NanoScience
・2012/09/16
鐵電性材料是製造次世代非揮發性記憶體的基礎，而記憶體的密度極限取決於鐵電性究竟能在多小的尺度下存在。最近美國科學家研究了碲化鍺（GeTe）與鋇鈦氧化物（BaTiO3）內鐵電形變的分佈情形，證實低至數奈米的大小仍可見鐵電性存在。根據此結果，次世代非揮發性記憶體每平方英寸的儲存容量可望高達數兆位元。
only-perception
・2011/09/12
將二種無磁性的絕緣體交錯重疊（sandwiched）並發現一種令人吃驚的結果：二種材料交會的那一層，同時具有磁性以及超導電性區域 -- 這二種特性一般來說無法共存。