在第 243 屆 National Meeting & Exposition of the American Chemical Society 中演說,那位科學家表示,擁有這些晶片的裝置,不管是偶然穿越乾燥器,或甚至在前往火星的旅程上,都能保有資料。且憑藉獨特的 3D 內部結構,這款新晶片能在佔用較少空間的情況下,封裝額外數 GB 的資料。
「這些新晶片對電子產業來說是大件事,因為他們正試圖取代快閃記憶體,」James M. Tour, Ph.D. 表示,他領導研究團隊。「這些新記憶晶片有數種優勢勝過今日晶片,那在成千上萬種快閃碟(拇指碟)、智慧型手機、電腦與其他產品中,是資料儲存的主力。快閃記憶體還有約六、七年的光景,在這之間那能夠變得更小,但開發者之後就會遇到根本障礙。」
因為新記憶晶片的設置方式,即每位元的資訊有二個終端,而非標準的每位元三個終端,它們比快閃碟更適合電子學中的下一波革命 — 3D 記憶體。
這種晶片原本是由一層石墨烯或其他碳材料在矽氧化物(那長久以來被視為一種絕緣體、一種電子裝置中的被動元件)上組成。石墨烯是薄薄的一層碳原子,被視為一種「神奇材料」,因為它是已知最薄與最強的材料。它甚至是最近諾貝爾獎的主題。當初,在 Rice 大學的研究者認為這種晶片驚人記憶能力是由於石墨烯的緣故。不過他們最近發現,他們錯了。實際上是矽氧化物表面造就這種記憶能力,現在,他們能使它們不含石墨烯了。這項研究是 Tour 的小組在與(物理系)Douglas Natelson 教授以及(電機與電腦工程系)Lin Zhong 的合作下完成。此計畫主要參與的學生是 Jun Yao 與 Javen Lin。
文中:因為新記憶晶片的設置方式,即「每位元的資訊」有二個終端,而非標準的「每位元三個終端」
「每位元的資訊」這似乎有點不正確。原文: namely with two terminals「 per bit of information 」rather than the standard three terminals per bit。指得不是資訊的每一位元?「每位元三個終端」指得不也就是每一位元?
再說,資訊或信息不是由多個位元所組成?
為了解決這個問題,需要一種關鍵材料,導熱介面材料(TIM,Thermal Interface Material)。它的任務就是填補這些縫隙,讓熱可以更加順暢傳遞出去。可以把TIM想像成散熱高速公路的「匝道」,即使主線有再多車道,如果匝道堵住了,車流還是無法順利進入高速公路。同樣地,如果 TIM 的導熱效果不好,熱量就會卡在晶片與散熱片之間,導致散熱效率下降。
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那麼,要怎麼提升 TIM 的效能呢?很直覺的做法是增加導熱金屬粉的比例。目前最常見且穩定的選擇是氧化鋅或氧化鋁,若要更高效的散熱材料,則有氮化鋁、六方氮化硼、立方氮化硼等更高級的選項。
典型的 TIM 是由兩個成分組成:高導熱粉末(如金屬或陶瓷粉末)與聚合物基質。大部分散熱膏的特點是流動性好,盡可能地貼合表面、填補縫隙。但也因為太「軟」了,受熱受力後容易向外「溢流」。或是造成基質和熱源過分接觸,高分子在高溫下發生熱裂解。這也是為什麼有些導熱膏使用一段時間後,會出現乾裂或表面變硬。