切片後可進一步搭配 SEM 或 TEM 觀察穿孔界面狀態,並利用 EDS / EELS 元素分析確認銅擴散路徑與濃度分布,尤其在檢測玻璃內部的微量銅擴散時,此步驟至關重要,有助於建立完整失效機制模型。亦可搭配 EBSD 分析晶粒大小/方向(Grain size/ orientation)、晶界(Grain boundary)特性與殘留應力,有助改善製程與提升可靠度和電氣特性 (閱讀更多: 揭密 TGV 製程中的隱形殺手:EBSD 如何破解應力難題)。
三、TGV案例分享
在宜特的 TGV 異常分析經驗中,導致導通失敗的主因多為 TGV 製程中「玻璃穿孔」的穿孔品質不良與「金屬填孔」(多採用電鍍或化學填鍍)的銅填鍍不均。由於 TGV 基板上的微小通孔需完全且均勻填入銅材,才能確保穩定導電路徑,任何玻璃孔蝕刻異常都可能導致導通中斷。同時,若電鍍參數設定不當,易產生孔內空隙、填充不飽滿或柱狀結構不連續等缺陷,進而造成電氣特性異常與封裝失效。
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在這個案例中,我們可利用 2D X-ray 非破壞分析,進行異常點定位,再搭配 精準切片,並以 SEM 觀察發現銅填充空隙不均,導致部分 TGV 產生無法導通或高阻值異常。經分析後,針對鍍銅條件進行優化與調整填鍍時間,最終成功協助客戶提升銅填孔飽和度與導電一致性,得以提升整體良率。
圖三:從 2D X-Ray 觀察,產品原先有銅填孔不均的問題,沒有連結在一起的通孔表示導通失敗 (左圖以黃圈標出部分失效處);經過鍍銅條件優化與調整後,提升了銅填孔的飽和度(右圖)。圖片來源/iST宜特科技圖四:從 SEM 可清楚看出,製程優化和調整後,最終成功提升銅填孔飽和度。圖片來源/iST宜特科技
儘管矽中介層技術因「製程成熟」與「散熱佳」,仍是目前應用的主力。然而,TGV 玻璃基板低電氣阻抗、高頻率傳輸與卓越的絕緣特性,成為半導體產業在 AI 加速器、高階通訊及毫米波雷達等前瞻技術趨勢下的關鍵材料之一。隨著全球半導體大廠的積極投入,TGV 玻璃基板有望成為先進封裝領域中極具戰略意義的「明日基板」技術。若能透過有效的故障分析手法加速協助提升 TGV 玻璃基板可靠度與其製程良率,將可大大增加 TGV 及早量產化的可能性。若您喜歡這類產業解讀內容,歡迎追蹤宜特科技臉書,掌握第一手科技新知!
1990 年,融合蛋白 CD4 免疫黏附素(CD4 immunoadhesin)誕生。這項設計,是為了對付令人類聞風喪膽的 HIV 病毒。
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我們知道 T 細胞是人體中一種非常重要的白血球。在這些 T 細胞中,大約有六到七成表面帶有一個叫做「CD4」的輔助受體。CD4 會和另一個受體 TCR 一起合作,幫助 T 細胞辨識其他細胞表面的抗原片段,等於是 T 細胞用來辨認壞人的「探測器」。表面擁有 CD4 受體的淋巴球,就稱為 CD4 淋巴球。
麻煩的來了。 HIV 病毒反將一軍,竟然把 T 細胞的 CD4 探測器,當成了自己辨識獵物的「標記」。沒錯,對 HIV 病毒來說,免疫細胞就是它的獵物。HIV 的表面有一種叫做 gp120 的蛋白,會主動去抓住 T 細胞上的 CD4 受體。
而另一端的 Fc 區域則有兩個重要作用:一是延長融合蛋白在體內的存活時間;二是理論上能掛上「這裡有敵人!」的標籤,這種機制稱為抗體依賴性細胞毒殺(ADCC)或免疫吞噬作用(ADCP)。當免疫細胞的 Fc 受體與 Fc 區域結合,就能促使免疫細胞清除被黏住的病毒顆粒。
不過,這裡有個關鍵細節。
在實際設計中,CD4免疫黏附素的 Fc 片段通常會關閉「吸引免疫細胞」的這個技能。原因是:HIV 專門攻擊的就是免疫細胞本身,許多病毒甚至已經藏在 CD4 細胞裡。若 Fc 區域過於活躍,反而可能引發強烈的發炎反應,甚至讓免疫系統錯把帶有病毒碎片的健康細胞也一併攻擊,這樣副作用太大。因此,CD4 免疫黏附素的 Fc 區域會加入特定突變,讓它只保留延長藥物壽命的功能,而不會與淋巴球的 Fc 受體結合,以避免誘發免疫反應。
從 DNA 藍圖到生物積木:融合蛋白的設計巧思
融合蛋白雖然潛力強大,但要製造出來可一點都不簡單。它並不是用膠水把兩段蛋白質黏在一起就好。「融合」這件事,得從最根本的設計圖,也就是 DNA 序列就開始規劃。
我們體內的大部分蛋白質,都是細胞照著 DNA 上的指令一步步合成的。所以,如果科學家想把蛋白 A 和蛋白 B 接在一起,就得先把這兩段基因找出來,然後再「拼」成一段新的 DNA。
為了精確找出 IC 內部缺陷,非破壞性的 3D X-ray 驗證已成為半導體業界的關鍵手段。然而,經過高劑量輻射處理的 IC,在後續可靠度測試中卻可能提前失效!隨著半導體逐漸應用於 AI、車用、航太與醫療設備等需要超高可靠度的領域,如何有效量測並控制這些寄生輻射對 IC 的影響,已是工程師不得不面對的重大挑戰。
如同人體若長期暴露在輻射環境中,可能導致細胞突變、DNA 受損,甚至增加癌症風險。對於 IC 而言,情況其實類似——當元件在 X-ray 等非破壞性驗證分析中持續累積過高的輻射劑量(TID, Total Ionizing Dose),其內部電晶體特性可能發生變化,造成閘極漏電流上升、閘極氧化層劣化,最終導致IC提前失效。
隨著 AI 人工智慧、車規與航太電子標準趨嚴,IC 的長期可靠性要求日益提升,這項過往經常被忽略的潛在風險,如今已不得不正視。因此,JEDEC 於 2023 年 11 月發布 JESD22-B121 標準,明確定義如何評估 IC 在製造、驗證和表面黏著技術 (Surface Mount Technology,簡稱SMT) 等製程中,暴露於輻射照射後的電性變化,並確立其 TID 限制值 (可稱為故障極限值或供應商極限值),以降低潛在失效風險。
當 X-ray 穿透並圍繞樣品時,偵測器會接收來自不同材料的吸收與散射訊號,形成陰影影像 (Radiographic Image)。影像的明暗對比取決於材料的 X-ray 吸收率,吸收率低的區域顯示較亮,吸收率高的區域則較暗。不同的 X-ray系統參數亦會影響影像品質與 IC 所承受的輻射劑量,以 2D X-ray 和 3D X-ray 兩種分析為例,前者為單一角度成像,劑量較低,但可能受多層結構遮蔽影響;後者透過多角度掃描重建 3D 影像,可減少結構遮蔽效應,提高驗證準確性,但也因此增加輻射劑量。
針對功能性 IC 的輻射影響分析,表 2 定義了不同設定下的臨界最大劑量 (Critical Maximum Dose)。為確保 IC 在 X-ray 檢測過程中不會超過 TID 極限值,透過適當調整 X-ray 系統參數 (如降低電壓、縮短曝光時間、選擇合適的掃描方式),皆可有效降低輻射劑量,並減少 IC 因驗證而導致的電性劣化風險。