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・2012/09/16
鐵電性材料是製造次世代非揮發性記憶體的基礎,而記憶體的密度極限取決於鐵電性究竟能在多小的尺度下存在。最近美國科學家研究了碲化鍺(GeTe)與鋇鈦氧化物(BaTiO3)內鐵電形變的分佈情形,證實低至數奈米的大小仍可見鐵電性存在。根據此結果,次世代非揮發性記憶體每平方英寸的儲存容量可望高達數兆位元。