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・2012/09/16
鐵電性材料是製造次世代非揮發性記憶體的基礎,而記憶體的密度極限取決於鐵電性究竟能在多小的尺度下存在。最近美國科學家研究了碲化鍺(GeTe)與鋇鈦氧化物(BaTiO3)內鐵電形變的分佈情形,證實低至數奈米的大小仍可見鐵電性存在。根據此結果,次世代非揮發性記憶體每平方英寸的儲存容量可望高達數兆位元。
・2012/06/02
今日某些物理學家正在研究將分子磁鐵(molecular magnets)當成未來量子電腦之資訊儲存單元使用的可能性。就分子結構來說,分子磁鐵是那些磁矩偏好朝特定軸向排列的分子。其所擁有的電子自旋結構可經由磁力調整出一種以上的狀態,且在低溫時,即使在缺乏磁場的情況下,依然可維持這種狀態,這可能使它們被用於資訊儲存上。
・2012/05/07
日本與法國科學家發現在石墨烯上製作蜂巢狀的氫端奈米孔陣列,可使石墨烯在室溫下展現鐵磁性。研究人員相信此磁性來自於奈米孔結鋸齒邊緣的電子自旋。該現象有助於製作不含稀有元素、輕薄透明且可彎曲的磁鐵,也可用來發展利用邊緣極化自旋操作的新型自旋電子元件。
・2012/01/21
來自 IBM 與德國 Center for Free-Electron Laser Science(CFEL,自由電子雷射科學中心)的科學家建構出世上最小的磁性資料儲存單元。每 bit(資訊基本單位)只用到 12 個原子,並將完整的一個 byte(8 bit)壓縮到只要 96 個原子這麼少。
・2011/09/12
將二種無磁性的絕緣體交錯重疊(sandwiched)並發現一種令人吃驚的結果:二種材料交會的那一層,同時具有磁性以及超導電性區域 -- 這二種特性一般來說無法共存。
・2011/02/10
氧化銦是導電玻璃ITO的主要成分,被廣泛地應用在液晶螢幕等光電科技領域。傳統上,純的氧化銦被認為是不具有鐵磁性的,然而新加坡南洋理工大學的研究團隊利用理論計算,發現氧化銦在(001)方向的表面可以存在穩定的鐵磁性。
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