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第一個發光電晶體(Light Emitting Transistor)

2011/02/09 | 未分類 |

Original publish date:Dec 31, 2003

編輯 tslim 報導

美國Illinois大學的研究人員製造出了世界第一個發光電晶體(Light Emitting Transistor LET).

美國Illinois大學的研究人員將於2004年1月5日的Applied Physics Letters中發表他們所製造出的全世界第一個發光電晶體. 這個發光電晶體除了跟傳統的電晶體一樣具有電輸出輸入埠以外, 還多了一個紅外光輸出埠. 此外, 它是以磷化銦鎵(InGaP)及砷化鎵 (GaAs)的異質結構所構成, 而非如傳統的電晶體主要是由矽及鍺所構成.

雖然發光電晶體的發光機制與發光二極體(Ligit Emitting Diode)相同, 但它卻可以以較高的頻率來調制光的輸出. 到目前為止, 研究人員已經可以調制發光電晶體的光輸出到一百萬赫茲. 而且, 理論上還可以調制到更高的頻率.

也許現在要去預測發光電晶體實用上的價值未免言之過早, 但是它的應該有助於將光電迴路的設計整合成快速又方便的元件. 另外值得一提的是, 這個研究小組的成員包括了第一個可見光發光二極體的發明者Holonyak, 以及發展出世界上最快速的雙極電晶體(bipolar transistor)的Feng.

參考來源:

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  • [Jan 08, 2004] 鈦酸鍶:新的電晶體絕緣氧化物
  • [Dec 23, 2003] 越"變"越快的電晶體
  • [Nov 14, 2003] BJT的速度競賽﹕可不可以再快一點﹖
  • [May 30, 2003] 速度更快的透明電晶體
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