手震功能一樣,在晶圓曝光時設法減少晶圓和光罩相對的震動,使曝光圖形更加精準,恢復因震動損失的解析度。再來是「減少無用反射」,在曝光時有很多表面會產生不需要的反射,要設法消除。林本堅表示,改良上述這兩項, k1 就可以達到 0.65 的水準。

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提高解析度還可以使用雙光束成像(2-beam Imaging)的方法,分別有「偏軸式曝光」(Off-Axis Illumination, OAI)及「移相光罩」(Phase Shift Mask, PSM)兩種。

偏軸式曝光是調整光源入射角度,讓光線斜射進入光罩,原本應通過光罩繞射的三束光(1 階、0 階與 -1 階),會去掉外側的一束光(1 階或 -1 階),只留下其中兩束光(例如 0 階和 1 階)。透過角度的調整,可以很巧妙地讓這兩道光相互干涉來成像,使解析度增加並增加景深。

移相光罩則是在光罩上動些手腳,讓穿過相鄰透光區的光,有 180 度的相位差。相位差 180 度的光波強度不會改變,只是振幅方向相反。如此一來,相鄰透光區的光兩兩干涉之後,剛好會在遮蔽區相消(該暗的地方更暗),增加透光區與遮蔽區的對比,進而提高解析度。

「這兩種做法都可以讓 k1 減少一半。」林本堅笑說:「可惜這兩種方法都是用 2-beam Imaging 的概念,不能疊加起來使用。」

目前業界多半多半使用偏軸式曝光,林本堅表示:「移相光罩一方面比較貴,另一方面,它不能任意設計圖案,必須考量鄰近相位不抵消的問題。」利用各種降低 k1 的技術,目前已將 k1 降到 0.28,「這幾乎是這些技術所能做到的 k1 極限了。」

要進一步降低 k1 ,還有辦法!就是用兩個以上的光罩,稱為「多圖案微影」。簡單來說,它將密集的圖案分工給兩個以上圖案較寬鬆的光罩,輪流曝光在晶圓上,這樣可以避免透光區過於接近,使圖案模糊的問題。缺點則是因為曝光次數加倍,等於效率降低了一半。

鏡頭與晶圓之間的介質:浸潤式微影技術

在增加微影解析度的路上,最後一個可以動手腳的就是鏡頭與晶圓之間的介質。由林本堅提出的浸潤式微影技術中,將鏡頭與晶圓之間的介質從折射率 n~1 的空氣,改成n= 1.44 的水(對應波長為 193 奈米的光),形同將波長等效縮小為 134 奈米。

浸潤式微影技術讓半導體工藝在 12 年內往前走了 6 代——從 45 奈米直到 7 奈米。林本堅補充說,這個技術的優勢在於「你可以繼續使用同樣的波長和光罩,只要把水放到鏡頭底部和晶圓之間就好。」

乾式微影光學系統與浸潤式微影光學系統的差異。圖/研之有物

不過,林本堅話鋒一轉。「我說得很輕鬆,把水放進去就好。但這背後其實有很多技術。」例如水中的空氣可能讓水產生氣泡,必須完全移除。另外,放進去的水必須很均勻,在透光區照到光的水,會變得比遮蔽區的水要熱一些,這個溫差就會讓水變得不均勻,影響成像。為了避免溫差,必須讓水快速流動混合,但又可能會產生漩渦。

「這很考驗我們機台放水的裝置,如何讓水流快速均勻又不起漩渦?這是個大學問,至今放水裝置起碼重新設計了六到八次。」

水的另一個特點,就是「它是很好的清洗劑。」林本堅說。在使用浸潤式微影技術時,水很容易把鏡頭等所有接觸到的東西上的雜質都洗下來,「結果就是晶圓上有上千個缺陷(defects)。我們花了很多功夫把缺陷的數量從幾千個,降到幾百個、幾十個,最後降到零。」林本堅說:「那是需要投入很多人力和晶圓才能完成。」

半導體人才需要是專才、通才,也要是活才

演講的最後,身為清華大學半導體研究學院院長的林本堅提及人才的培養。半導體的技術已經演進到非常複雜的程度,沒有一個學生能精通所有的技術層面。林本堅說:「所以你會發現,半導體需要團隊互助合作。」

而踏入這塊領域的學生,林本堅期許除了要有基本的理工能力外,還需要有對問題的好奇心,會發現新問題,也會找到有趣的新技術(活才)。「如果不能自己發現新的技術,會永遠跟在別人後面。」

林本堅強調,這不是簡單的事情,因為「真的有學不完的東西。」半導體可以分成材料、製程、設計、元件四個領域,「我們希望學生至少在一個領域很精通,有本領深入鑽研(專才)。但對其它的領域,也得有某種程度的認識(通才),才能彼此合作,解決問題。」

關於半導體人才的培養,林本堅院士期許學生先專精在一個領域,並對其他領域有一定程度瞭解,促進團隊合作、解決問題,進而發現新的技術。圖/林本堅

註解

註1:DOF=k3λ/sin2(θ/2),k3 是因應高 NA 值的曝光鏡頭所引入之係數。

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E10 低碳汽油:台灣減碳新契機,為何我們應該接受?
鳥苷三磷酸 (PanSci Promo)_96
・2025/01/17 ・3468字 ・閱讀時間約 7 分鐘

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本文與美國穀物協會合作,泛科學企劃執行。

台灣將在 2040 年禁售燃油車。但別急,現在路上開的舊有車款不會馬上報廢消失,因為舊有的車輛會繼續開到年限結束。根據計算,當禁售燃油車的那一天來臨時,還有大約 60% 的車輛是燃油車。這時,在多數交通工具還是燃油的情況下,美國、歐盟等國已經開始使用酒精燃料來減少碳排放,那麼,台灣也能做到嗎?

你聽過 E3、E10 汽油嗎?

這是指在汽油中加入酒精,E3 代表有 3% 的汽油被酒精取代,而 E10 則是 10% 的汽油換成酒精。酒精是一種抗爆震性能更好的燃料,且比化石燃料更環保,因為它可以來自生質燃料,碳排放也較低。即便算上運輸和加工的碳足跡,用玉米製造的乙醇仍比傳統汽油的碳排放低了 43%。其實,在美國、歐洲、澳洲等地,E10 或更高比例的酒精汽油早已廣泛使用,這在我們之前的影片中也有提過。

現在,台灣有 14 間加油站可以加到 E3 汽油,而中油也正積極促使相關部門開放 E10 汽油的銷售。

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不過,在推動這項改變之前,仍有許多民眾對酒精汽油有疑慮。大家最關心的問題是,把不是汽油的燃料放到引擎中,到底會不會對車輛引擎造成不良影響?例如會不會影響引擎運行,甚至影響里程數?
其實,換燃料確實會對引擎有影響,因為不同燃料燃燒後所產生的能量與副產物都不一樣。但別擔心,根據我們之前的討論,2011 年以後生產的所有汽車,還有大部分 1990 年代後期生產的汽機車,都能直接相容 E10 汽油。換句話說,除了少數舊車或特殊車型,約 95% 的汽機車都不需要擔心這個相容性問題。

2011 年以後生產的所有汽車,還有大部分 1990 年代後期生產的汽機車,都能直接相容 E10 汽油。圖 / 美國穀物協會提供

E10 汽油在效能上的表現,會不會受到影響?

學過化學的人都知道,燃燒其實是一種氧化反應,可以用化學式表達。也就是只要汽缸的大小是固定的,就能算出空氣中能參與氧化反應的氧氣分子有多少,進而推算出每次汽缸燃燒時,應該搭配多少的燃料。

當引擎運作時,汽缸內的氧氣分子會與燃料反應,產生動力。為了最佳化效能,引擎的噴油嘴會精準控制每次的進油量,確保空氣和燃料的比例,稱為「空燃比」。接著調整噴油嘴的設定,讓出油量符合我們的需求。

每當空氣成分改變,燃料量或燃料的種類更換時,空燃比就會產生變化。在燃料相對空氣來說比較多時,我們通常稱為「富油」;相反的,如果燃料相比空氣來的少,就稱為「貧油」。如果我們把汽油換成百分之百的酒精,因為酒精每單位體積所需要的氧氣比較少,而且熱值比較低,因此會產生貧油現象,推力感受起來自然也會比較低。

要解決這個問題,方法其實不難,只要增加燃料量即可。而巴西早已證明,使用 E100 汽油是可行的。巴西近 50 年來推動 E85、E100 燃料車輛,並展示了彈性燃料引擎的優勢。

而巴西早已證明,使用 E100 汽油是可行的。巴西近 50 年來推動 E85、E100 燃料車輛,並展示了彈性燃料引擎的優勢。圖/美國穀物協會

這類交通工具被稱為彈性燃料引擎,顧名思義,能很彈性的使用汽油、E100 酒精汽油、或是任何比例的甲醇、乙醇、汽油的混合物。彈性燃料引擎跟一般引擎最大的差別,就是內建了「燃料成分感測器」。能透過判斷燃料的種類與比例,調整噴油嘴的出油量設定以及點火正時,讓引擎的輸出動力維持在最佳狀態,確保引擎效能不受影響。

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所謂的點火正時,指的是火星塞點火的時機。不同的燃料,化學反應的速度與膨脹的體積不同,當然會對應不同的點火時機。

但是 E100 其實也不是純酒精?

大家都知道,蒸餾酒需要經過多次反覆蒸餾,為什麼不能只蒸餾一次就好呢?原因在於,酒精與水的沸點雖然不同,但它們不完全互斥,會產生交互作用。在蒸餾過程中,即使酒精的沸點較低,水仍然會在加熱的過程中,隨著酒精部分蒸發進入容器中。

事實上,當酒精濃度達到 95.63% 時,不論再怎麼蒸餾,濃度也不會再上升。這是因為當酒精濃度接近這個比例時,酒精與水的沸點非常接近,這種現象稱為「共沸」,意思是酒精和水的混合物會一起沸騰,無法再進一步蒸餾分離。

共沸現象的結果,就是為什麼市面上銷售的藥用酒精,濃度最高都是 95%,而非 100%。因為更高濃度就必須使用脫水劑等方式處理,成本會提高,或是因為有添加物而不符合藥用標準。所以當然,E100 汽油裡面,實際上使用的也是濃度 95% 的酒精,而不是 100%。

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E100 汽油裡面,實際上使用的也是濃度 95% 的酒精,而不是 100%。 圖 / 美國穀物協會提供

解決迷思:酒精汽油是否容易因吸收水分,而產生油水分離?

事實上,酒精和水是高度互溶的,這使得高比例的酒精在汽油中有更高的水分耐受性。簡單來說,進入油箱的水氣,會溶在酒精汽油中而不會產生油水分離。

根據美國國家可再生能源實驗室的研究,即使在高溫高濕的極端環境下,E10 酒精汽油也需要經過三個月才會出現明顯的油水分離。而三個月也是一般汽油建議最長的保存時間,因為汽油放太久就會氧化。

也就是說,酒精與水混和物的特性,不是把酒精和水的相加除以二那麼簡單,它們的交互作用更加複雜。

一篇刊登在《國際能源研究期刊》的研究指出,在可變壓縮比引擎中的實驗結果,加入酒精後,引擎的功率會逐漸升高,在 E10 酒精時為最佳比例效果。

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當然,實際情況和實驗室當然不能直接類比。大多數汽車和機車並未專門為酒精汽油做調整,那這樣會有多大影響呢?根據英國政府的官方結論,直接使用 E10 汽油與一般汽油相比,每公升的里程數大約會降低 1%,但在日常駕駛中,這個差異幾乎不會被察覺。實際上,載貨量和駕駛習慣對油耗的影響,遠遠大於是否使用 E10 汽油的影響。

更好的一點是,酒精其實是一種常見的工業用品,以每美國為例,在過去一年中,酒精的離岸價格實際上都比汽油還低,因此不用擔心酒精會讓油價變貴。

此外,經過調校的引擎也不必擔心推力問題。事實上,F1 賽車從 2022 年開始使用 E10 作為燃料,納斯卡賽車更早在 2011 年就採用了 E15 燃料,運行上沒有太大問題。

F1 賽車從 2022 年開始使用 E10 作為燃料,納斯卡賽車更早在 2011 年就採用了 E15 燃料,運行上沒有太大問題。圖/unsplash

最重要的是,使用 E10 燃料的好處明顯更多。由於酒精和烷類燃料的分子式不一樣,酒精分子式中多了一個氧原子,這使得燃燒過程中反應會更完全,能夠產生更多二氧化碳而非有毒的一氧化碳,同時降低一氧化氮和二氧化氮等氮氧化物的產生。

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最關鍵的一點,酒精與化石燃料相比,能夠更快速地幫助減碳。只要確保使用永續農法、不與糧食競爭土地的前提下,所製造的玉米乙醇,碳排量就是比化石燃料還要低。

E10 低碳汽油是填補減碳缺口的最快方案,挑戰只在接受度

英國引入 E10 後,每年減碳 75 萬噸,相當於減少 35 萬輛汽車的碳排量。而台灣呢?目前根據政策規劃,台灣 2040 年起將新售的汽機車全面電動化。依照這個目標進程,在 2025 年將達成減碳 288.6 萬噸的目標。然而,這距離運輸部門須減少 487 萬噸碳排量目標,還差 198 萬噸。

如果燃油車全面改用 E10 低碳汽油,則能減碳 202 萬噸,幾乎能完全彌補缺口。這項方案的優勢在於,E10 與一般汽油性質相近,不需更換新的引擎設計或架設特規加油站,執行門檻低。

實際上,目前推動低碳汽油最大的瓶頸,大概就是民眾對於這個新燃料的接受度了吧!如果接受度提升,購買量上升,成本也有機會進一步再下降。

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解密離岸風電政策環評:從審查標準到執行成效,一次看懂
鳥苷三磷酸 (PanSci Promo)_96
・2024/12/21 ・3546字 ・閱讀時間約 7 分鐘

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本文由 環境部 委託,泛科學企劃執行。 

政策環評是什麼,跟一般環評差在哪?

隨著公共建設的規模越來越大,傳統的環境影響評估(EIA),難以應對當今層層疊疊的環境議題。當我們評估一項重大政策時,只看「單一開發案」已經不夠,就像評估一棵樹,卻忽略了整片森林。因此,政策環境影響評估(SEA)應運而生,它看樹,也看森林,從政策的角度進行更全面的考量與評估。

與只專注於「單一開發案」的個案環評不同,政策環評更像是一場全面性的檢視,強調兩個核心重點:「整合評估」與「儘早評估」。簡單來說,這不再是逐案評估的模式,而是要求政府在制定政策時,就先全面分析可能帶來的影響,從單一行為的侷限中跳脫,轉而聚焦在整體影響的視角。無論是環境的整體變化,還是多項行為累計起來的長期影響,政策環評的目的就是讓這些潛在問題能儘早浮現、儘早解決。

除此之外,政策環評還像是一個大型的協商平台,以永續發展為最高指導原則,公開整合來自不同利益團體、民眾與各機關的意見。這裡,決策單位不再只是單純的「評分者」,而是轉為「協調者」或「仲裁者」,協調各方的意見看法在這裡得到整合,讓過程更具包容性。

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政策環評並沒有所謂的「否決權」,而是側重意見的蒐集與整合,讓行政機關在政策推動時,能更全面地掌握各方意見。政策環評旨在建立系統化、彈性的決策評估程序(包含量化、特徵化等評估方式),也廣納社會面或民眾滿意度等影響因子,把正式與非正式的作法一併考量進去。再來,決策程序中能層層檢討、隨時修正,也建立了追蹤機制和成效評估標準(如環境殘餘效應、累積效應等),透過學習來強化決策品質與嚴謹度。就像一場球賽,隨時根據變化、調整策略。

這樣的制度設計,就非常適合離岸風電這類規模大、跨區域、影響層面廣泛的能源政策評估,讓我們可以在政策推動初期就想到整個工程對環境、產業發展與社會的諸多影響,也為後續政策執行奠定更穩固的基礎。

政策環評並沒有否決權,而是重在整合各方意見、量化影響以及建立追蹤與修正機制,這樣的制度設計便適用於離岸風電等大型政策評估。圖/envato

離岸風電為何需要的是政策環評?

離岸風電是能源轉型的重要策略之一,但這不是只在某塊空地上架幾個風車,而是要在廣闊的大海中進行大規模建設,牽涉的不僅是發電,還涉及海洋保育、航空交通、水下文化資產等議題,更與當地漁民的權益息息相關。

這樣的大型離岸風電工程,因海洋環境的風險和不確定性極高,很容易讓人擔心生態影響。如何在海洋生態保護和綠能發展之間找到平衡點?這就需要政策環評的把關,從多方檢視這些複雜的挑戰,確保政策推行既能穩妥,又能達成發電目標。

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2016 年 3 月,經濟部自願提出「離岸風電區塊開發政策評估說明書」,是臺灣首次針對再生能源政策所進行的政策環評。根據這份評估說明書,政府將採分期公告、逐年檢討的方式,每三年開放 0.5~1 百萬瓩(GW)的電量額度鼓勵業者投入開發。當時環保署(現為環境部)歷經九個月召開 2 次意見徵詢會議,蒐集環評委員、專家學者、相關機關、民眾等意見,最終於同年 12 月的環評委員會作出徵詢意見。這些協商和檢討的過程,讓政策「名正言順」,得以充分顧及各方利益與生態平衡。

共通性環境議題與因應對策

在「離岸風電區塊開發政策評估說明書」中,環評會議盤點了開發過程中共通的環境議題。

首先,對於海洋生態保育的重點,特別是對中華白海豚的保護。環評會要求風機基座必須距離白海豚棲地1公里以上,以減少對其生態的干擾。實際上,這項規範在後續的實務執行中更為嚴格,例如,福海二期示範風場已退縮到 2.5 公里外,臺電二期風場甚至退到 4.2 公里外,顯示政策環評確實發揮了實質作用。此外,針對施工期間的聲音干擾,要求施工需有 30 分鐘以上的打樁緩啟動時間,並限制聲量不得超過 180 分貝等。

針對鳥類保育,政策環評也訂立了具體規範。其中,包括風機之間必須留設 500 公尺以上的鳥類穿行廊道,並在施工期間避開每年 11 月至隔年 3 月的候鳥過境期。同時,為確保這些措施確實生效,工程方也被要求設置「鳥類活動監測系統」,持續追蹤、評估風場對鳥類的影響。

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此外,環評會也確立了「先遠後近」的開發原則,要求優先開發較單純的航道外側區塊,待累積足夠經驗及相關資料後,再進行近岸區域的開發。這項原則考量了近海生態系的複雜性,也顧到養殖漁業的漁民權益,展現出政策環評在平衡發展需求與環境保護上的價值。

新一代的審查機制:達成能源轉型及環境保護雙贏

為提升環評效率並確保審查品質,環境部參考過去離岸風電審查經驗,制定「風力發電離岸系統開發行為環境影響評估初審作業要點」,建立了全新的二階段審查機制。

環境部推動二階段審查機制,提升離岸風電環評效率與審查品質。圖/envato

這套新機制分為兩個階段。第一階段,就像「初步檢查」,由環境部依照檢核表進行初審,並由環評審查委員會執行秘書邀集 2-5 位環評委員進行初審,通過第一階段初審之業者,可取得經濟部遴選資格,其初審結果有效期為兩年,必要時可申請展延一年。接著進入「第二階段」,開發單位檢附目的事業主管機關核配的容量證明文件等資料,提供更詳細的環境影響說明書以進行實質審查。

檢核表明確規範了 15 大項審查事項、112 項檢核項目,涵蓋開發案的全生命週期。

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工程面,包含風機及海上變電站基礎設置、海域電纜路線規劃、陸域設施工程等硬體設施的規範。其中,風機基礎設置必須避開海岸保護區、河口、潮間帶等環境敏感區域,且須進行地震危害度分析。海域電纜部分,除特殊情形外,埋設深度至少須達 1.5 公尺,且不得跨越中華電信海底電纜 1 公里的範圍。

環境保護上,檢核表則對施工噪音管制訂立了明確標準。舉例來說,打樁期間警戒區 750 公尺範圍內的水下噪音不得超過 160 分貝,且必須全程採用最佳噪音防制工法。同時,每個開發案或聯席審查的風場,同一時間內只能進行一支基樁施作,而日落前一小時到日出前也不得啟動新的打樁作業。

環境監測計畫更是檢核表中的重點,分為「施工前、施工期間、營運期間」三階段,每個階段都規定了詳細的監測要求(包括海域底質監測、水下噪音監測、鯨豚目視監測等)。以鯨豚監測為例,每年需執行20趟次,四季中每季至少執行 2 趟次。此外,所有監測數據都必須上傳至環境部「環保專案成果倉儲系統」(https://epaw.moenv.gov.tw/)供各界查閱。

這套標準化的審查機制不僅解決了「同一風場可能有多家廠商重複調查或審查」的資源浪費,也透過明確的檢核項目,讓開發單位在規劃階段就能掌握更具體的環境保護要求。不僅如此,該機制亦確保了環境保護標準前後一致,避免不同案件之間標準不一。

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結語

透過新的審查機制,環境部正積極推動再生能源開發案的環評審查作業,在提升行政效率之餘,也確保環境影響評估的品質,支持臺灣的離岸風電開發及國家能源轉型政策,也做好把關。藉由標準化檢核表和二階段審查制度,期待能在推動能源轉型的同時落實環境保護。

為確保制度能持續精進,環境部每半年至一年會進行制度檢討,並持續公開所有環評書件於「環評書件查詢系統」(https://eiadoc.moenv.gov.tw/eiaweb/)。此外,環評會議召開前一週,也必須在指定網站公布開會訊息,讓民眾能申請列席旁聽或發表意見。透明化措施一方面展現了政府推動永續發展的決心,另一方面也確保全民能共同參與監督離岸風電的發展過程。未來,這套制度將在各界的檢視與建議中持續完善,為臺灣的永續發展貢獻心力,發揮環評作業的最大效益。

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晶片生病要手術 該選哪種開刀方式來做切片?
宜特科技_96
・2025/01/11 ・3131字 ・閱讀時間約 6 分鐘

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晶片結構內部有問題,想要進行切片觀察,但方式有好幾種,該如何針對樣品的屬性,選擇正確分析手法呢?

本文轉載自宜特小學堂〈 哪種 IC 切片手法 最適合我的樣品〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

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IC 設計後,在進行後續的產品功能性測試、可靠度測試(Reliability Test)或故障分析除錯(Failure Analysis & Debug)前,必須對待測試的樣品先做樣品製備(Sample preparation),透過 IC 切片方式,進行斷面/橫截面觀察(Cross-section)。此步驟在確認晶片內的金屬接線、晶片各層之間結構(Structure)、錫球接合(Solder Joint)、封裝打線(Wire Bonding)和元件(Device)異常等各種可疑缺陷(Defect),扮演相當關鍵性重要角色。

然而觀察截面的方式有好多種,有傳統機械研磨(Grinding)方式,透過機械手法拋光(Polish)至所需觀察的該層位置;或是透過離子束(Ion Beam)方式來進行切削(Milling);那麼,每一種分析手法到底有那些優勢呢?又該如何選擇哪一種切片手法,才能符合工程師想要觀察的樣品型態呢?本文將帶來四大分析手法,從針對尺寸極小的目標觀測區(如奈米等級的先進製程缺陷),或是大面積結構觀察(如微米等級的矽穿孔 TSV),幫大家快速找到適合的分析手法,進行斷面/橫截面觀察更得心應手!

傳統機械研磨(Grinding):樣品製備時間長,觀測範圍可達 15cm

 傳統機械研磨最大優勢,是可以達到大面積的觀察範圍(<15cm 皆可),跨越整顆晶粒(Die),甚至是封裝品(Package),當需要檢視全面性結構的堆疊或是尺寸量測等等,就適合使用 Grinding 手法(如下圖)。這個手法可透過機械切割、冷埋、研磨、拋光四步驟置備樣品到所需觀察的位置。

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(左):晶粒(Die)剖面研磨;(中)&(右)銅製程剖面研磨。圖/宜特科技

不過傳統研磨也有兩項弱點,除了有機械應力容易產生結構損壞,如變形、刮痕外,此項操作也非常需要依靠操作人員的執行經驗,經驗不足者,恐導致研磨過頭而誤傷到目標觀測區,影響後續分析。

傳統研磨相當依靠操作人員的執行經驗。圖/宜特科技

離子束 Cross-section Polisher(CP):除了截面分析,需要微蝕刻也可靠它

相較於傳統機械研磨(Grinding),Cross-section Polisher(簡稱 CP)的優點在於,是利用離子束做最後的精細切削(Fine milling),可以減低多餘的人為損傷,避免傳統研磨機械應力產生的結構損壞。除了切片外,CP 還有另一延伸應用,就是針對樣品進行表面微蝕刻,能夠解決研磨後造成的金屬延展或變形問題。因此,若是想觀察金屬堆疊型之結構、介金屬化合物 Intermetallic Compound(IMC),CP 是非常適合的分析手法。

CP 的手法,是先利用研磨(Grinding)將樣品磨至目標區前,再使用氬離子 Ar+,切削至目標觀測區,此做法不僅能有效縮短分析時間,後續再搭配掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,簡稱 SEM)進行拍攝,將能夠呈現較為清晰的層次邊界。

上圖是兩張 SEM 影像。左圖為研磨後的 IC 結構,層次邊界並不清晰;右圖則為 CP 切削後的 IC 結構,層與層之間界線清晰可見,同時也少了許多研磨後的顆粒與髒汙。圖/宜特科技

案例一CP Cross Section 能力,快又有效率!

案例一的待測樣品為 BGA 封裝形式,目標是針對特定的錫球(Solder bump)進行分析。透過 CP,可在 1 小時內完成 1mm 範圍的面積切片。後續搭配 SEM 分析,即可清楚呈現錫球表面材料的分布情況。

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下圖是案例中的 SEM 影像,圖(a)是 CP 後的樣品截面,可將整顆 bump 完整呈現。圖(b)是用傳統機械研磨(Grinding)完成之 BGA,雖然可以看到 bump 的介金屬化合物(IMC),但因研磨延展無法完整呈現。而圖(c)是用 CP 完成之 BGA,bump 下方的IMC對比清晰,可清楚看到材料對比的差異。

圖/宜特科技

案例二:透過 CP milling 解決銅延展變形的狀況

常見的 PCB 板疊孔結構中,若盲孔(Blind Via Hole,簡稱 BVH)與銅層(Cu layer)之間的結合力較弱時,在製程後期的熱處理過程中,容易導致盲孔與銅層拉扯出裂縫(Crack),造成阻值不穩定等異常情形。一般常見是透過傳統機械研磨(Grinding)來檢測此類問題,但這種處理方式往往會造成銅延展變形而影響判斷。我們可以使用 CP 針對 BVH 結構進行 CP milling,有效解決問題,並且處理範圍可達 10mm 以上之寬度。

左圖為傳統機械研磨(Grinding)後之 PCB via,無法看到裂縫(Crack);右圖為 CP milling 後之 PCB via,清楚呈現裂縫(Crack)。圖/宜特科技

Plasma FIB(簡稱PFIB):不想整顆樣品破壞,就選擇它來做局部分析

在 3D-IC 半導體製程技術中,如果擔心研磨(Grinding)在去層(Delayer or Deprocess)過程傷到目標區,或是擔心樣品研磨時均勻性不佳,會影響到觀察重點,這時就可考慮用電漿聚焦離子束顯微鏡(Plasma FIB,簡稱 PFIB)分析手法!

PFIB 結合了電漿離子蝕刻加工與 SEM 觀察功能,適用於分析範圍在 50-500 µm 的距離內,可進行截面分析與去層觀察,並針對特定區域能邊切邊觀察,有效避免因盲目切削而誤傷到目標區的狀況,確保異常結構或特定觀察結構的完整性。(閱讀更多:先進製程晶片局部去層找 Defect 可用何種工具

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PFIB 切削後之 TSV (Through Silicon Via)結構,除了可以清楚量測金屬鍍層厚度外,因為沒有研磨的應力影響,可明確定義 TSV 蝕刻的 CD(Critical Dimension)。圖/宜特科技

Dual Beam FIB(簡稱DB-FIB):適用數奈米小範圍且局部的切片分析

結合鎵離子束與 SEM 的雙束聚焦離子顯微鏡(Dual Beam FIB,簡稱 DB-FIB),可針對樣品中的微細結構進行奈米尺度的定位及觀察,適用於分析範圍在 50µm 以下的結構或異常區域。同時,DB-FIB 還能進行能量散佈 X-ray 能譜儀(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy,簡稱 EDX)分析及電子背向散射(Electron Backscatter Diffraction,簡稱 EBSD),以獲得目標區域的成分與晶體結構相關資訊。

此外,當觀察的異常區域或結構過於微小,用 SEM 無法得到足夠資訊時,DB-FIB 也可以執行穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡稱 TEM)的試片製備,後續可供 TEM 進行更高解析度的分析。

DB-FIB 搭配 SEM 與鎵離子槍,可針對異常及微區結構進行定位與分析。圖/宜特科技

若想更認識各種工具的應用,歡迎來信索取宜特精心製作的四大切片分析工具圖表marketing_tw@istgroup.com,希望透過本文能幫助讀者,對IC截面分析手法有更多了解,例如 CP 設備新增了 Milling 功能,使其用途更加多元;而 PFIB 增加了去層功能,為先進製程的異常分析開啟了全新的可能性!

本文出自 www.istgroup.com

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