NanoScience
・2012/09/16
鐵電性材料是製造次世代非揮發性記憶體的基礎，而記憶體的密度極限取決於鐵電性究竟能在多小的尺度下存在。最近美國科學家研究了碲化鍺（GeTe）與鋇鈦氧化物（BaTiO3）內鐵電形變的分佈情形，證實低至數奈米的大小仍可見鐵電性存在。根據此結果，次世代非揮發性記憶體每平方英寸的儲存容量可望高達數兆位元。
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・2012/04/10
一位科學家在今日報告，新的記憶晶片是透明的，其彈性足以像一張紙般摺疊，不把華氏 1,000 度（約攝氏 578 度）當作一回事 -- 那比廚房爐子的最高溫度還要熱上二倍 -- 而且能挺過其他險惡的環境，引領次世代記憶體的發展，為明日的隨身碟、手機與電腦而開發的記憶體，能與快閃記憶體競爭。