麥特.瑞德里是英國演化生物學家、全球知名科普作家、《經濟學人》(The Economist)專欄編輯,擔任英國新堡國際生命中心研究主任、美國紐約冷泉港實驗室教授,也是牛津大學動物學博士。著有《紅色皇后:性與人性的演化》(The Red Queen: Sex and the Evolution of Human Nature)、《德性起源》(The Origins of Virtue: Human Instincts and the Evolution of Cooperation)、《23對染色體:解讀創生奧祕的生命之書》(Genome: The Autobiography of a Species in 23 Chapters)、《天性與教養:先天基因與後天環境的交互作用》(Nature via Nurture: Genes, Experience, & What Makes Us Human)和《克里克:發現遺傳密碼那個人》(Francis Crick: Discoverer of the Genetic Code)。
來自馬來西亞,畢業於台灣國立清華大學生命科學系學士暨碩士班,以及美國加州大學戴維斯分校(University of California at Davis)遺傳學博士班,從事果蠅演化遺傳學研究。曾於台灣中央研究院生物多樣性研究中心擔任博士後研究員,現任教於國立清華大學分子與細胞生物學研究所,從事鳥類的演化遺傳學、基因體學及演化發育生物學研究。過去曾長期擔任中文科學新聞網站「科景」(Sciscape.org)總編輯,現任台大科教中心CASE特約寫手、Readmoo部落格【GENE思書軒】、關鍵評論網專欄作家;個人部落格:The Sky of Gene;臉書粉絲頁:GENE思書齋。
二氧化矽、碳化矽、氮化矽這些半導體材料,特別適合使用化學氣相沉積法(CVD, Chemical Vapor Deposition)。CVD 的過程也不難,氫氣、氬氣這些用來攜帶原料的「載氣」,會帶著要參與反應的氣體或原料蒸氣進入反應室。當兩種以上的原料在此混和,便會在已被加熱的目標基材上產生化學反應,逐漸在晶圓表面上長出我們的目標材料。
在 ALD 的第一階段,我們先注入含有 A 成分的前驅物與基板表面反應。在這一步,要確保前驅物只會與基板產生反應,而不會不斷疊加,這樣,形成的薄膜,就絕對只有一層原子的厚度。反應會隨著表面空間的飽和而逐漸停止,這就稱為自我侷限現象。此時,我們可以通入惰性氣體將多餘的前驅物和副產物去除。在第二階段,我們再注入含有 B 成分的化學氣體,與早已附著在基材上的 A 成分反應,合成為我們的目標材料。