第一個發光電晶體(Light Emitting Transistor)

Original publish date:Dec 31, 2003

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美國Illinois大學的研究人員製造出了世界第一個發光電晶體(Light Emitting Transistor LET).

美國Illinois大學的研究人員將於2004年1月5日的Applied Physics Letters中發表他們所製造出的全世界第一個發光電晶體. 這個發光電晶體除了跟傳統的電晶體一樣具有電輸出輸入埠以外, 還多了一個紅外光輸出埠. 此外, 它是以磷化銦鎵(InGaP)及砷化鎵 (GaAs)的異質結構所構成, 而非如傳統的電晶體主要是由矽及鍺所構成.

雖然發光電晶體的發光機制與發光二極體(Ligit Emitting Diode)相同, 但它卻可以以較高的頻率來調制光的輸出. 到目前為止, 研究人員已經可以調制發光電晶體的光輸出到一百萬赫茲. 而且, 理論上還可以調制到更高的頻率.

也許現在要去預測發光電晶體實用上的價值未免言之過早, 但是它的應該有助於將光電迴路的設計整合成快速又方便的元件. 另外值得一提的是, 這個研究小組的成員包括了第一個可見光發光二極體的發明者Holonyak, 以及發展出世界上最快速的雙極電晶體(bipolar transistor)的Feng.

參考來源：

• Physics News Update: World’s First Light Emitting Transistor
• M. Feng et. al., Applied Physics Letters 84, 151, 2004.
• Physics News Graphics:Light Emitting Transistor

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