在半導體技術的快速進步中，晶片的製造已經達到了前所未有的微小尺度。當今的晶片不僅需要高度集成，還要求每層薄膜的厚度縮小至僅有幾層原子厚。這樣的挑戰驅使半導體產業不斷探索新技術，如環繞式閘極、3D 封裝以及極紫外光（EUV）曝光技術等。
然而，這些技術的成功依賴於一個至關重要的基礎步驟：製作極其薄的材料層，而這正是原子層沉積（ALD）技術的核心所在。
為什麼需要如此精細的薄膜製程？
半導體製造是一個高度複雜的過程。晶片的每一層都需要精確的材料沉積，以確保其功能和性能。在半導體產業中，即便是台積電這樣的領先企業，也無法單獨完成所有製程。從晶圓到光阻劑、曝光機等材料和設備，都需要來自全球各地的供應商。這樣的龐大產業鏈反映了製造晶片的難度，正如著名科學家石神千空所言，半導體製造猶如「地獄級」的挑戰。
在半導體製程中，微影製程是核心技術之一。微影製程的基本概念是將一層層材料「蓋」在晶圓上，通過沉積、曝光和蝕刻三個步驟，逐步構建出完整的晶片。首先，工程師會在晶圓上製造一層絕緣層，然後進行沉積，添加所需材料（如絕緣體、半導體或金屬層）。接著，塗上一層光阻劑，並通過曝光技術（例如 EUV 極紫外光曝光機）刻出所需圖案。最後，進行蝕刻，去除未被保護的材料，留下圖案。這個過程會重複進行，以構建出複雜的結構。
薄膜技術的挑戰
在製造薄膜時，選擇合適的技術是至關重要的。薄膜製程大致分為物理和化學兩大類。物理方法包括蒸鍍、濺鍍和分子束磊晶等，而化學方法則有化學氣相沉積（CVD）和化學液相沉積等。在半導體行業中，化學氣相沉積（CVD）是一種常見的薄膜製程技術。CVD 過程中，氫氣、氬氣等載氣將原料氣體帶入反應室，經過化學反應後，材料會在基板上沉積成膜。
然而，隨著半導體技術的進步，晶片結構變得更加複雜，例如從平面電晶體到現今的 FinFET 鰭式場效電晶體，再到 GAA 環繞式閘極電晶體。這些複雜的結構對薄膜技術提出了更高要求。CVD 在處理這些結構時可能會遇到困難，尤其是在高精度和均勻度方面。這時，原子層沉積（ALD）技術便成為了解決這些問題的關鍵。
ALD 技術的原理與優勢
原子層沉積（ALD）是一種改進的化學氣相沉積技術，它將沉積過程分為兩個步驟。首先，注入第一前驅物，與基板表面反應。此階段需確保前驅物只與基板產生反應，形成一層原子厚的薄膜。當表面飽和後，注入第二前驅物，與已附著的前驅物反應，形成目標材料，完成薄膜的製程。
例如，製作氧化鋅薄膜時，第一前驅物是二乙基鋅。二乙基鋅在基板上反應後，會形成一層單分子厚的二乙基鋅。隨後，用氬氣沖洗掉多餘的前驅物，再通入水，水與二乙基鋅反應，生成氧化鋅。這樣的過程能確保薄膜的厚度均勻且精確。
ALD 技術的主要優勢在於其能夠精確控制薄膜的厚度，即使在非常複雜的結構中，也能確保每一層薄膜達到預期的厚度。這使得 ALD 在製造先進的半導體元件中具有不可替代的地位。
ALD 的未來與 ASM 的角色
ALD 技術自 1977 年由芬蘭材料學家圖奧莫．松托拉開發以來，已經歷經了近 50 年的發展。1999 年，松托拉將 ALD 技術出售給荷蘭半導體設備公司 ASM，這使得 ALD 技術得以在 ASM 的支持下持續進步。ASM 目前在 ALD 市場中擁有超過 55% 的市場份額，這反映了 ALD 技術的重要性和廣泛應用。
隨著半導體技術的不斷進步，ALD 技術也在不斷演化。除了傳統的 ALD 技術，電漿增強型 ALD（PEALD）也逐漸成為新興技術。PEALD 通過電漿技術來提高反應效率，解決了 ALD 在某些情況下反應率不足的問題。這使得 PEALD 能夠更好地應對複雜的薄膜製程需求。
原子層沉積技術（ALD）在半導體製程中扮演了至關重要的角色。隨著技術的不斷進步，ALD 技術已經能夠應對更加複雜的製程要求。ASM 作為 ALD 技術的領導者，不斷推動技術創新，以維持在半導體產業中的領先地位。面對未來，ALD 技術必將繼續發揮重要作用，推動半導體技術向更高的精度和性能邁進。
