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別讓 X-ray 檢測成為元件早衰的隱形殺手!寄生輻射風險一次破解

宜特科技_96
・2025/06/29 ・3928字 ・閱讀時間約 8 分鐘

為了精確找出 IC 內部缺陷,非破壞性的 3D X-ray 驗證已成為半導體業界的關鍵手段。然而,經過高劑量輻射處理的 IC,在後續可靠度測試中卻可能提前失效!隨著半導體逐漸應用於 AI、車用、航太與醫療設備等需要超高可靠度的領域,如何有效量測並控制這些寄生輻射對 IC 的影響,已是工程師不得不面對的重大挑戰。

本文轉載自宜特小學堂〈別讓 X-ray 檢測成為元件早衰的隱形殺手!寄生輻射風險一次破解〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

圖 / 宜特科技

X-ray 屬於物理性非破壞檢測,是一項即時且便利的分析實驗,可在故障分析(FA)或產品製程改善過程中快速找出問題;僅在極少數特定製程或產品條件下,才可能影響元件的電氣特性。

如同人體若長期暴露在輻射環境中,可能導致細胞突變、DNA 受損,甚至增加癌症風險。對於 IC 而言,情況其實類似——當元件在 X-ray 等非破壞性驗證分析中持續累積過高的輻射劑量(TID, Total Ionizing Dose),其內部電晶體特性可能發生變化,造成閘極漏電流上升、閘極氧化層劣化,最終導致IC提前失效。 

隨著 AI 人工智慧、車規與航太電子標準趨嚴,IC 的長期可靠性要求日益提升,這項過往經常被忽略的潛在風險,如今已不得不正視。因此,JEDEC 於 2023 年 11 月發布 JESD22-B121 標準,明確定義如何評估 IC 在製造、驗證和表面黏著技術 (Surface Mount Technology,簡稱SMT) 等製程中,暴露於輻射照射後的電性變化,並確立其 TID 限制值 (可稱為故障極限值或供應商極限值),以降低潛在失效風險。

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本篇宜特小學堂文章將探討X-ray對電子元件造成的電氣故障模式、關鍵測試變數,以及X-ray輻射總電離劑量(TID)測試最終報告內容,跟各位分享如何透過宜特的「寄生輻射劑量沉積驗證平台」,有效預防潛在故障風險。

輻射劑量對 IC 的電氣影響與故障模式

為了評估關鍵參數的變化,必須充分理解電子元件在電離輻射環境下,因介電電荷積聚(Trapped Charge)所產生的故障機制。當元件暴露於累積效應明顯的 X-ray 時,其內部的關鍵電性參數可能發生變化,導致潛在的失效風險。因此,輻射評估是確保半導體元件可靠性的重要環節,能幫助工程師判斷其抗輻射能力與安全範圍。

不同材料的輻射吸收速率不同,因此對電子元件的影響程度也會有所差異。當 IC 暴露在 X-ray 環境下,吸收的能量會沉積形成寄生輻射劑量(TID),而這種累積效應可能會導致不可逆的電氣故障(表1)。

表一:主要 IC 元器件/單元類型其大部分預期的故障模式。圖表來源 / JESD22-B121

X-ray 系統設定和變數

X-ray 成像技術廣泛應用於 IC 和元件的封裝驗證,特別適用於內部結構缺陷的發現,與可觀察表面缺陷的光學驗證技術相輔相成。X-ray 成像技術可在 IC 運輸過程的影像掃描、焊點檢測、材料分析等應用中發揮關鍵作用。然而,這些驗測過程亦會讓 IC 曝露於 X-ray 輻射,累積一定的總電離劑量 (TID),可能影響其電性特性。圖 1 顯示了 X-ray 系統的基本架構。

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圖一:X-ray 系統簡化示意圖。圖 / JESD22-B121

當高速電子束或離子束撞擊金屬靶材 (如鎢) 時,會產生 X-ray 光子。這些光子來自於:

  1. 軔致輻射 (Bremsstrahlung Radiation):入射電子因受原子核電場影響而減速,發射出連續光譜的 X-ray。
  2. 特徵輻射 (Characteristic Radiation):入射電子與靶材內層電子(殼)層發生碰撞,產生離散特徵能量的X- ray。

當 X-ray 穿透並圍繞樣品時,偵測器會接收來自不同材料的吸收與散射訊號,形成陰影影像 (Radiographic Image)。影像的明暗對比取決於材料的 X-ray 吸收率,吸收率低的區域顯示較亮,吸收率高的區域則較暗。不同的 X-ray系統參數亦會影響影像品質與 IC 所承受的輻射劑量,以 2D X-ray3D X-ray 兩種分析為例,前者為單一角度成像,劑量較低,但可能受多層結構遮蔽影響;後者透過多角度掃描重建 3D 影像,可減少結構遮蔽效應,提高驗證準確性,但也因此增加輻射劑量。

針對功能性 IC 的輻射影響分析,表 2 定義了不同設定下的臨界最大劑量 (Critical Maximum Dose)。為確保 IC 在 X-ray 檢測過程中不會超過 TID 極限值,透過適當調整 X-ray 系統參數 (如降低電壓、縮短曝光時間、選擇合適的掃描方式),皆可有效降低輻射劑量,並減少 IC 因驗證而導致的電性劣化風險。

表二:X-ray 的關鍵參數與其對輻射劑量的影響 。圖表來源 / JESD22-B121

X-ray 輻射劑量的測量

X-ray 劑量儀這麼多種,我們該如何選擇呢?為達成精準測量 X-ray 劑量的目的,需要 X-ray 檢測系統來產生穩定的輻射,以及X-ray劑量儀來精確測量劑量率。應選擇符合關鍵參數的 X-ray 系統來模擬典型的 X-ray 檢測條件。表 3 顯示劑量儀的類型。

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表三:劑量儀的類型。圖表來源 / JESD22-B121

游離腔和基於半導體的劑量儀為主動設備,可測量輻射引起的電流,因此能即時讀取劑量。而基於發光的劑量儀則是被動設備,會將劑量儲存於設備中,需要經過溫度或光的後處理才能測量劑量,且照射後無法立即讀取資料。因此,使用以發光為基礎的劑量儀時,建議在常溫和正常自然條件下儲存,保護其免受高溫和紫外線影響,並減少儲存與運輸時間,因為這些因素皆會影響劑量的準確度。若已知環境條件會影響劑量儀反應,則應對測量結果進行校正。額外的參考劑量計可用來監測由於不必要或雜散效應所產生的劑量,並將其從 X-ray 校準所用劑量計的讀數中扣除。同時,應考慮能量範圍內的讀取器校準。ISO/ASTM 51956 標準,例如:《練習輻射加工使用熱釋光劑量測定系統 (TLD系統)》,可作為指導方針。

總電離劑量 (TID) 特徵測試程序

圖 4 為 X-ray 總電離劑量 (TID) 測試流程示意圖。可以執行兩種特徵分析模式,並記錄在摘要報告中。第一個是超出供應商極限值的特徵,第二個是故障極限值的特徵。

  1. 供應商極限值:

這是供應商設立的一個輻射劑量的最大限度,指的是元件在接受 X-ray 輻射的過程中能夠承受的最大劑量。在這一過程中,測試會根據預期的最嚴重輻射情況來設定測試參數。如果在測試中需要返工或進行進一步檢查,這段時間的曝露時間也必須計算在內,不能超過設定的供應商極限。

  1. 故障極限值:

這是指在經受輻射後,元件可能會出現故障的最大輻射劑量。透過對元件的測試,根據「第一個故障參數」來判定,這有助於確定元件在最大輻射劑量下是否仍能正常運作。

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圖二:總電離劑量特徵流程圖 圖 / JESD22-B121

X-ray 輻射總電離劑量 (TID) 測試最終報告有哪些內容呢?

X-ray 輻射總電離劑量 (TID) 測試的最終報告必須從典型批次的樣品中隨機選擇若干樣品,並包含未遭受輻射的對照樣品。最終報告應包含以下內容:

  1. X-ray 系統描述,包括:
    • 設備、供應商、型號、X-ray靶材類型
    • X-ray的設定和劑量率
    • 如果使用濾光片,濾光片的材料與厚度
    • X-ray燈管與測試元器件之間的距離
    • 相對於X-ray源的方向
  2. X-ray劑量儀的描述:包括供應商、型號、劑量率測量範圍,以及精度範圍的對應公差。
  3. 元器件的描述:包括製程節點 (電子元器件之特徵)、產品名稱、批號、日期代碼等。
  4. 封裝類型和熱界面材料類型 (如果有):如果為非封裝單元(裸晶片或晶圓級)或無蓋/封裝已開蓋(解封裝),則應註明。
  5. 已測試的元器件總數:包括對照 (未遭受輻射) 的元器件數量。
  6. 電氣測試所使用的環境溫度。
  7. 在描述時間效應的影響的情況下,曝露與讀出之間的時間間隔與退火條件。
  8. 每個測試元器件遭受輻射的X-ray總劑量:
    • 空氣中的劑量。
    • 材料中的劑量 (如適用)。
    • 從空氣到材料的劑量轉換因子 (如適用)。
    • 特徵模式:故障極限值或供應商極限值。
  9. 電氣測試的結果。

小結

針對金屬氧化物半導體(MOS)、雙極性元件(Bipolar)、非揮發性記憶體(NVM)、快閃記憶體(Flash Memory)/電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM),以及動態隨機存取記憶體(DRAM)等元件,若您擔心在進行 2D/3D X-ray 檢測時可能因寄生輻射導致提早失效,可透過「寄生輻射劑量沉積驗證平台」進行事前驗證。宜特作為 JESD22-B121 標準的 JC 14.1 技術委員會成員,採用高靈敏度 TID 劑量量測技術,依據標準流程精確量化 X-ray 特定條件下的輻射影響,並協助工程師判斷是否超出 IC 設計容許範圍,作為是否進行後續檢測與分析的重要參考。

本文出自 www.istgroup.com

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為什麼越累越難睡?當大腦想下班,「腸道」卻還在加班!
鳥苷三磷酸 (PanSci Promo)_96
・2026/04/30 ・2519字 ・閱讀時間約 5 分鐘

本文與  益福生醫 合作,泛科學企劃執行

昨晚,你又在床上翻來覆去、無法入眠了嗎?這或許是現代社會最普遍的深夜共鳴。儘管換了昂貴的乳膠枕、拉上百分之百遮光的窗簾,甚至在腦海中數了幾百隻羊,大腦的那個「睡眠開關」卻彷彿生鏽般卡住。這種渴望休息卻睡不著的過程,讓失眠成了一場耗損身心的極限馬拉松 。

皮質醇:你體內那位「永不熄滅」的深夜警報器

要理解失眠,我們得先認識身體的一套精密防衛系統:下視丘-垂體-腎上腺軸(HPA axis) 。這套系統原本是演化給我們的禮物,讓我們在面對劍齒虎或突如其來的危險時,能迅速進入「戰鬥或快逃」的備戰狀態。當這套系統啟動,腎上腺就會分泌皮質醇 (壓力荷爾蒙),這種荷爾蒙能調動能量、提高警覺性,讓我們在危機中保持清醒 。

然而,現代人的「劍齒虎」不再是野獸,而是無止盡的專案進度、電子郵件與職場競爭。對於長期處於高壓或高強度工作環境的人們來說,身體的警報系統可能處於一種「切換不掉」的狀態。

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在理想的狀態下,人類的生理時鐘像是一場精確的接力賽。入夜後,身體會進入「修復模式」,此時壓力荷爾蒙「皮質醇」的濃度應該降至最低點,讓「睡眠荷爾蒙」褪黑激素(Melatonin)接棒主導。褪黑激素不僅負責傳遞「天黑了」的訊號,它還能抑制腦中負責維持清醒的食慾素(Orexin)神經元,幫助大腦順利關閉覺醒開關。

對於長期處於高壓或高強度工作環境的人們來說,身體的警報系統可能處於一種「切換不掉」的狀態 / 圖片來源:envato

然而,當壓力介入時,這場接力賽就會變成跑不完的馬拉松賽。研究指出,長期的高壓環境會導致 HPA 軸過度活化,使得夜間皮質醇異常分泌。這不僅會抑制褪黑激素的分泌,更會讓食慾素在深夜裡持續活化,強迫大腦維持在「高覺醒狀態(Hyperarousal)」。 這種令人崩潰的狀態就是,明明你已經累到不行,但大腦卻像停不下來的發電機!

長期的睡眠不足會導致體內促發炎細胞激素上升,而發炎反應又會進一步活化 HPA 軸,分泌更多皮質醇來試圖消炎,高濃度的皮質醇會進一步干擾深層睡眠與快速動眼期(REM),導致睡眠品質變得低弱又破碎,最終形成「壓力-發炎-失眠」的惡行循環。也就是說,你不是在跟睡眠上的意志力作對,而是在跟失控的生理長期鬥爭。

從腸道重啟好眠開關:PS150 菌株如何調校你的生理時鐘

面對這種煞車失靈的失眠困局,科學家們將目光投向了人體內另一個繁榮的生態系:腸道。腸道與大腦之間存在著一條雙向通訊的高速公路,這就是「菌-腸-腦軸 (Microbiome-Gut-Brain Axis, MGBA)」,而某些特殊菌株不僅能幫助消化、排便,更能透過神經與內分泌途徑與大腦對話,直接參與調節我們的壓力調節與睡眠節律。這種菌株被科學家稱為「精神益生菌」(Psychobiotics)。

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腸道與大腦之間存在著一條雙向通訊的高速公路,這就是「菌-腸-腦軸 (Microbiome-Gut-Brain Axis, MGBA)」/圖片來源:益福生醫

在眾多研究菌株中,發酵乳桿菌 Limosilactobacillus fermentum PS150 的表現格外引人注目。PS150菌株源於亞洲益生菌權威「蔡英傑教授」團隊的專業研發,累積多年功能性菌株研發經驗的科學成果。針對臨床常見的「初夜效應」(First Night Effect, FNE),也就是現代人因出差、換床或環境改變導致的入睡困難,俗稱認床。科學家在進行實驗時發現,補充 PS150 菌株能顯著恢復非快速動眼期(NREM)的睡眠長度,且入睡更快,起床後也更容易清醒。更重要的是,不同於常見的藥物助眠手段(如抗組織胺藥物 DIPH)容易造成快速動眼期(REM)剝奪或導致睡眠破碎化,PS150 菌株展現出一種更為「溫和且自然」的調節力,它能有效縮短入睡所需的時間,並恢復睡眠中代表深層修復的「Delta 波」能量。

科學家發現,即便將 PS150 菌株經過特殊的熱處理(Heat-treated),轉化為不具活性但保有關鍵成分的「後生元」(Postbiotics),其生物活性依然能與活菌媲美 。HT-PS150 技術解決了益生菌在儲存與攝取過程中容易失去活性的痛點,讓這些腸道通訊員能更穩定地發揮作用 。

在臨床實驗中,科學家觀察到一個耐人尋味的現象:當詢問受試者的主觀感受時,往往會遇到強大的「安慰劑效應」,無論是服用 HT-PS150 還是安慰劑的人,主觀上大多表示睡眠變好了。這種「體感上的進步」有時會掩蓋真相,讓人分不清是心理作用還是真實效益。

然而,客觀的生理數據(Biomarkers)卻揭開了關鍵的差異。在排除主觀偏誤後,實驗數據顯示 HT-PS150 組有更高比例的人(84.6%)出現了夜間褪黑激素分泌增加,且壓力荷爾蒙(皮質醇)顯著下降,這證明了菌株確實啟動了體內的睡眠調控系統,而不僅僅是心理安慰。

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最值得關注的是,對於那些失眠指數較高(ISI ≧ 8)的族群,這種「生理修復」與「主觀體感」終於達成了一致。這群人在補充 HT-PS150 後,不僅生理標記改善,連原本嚴重困擾的主觀睡眠效率、持續時間,以及焦慮感也出現了顯著的進步。

了解更多PS150助眠益生菌:https://lihi3.me/KQ4zi

重新定義深層睡眠:構建全方位的深夜修復計畫

睡眠從來就不只是單純的休息,而是一場生理功能的全面重整。想要重獲高品質的睡眠,關鍵在於為自己建立一個全方位的修復生態系。

這套系統的基石,始於良好的生活習慣。從減少睡前數位螢幕的干擾、優化室內環境,到作息調整。當我們透過規律作息來穩定神經系統,並輔以現代科學對於 PS150 菌株的調節力發現,身體便能更順暢地啟動睡眠開關,回歸自然的運作節律。

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與其將失眠視為意志力的抗爭,不如將其看作是生理機能與腸道微生態的深度溝通。透過生活作息的調整與科學實證的支持,每個人都能擁有掌控睡眠的主動權。現在就從優化生活型態開始,為自己按下那個久違的、如嬰兒般香甜的關機鍵吧。

與其將失眠視為意志力的抗爭,不如將其看作是生理機能與腸道微生態的深度溝通 / 圖片來源 : envato

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肺部為何會「結疤」?揭開比癌症更致命的「菜瓜布肺」,科學家如何找到破解惡性循環的新契機
鳥苷三磷酸 (PanSci Promo)_96
・2026/05/08 ・2041字 ・閱讀時間約 4 分鐘

本文由 肺纖維化(菜瓜布肺)社團衛教 合作,泛科學撰文

在現代醫學的警示清單裡,乳癌、大腸癌這些疾病大家都不陌生;但有一個「隱蔽且致命」的威脅卻常被忽視,那就是「肺纖維化」。其中最常見的類型「特發性肺纖維化」(IPF),其預後往往不太樂觀,確診後的五年存活率甚至比許多常見的癌症還低。

首先,我們得先破解一個迷思:肺纖維化並不是單一疾病,而是許多種間質性肺病的共同表現。當我們聽到「肺纖維化」,腦中常浮現「菜瓜布肺」的形象,患者的肺部外觀充滿一個個空洞與疤痕,像極了乾燥的絲瓜。這精準描繪了肺部組織逐漸硬化、失去彈性的過程。

更重要的是,IPF 這類肺纖維化的威脅在於「不可逆」的特性,一旦形成就很難逆轉。這跟部分 COVID-19 康復者身上、仍有機會復原的肺纖維化,是兩種完全不同的概念。

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IPF 這類肺纖維化的威脅在於「不可逆」的特性,一旦形成就很難逆轉 / 圖示來源:shutterstock

肺部為何會變成「菜瓜布」?

為什麼好端端的肺會變成菜瓜布?這其實是一場身體修復機制失控的結果。

「纖維化」的組織,就是肺部間質組織(interstitium)的疤痕化。間質是圍繞在肺泡周圍,包含血管與支持肺部結構的結締組織。在正常情況下,肺部損傷後會啟動修復機制,並再生健康組織。但在肺纖維化的患者體內,這套修復機制卻「當機」了。

身體會不斷地發出訊號,導致負責修復工作的「纖維母細胞」(fibroblasts)被過度活化,進而失控地沉積膠原蛋白疤痕組織,最終在肺部形成永久性的纖維化。

科學家發現,這個過程之所以棘手,在於它是一個「惡性循環」,肺部同時存在著「發炎反應」與「纖維化」這兩條路徑 ,它們相互加乘,演變成難以阻斷的強大破壞力。

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雖然特發性肺纖維化 (IPF) 的具體成因不明 ,但已知某些特定族群的風險更高。例如抽菸,特定年齡與性別(50歲以上男性)、長期暴露於粉塵環境的工作者(農業、畜牧業、採礦業…)、胃食道逆流者。此外,患有自體免疫疾病(如類風濕性關節炎、乾燥症、硬皮症、皮肌炎/多發性肌炎,)的患者,他們併發肺纖維化的機率遠高於一般人,必須特別警覺。

雖然特發性肺纖維化 (IPF) 的具體成因不明 ,但已知某些特定族群的風險更高。/ 圖示來源:shutterstock

打斷惡性循環的挑戰,為何只對抗「纖維化」還不夠?

面對這個不可逆的疾病,醫學界長年束手無策,直到 2014 年才迎來一道曙光。美國 FDA 批准了兩種機制不同的新藥:Nintedanib 和 Pirfenidone。這兩種藥物的出現是治療史上的分水嶺,首度被證實能夠「延緩」IPF 患者肺功能的惡化速度。

然而,這場戰役尚未結束。現有的治療雖然帶來了希望,卻也凸顯了「未被滿足的醫療需求」。從機制上來看,這些藥物主要抑制的是「纖維化路徑」。

這讓科學界開始思考這個未被滿足的棘手問題:既然疾病的本質是「發炎」與「纖維化」的雙重打擊,那麼,我們是否能找到「同時抑制」這兩條路徑的全新策略,從而更有效地打斷這個惡性循環?

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找到同時調控「發炎」與「纖維化」的新靶點

為了解決難題,科學家將目光鎖定在一個細胞內的酵素:磷酸二酯酶 4B(PDE4B)

為什麼鎖定它?讓我們看看它的「雙重作用」機制:

  1. 關鍵位置: PDE4B 同時存在於免疫細胞(與發炎有關)與纖維母細胞(與纖維化有關)當中。
  2. 作用機制: PDE4B 的主要工作是降解細胞內一種叫 cAMP(環磷酸腺苷) 的訊號分子。cAMP 可以被視為細胞內的「穩定信號」。
  3. 雙重抑制: 當我們使用藥物抑制了 PDE4B 的活性,細胞內的 cAMP 就不會被分解,濃度會隨之升高。高濃度的 cAMP 能穩定免疫細胞和纖維母細胞,同時產生抗發炎抗纖維化的雙重效應。

簡單來說,鎖定並抑制 PDE4B,就像是同時抑制了免疫風暴與纖維化的工程,有望從雙從抑制打擊這個惡性循環。

全球臨床試驗帶來的新希望

近十年來,全球在肺纖維化領域投入了大量的臨床試驗,我們相信,在科學家逐步破解肺纖維化惡性循環的複雜難題後,期盼未來能為無數患者爭取到更安全、健康的生活與未來。

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最後,我們必須再次提醒,特發性肺纖維化(IPF)與漸進性肺纖維化(PPF)是極具破壞性、且不可逆的疾病。面對這個比癌症更致命的對手,雖然現有的治療手段能延緩惡化,但無法逆轉已經形成的肺部疤痕組織,因此「早期診斷、早期治療」仍是對抗肺纖維化最重要的黃金時刻。

必須再次提醒,特發性肺纖維化(IPF)與漸進性肺纖維化(PPF)是極具破壞性、且不可逆的疾病。/ 圖示來源:


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TGV 玻璃基板真能取代矽基板?良率、應力與失效解析全揭密
宜特科技_96
・2025/09/24 ・3349字 ・閱讀時間約 6 分鐘

本文轉載自宜特小學堂〈玻璃基板VS矽基板之戰?TGV產品失效真因怎麼找?〉,如果您對半導體產業新知有興趣,歡迎按下右邊的追蹤,就不會錯過宜特科技的最新文章!

挑戰矽霸權?TGV(Through-Glass Via)玻璃基板技術因優異的高頻與低損耗特性,廣泛應用於5G、AIoT、車用雷達等領域,成為先進封裝的新選項。然而,業界在推動 TGV 技術導入時,卻頻繁遇到製程良率、封裝機械強度、以及材料熱失配 (CTE mismatch)等問題。該如何找出失效真因,提升良率呢?

半導體產業正迎來基板材料的重大革新!隨著 AI、高速運算(HPC)與電動車等應用日益蓬勃,因低損耗、高頻特性與成本優勢的需求,利用玻璃基板製作玻璃通孔(TGV, Through-Glass Via)在高階封裝技術發展中逐漸被重視,也成為這股 AI 變革浪潮中,有機會取代矽基板製作的矽中介層(Silicon Interposer)技術的明日之星。

根據業界報導,Intel、Samsung、Hana Technology、Nippon Electric Glass(NEG)等多家半導體與材料大廠,已紛紛投入TGV 的開發與試產,並針對 AI 晶片、高頻模組等應用設計新一代封裝架構。根據 Verified Market Reports 的研究,TGV 技術市場規模預計將由 2024 年的 12 億美元提升至 2033 年的 25 億美元,2026–2033 年預測年均複合成長率為 9.5%,顯示其具備高度競爭價值。

什麼是 TGV 玻璃基板技術?TGV 是一種於玻璃基板上製作「金屬導電孔」(vias)的技術。簡單來說,就是在一片玻璃板上鑽孔,再把導電金屬(如銅)填入孔內,讓電氣訊號得以從玻璃的一面傳輸到另一側。像是在玻璃上開出許多高速通道,讓晶片之間的電訊號可以快速且低損耗地傳輸。 

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圖一:TGV結構示意圖 。圖片來源/iST宜特科技

跟「矽」這位老前輩相比,TGV 的關鍵優勢在於高頻傳輸、絕緣性佳,可視為下一世代 2.5D、3D 等先進封裝的重要技術之一,非常適合應用在 AI、5G、車用雷達等高速模組。然而,業界在導入 TGV 技術時,製程良率、封裝機械強度,以及材料熱失配等問題,將是衝擊可靠度驗證結果與拖慢量產進度的重大瓶頸。

本篇宜特小學堂將根據宜特與業界的實務經驗,分享我們如何透過一站式解決方案,四步驟找出產品失效的根本原因。最後也將分享一則實際案例,讓您更深入了解 TGV 技術的應用與潛在風險。

一、目前 TGV 發展遇到的兩大逆風

  • (一) 製造良率與成本挑戰
    • 玻璃鑽孔問題:目前雷射或化學蝕刻仍存在孔徑形狀不一、表面粗糙度高等問題,影響後續導電性與金屬填充均勻性。
    • 銅填充與擴散風險:填充不均導致孔洞電阻變異,銅擴散至玻璃內部則可能造成絕緣劣化與長期失效。
  • (二) 機械強度與封裝應力
    • 玻璃基板脆性高:玻璃雖剛性高但脆性(Brittleness)大,在製程、封裝壓合、測試或使用過程中易受微裂紋影響而造成電氣異常。
    • 銅與玻璃間熱膨脹係數(CTE)差異大:長期熱應力累積易導致界面剝離。
    圖二: TGV中銅與玻璃間脫層異常。圖片來源/iST宜特科技

    二、時間就是金錢 四大解析步驟快速找出潛在異常點

    接著,我們將不藏私地分享宜特故障分析實驗室如何找出TGV玻璃基板的故障點。透過以下四大步驟,有效協助客戶快速找出潛在故障點並加以改善,適用於TGV初期導入、材料選型、量產前可靠度驗證等階段。

    • 步驟一:創造環境,誘發潛在異常點現形
      • 透過加速老化可靠度實驗,如HAST(Highly Accelerated Stress Test)與 HTS(High Temperature Storage),可評估 TGV 結構在高溫/高濕/高壓環境下的長期穩定性,藉此誘發出結構中可能存在的異常點。此方法可在短時間內模擬數年壽命,快速誘發銅擴散、玻璃界面剝離或導通異常等潛在問題。宜特可依客戶需求調整測試條件(如85°C / 85%RH / 1000小時),並結合後段破壞分析,提高整體測試效能。
    • 步驟二:非破壞檢測TGV缺陷所在區域,快速定位異常點
      • 當有相關電氣漏電失效發生時,可利用亮點分析儀器 (Thermal EMMIOBIRCH) 進行失效點定位;此外,採用高解析度 X-Ray 系統,進行 2D 平面觀察3D 斷層掃描,無需破壞樣品,即可快速掌握 TGV 電性異常物性狀態或銅填孔的完整性。此技術可識別TGV內部填鍍常見的空洞(void)缺陷。我們也可針對高深寬比結構進行局部放大分析,作為後續精細切片的輔助依據。
    • 步驟四:微觀材料結構分析,有效改善潛在風險
      • 切片後可進一步搭配 SEMTEM 觀察穿孔界面狀態,並利用 EDS / EELS 元素分析確認銅擴散路徑與濃度分布,尤其在檢測玻璃內部的微量銅擴散時,此步驟至關重要,有助於建立完整失效機制模型。亦可搭配 EBSD 分析晶粒大小/方向(Grain size/ orientation)、晶界(Grain boundary)特性與殘留應力,有助改善製程與提升可靠度和電氣特性 (閱讀更多: 揭密 TGV 製程中的隱形殺手:EBSD 如何破解應力難題)。

    三、TGV案例分享

    在宜特的 TGV 異常分析經驗中,導致導通失敗的主因多為 TGV 製程中「玻璃穿孔」的穿孔品質不良與「金屬填孔」(多採用電鍍或化學填鍍)的銅填鍍不均。由於 TGV 基板上的微小通孔需完全且均勻填入銅材,才能確保穩定導電路徑,任何玻璃孔蝕刻異常都可能導致導通中斷。同時,若電鍍參數設定不當,易產生孔內空隙、填充不飽滿或柱狀結構不連續等缺陷,進而造成電氣特性異常與封裝失效。

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    在這個案例中,我們可利用 2D X-ray 非破壞分析,進行異常點定位,再搭配 精準切片,並以 SEM 觀察發現銅填充空隙不均,導致部分 TGV 產生無法導通或高阻值異常。經分析後,針對鍍銅條件進行優化與調整填鍍時間,最終成功協助客戶提升銅填孔飽和度與導電一致性,得以提升整體良率。

    圖三:從 2D X-Ray 觀察,產品原先有銅填孔不均的問題,沒有連結在一起的通孔表示導通失敗 (左圖以黃圈標出部分失效處);經過鍍銅條件優化與調整後,提升了銅填孔的飽和度(右圖)。圖片來源/iST宜特科技
    圖四:從 SEM 可清楚看出,製程優化和調整後,最終成功提升銅填孔飽和度。圖片來源/iST宜特科技

    儘管矽中介層技術因「製程成熟」與「散熱佳」,仍是目前應用的主力。然而,TGV 玻璃基板低電氣阻抗、高頻率傳輸與卓越的絕緣特性,成為半導體產業在 AI 加速器、高階通訊及毫米波雷達等前瞻技術趨勢下的關鍵材料之一。隨著全球半導體大廠的積極投入,TGV 玻璃基板有望成為先進封裝領域中極具戰略意義的「明日基板」技術。若能透過有效的故障分析手法加速協助提升 TGV 玻璃基板可靠度與其製程良率,將可大大增加 TGV 及早量產化的可能性。若您喜歡這類產業解讀內容,歡迎追蹤宜特科技臉書,掌握第一手科技新知!

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    宜特科技_96
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    我們了解你想要的不只是服務,而是一個更好的自己:) iST宜特自1994年起,以專業獨家技術,為電子產業的上中下游客戶, 提供故障分析、可靠度實驗、材料分析和訊號測試之第三方公正實驗室