美國近地天體計畫室(Near-Earth Object Program Office)主任Don Yeomans表示:推翻撞擊危機的資料,主要來自美國新墨西哥州礦物科技研究所(Institute of Mining and Technology)Magdalena Ridge和夏威夷大學Pan-STARRS計畫,以及金石太陽系雷達觀測站(Goldstone Solar System Rada)。計算出來的撞擊機率雖然並不是0,但低於百萬分之一,基本上可視為地球在2036年的阿波菲斯接近事件中是安全的。
上圖是赫歇爾太空望遠鏡(Herschel Space Observatory)於2013年1月5~6日拍攝的阿波菲斯影像。科學家由此觀測資料估算發現:阿波菲斯的直徑約為325公尺,比原先估計的270 公尺還大一些;表面反照率則為0.23,比原來認為的0.33還低一些。表面反照率是指天體表面反射陽光的比例,數值愈低,代表愈不容易反射陽光。
二氧化矽、碳化矽、氮化矽這些半導體材料,特別適合使用化學氣相沉積法(CVD, Chemical Vapor Deposition)。CVD 的過程也不難,氫氣、氬氣這些用來攜帶原料的「載氣」,會帶著要參與反應的氣體或原料蒸氣進入反應室。當兩種以上的原料在此混和,便會在已被加熱的目標基材上產生化學反應,逐漸在晶圓表面上長出我們的目標材料。
在 ALD 的第一階段,我們先注入含有 A 成分的前驅物與基板表面反應。在這一步,要確保前驅物只會與基板產生反應,而不會不斷疊加,這樣,形成的薄膜,就絕對只有一層原子的厚度。反應會隨著表面空間的飽和而逐漸停止,這就稱為自我侷限現象。此時,我們可以通入惰性氣體將多餘的前驅物和副產物去除。在第二階段,我們再注入含有 B 成分的化學氣體,與早已附著在基材上的 A 成分反應,合成為我們的目標材料。
今年還會有更多驚喜!來自於新的太空望遠鏡,如:由歐洲太空總署開發的歐幾里得太空望遠鏡,今年發射後將繞行太陽六年,拍攝宇宙的 3D 圖;日本宇宙航空研究開發機構 JAXA 的 X 射線成像、光譜任務 XRISM,則是繞地球軌道運行的太空望遠鏡,將探測來自遙遠恆星和星系的 X 射線,預計在今年 4 月升空。